Электроника (стр. 2 из 4)

4)Стабилитрон – это параметрический стабилизатор напряжения, стабилизирует напряжение от единицы до сотен вольт.Uст – обратная ветвь ВАХ; пробой лавинный

ВАХ

r=∆U/∆I

чем < тем лучше

Д814Д => U=12 В R_бал.=(E-Uст.)/(Iст.+Iн.)

Кст.=(∆Е/Е)/(∆U/Uн) ТКН – температупный коэффициент U=(∆U/U)/ ∆t≈0,0001%

5)Стабистор – предназначен для получения малых стабильных напряжений

в них исп. прямая ветвь ВАХ

КС07А U=0,7B

6) Варикап –параметрическая емкость, вкл. в обратном смещении. Примечание :- в системах авто –подстройки частоты в телерадио и т.д.;-получение угловой модуляции(угловой или фазовой)

7)Тунельный диод ВАХ имеет участок «-» R

Примечание: Для получения высокочастотных колебаний (генератор); пороговые утройсва – тригеры Шмита

8) Обращенный диод – это разновидность тунельного - в нем нет «-» R, - в работе используют обратную ветвь ВАХ

Биполярные транзисторы

П/п прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и более выводами

Различают транзисторы проводимости:

n-p-n, p-n-p

Режимы работы БТ

1.)Отсечка – оба перехода закрыты, обратно смещены

2.)Насыщения – оба перехода смещены прямо

3.)Активный режим – эммитеры прямо, колектор обратно

4)Активно инверсный – эммитеры обратно, колектор прямо

Активный режим. Физика работы.

Iк=aIэ+Iко Iко-обратный ток колектора, a-коэффициент передачи тока эмитера

Схемы включения транзисторов.

1)Схема с общей базой

Iвх-Iэ

Iвых-Iк

Uвх-Uэб

Uвых-Uкб

2)Схема с общим эмитером

3) Схема с общим колектором

Каждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических ВАХ

Iвх=f(Uвх) | Uвых-const

Iвых=f(Uвых) | Iвх-const

ВАХ транзисторов

1)ОЭ

Iк=bIб +(Uкэ/r*к)+I*к₀ b-коэффициент передачи Iб

b=a/1-a

2)ОБ

Iк=aIэ+I к₀+(Uкб/rк) r*к=( rк/1+b) I*к₀=I к₀(1+b)

Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора

1)ОЭ

rк≈100 Ом rэ=dUбэ/dIб | Uк- const

rэ=2jt/Iэ⁰ =(Si)≈50мВ/ Iэ⁰

r*к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм

Ск*=Ск(1+b) ≈ 5-15мкФ

2)ОБ

rэ=dUбэ/dIэ | Uк- const

r*к=dUкб/dIк | Iэ- const

Частотные свойства транзистора

Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b

fср=fсрa/b – для b

h –параметры транзистора

ΔU₁=h₁₁ΔI₁+h₁₂ ΔU₂

ΔI₂=h₂₁ΔI₁+h₂₂ ΔU₂

h₁₁= ΔU₁/ ΔI₁ │ΔU₂=0 – входной сигнал

h₁₂= ΔU₁/ ΔU₂ │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи

│ΔI₁=0

h₂₁= ΔI₂/ ΔI₁ │ ΔU₂=0 – коэф усиления I

h₂₂= ΔI₂/ ΔU₂ │=1/rк выходная проводимость

│ΔI₁=0

Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора

ОБ	ОЭ
h11	rэ+rб(1-α)	rб+rэ(1+β)
h12	0	0
h21	α	β
h22	1/rк	1/rк*=(1+ β)/rк

Полевые транзисторы (ПТ)

В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.

ПТ с: p-n переходом

МДМ или МОП

«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.

«-»-малая крутизна

ПТ с p-n переходом

Структура и работа.

ВАХ: выходная

rc=ΔUcч/ΔIc

Uзи=const(отсечки)

≈10-100кОм

Стокозатворная характеристика

крутизна:

S=(dIc/dUзи)

Uc=const

(МДП)-транзисторы-МОП

МОП: -с встроенным

-с индуцируемым

Структура и работа.

Работа основана на явлении изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля.

ВАХ:

стокзатворная изолированный канал

Встроенный канал

cтокзатворная

r_к=1/s “+”высокое Rвх 10^12…14 Ом, высокие допустимые напряжения

Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R.

Терристор

П/п прибор с 3-мя и более p-n переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор.

Динистор: структура и работа

Если преложить «+» к аноду то П1-П3 смещаются прямо ->их R мало, П2 смещается обратно. По мере возрастания Uлк ширина П2 увеличивается ->и с Uак создается U пробоя ->динистор открывается. После пробоя П2 его R резко падает и внешнее Uак перераспределяется на П1и П3 ->резко возрастает напряжение, ->I тоже растет ->возникает «+» обратная связь. Чем больше открывается П2, тем больше отпирается П1 и П3,тем больше I.

Ток через динистор, когда он открыт, ограничивается внешними элементами

ВАХ

Если U на динисторе =0 тогда ток определяется отношением E/Rн

Применение: можно построить генератор.

Тринистор:

Одна из баз имеет внешний вывод- управляющий электрод.