Программы > pcad 2002 > Symbol Editor. По команде Options > Configure (стр. 4 из 17)
5. Щелкнуть LB на Finish и изменить графику символа в соответствии с рис.13 (рис.15).
6. Записать символ в библиотеку Test под именем DIOD , для чего: после Symbol > Save As щелкнуть LB на кнопке Library, выбрать библиотеку Test , нажать кнопку Открыть и в поле Symbol ввести имя символа DIOD, сбросить флажки во всех полях и щелкнуть LB на кнопке OK.
Посадочное место диода KD403A создается в редакторе Pattern Editor этапами:
1. Подключить к проекту файл FTP (раздел 6, п.2).
2. Загрузить Мастер ПМ : Pattern > Pattern Wizard и установить поля: Pattern Type = DIP, Number Of Pads Down = 2 , Pad To Pad Spacing = 3.75, Pattern Width = 15, Pad 1 Position = 1, Pad Style (Pad 1) = TM1p4-0p8C, Pattern Pad Style (Other) = TM1p4-0p8C.
3. Для определения графики ПМ установить флажок в поле Silk Screen и поля: Silk Line Width = 0.2, Silk Rectangle Width = 7, Silk Rectangle Height = 4, Notch Type = None.
4. Щелкнув LB на кнопке Finish, завершить работу «Мастера» - (рис.16).
5. Установить сетку 0,5 мм и при нажатом CTRL щелкнуть LB в центре каждой вертикальной линии УГО , после чего нажать клавишу Delete – линии будут удалены.
6. Нарисовать дуги согласно рис. 17, для чего: в слое TopSilk после Place > Arc нажать LB в точке A (рис.17) и отпустить LB – в точке C (рис.18). Аналогично построить правую дугу, нажав LB в точке D (рис.17) и отпустиь– в точке B (рис.17).
7. Переместить атрибуты Refdes и Type в центр ПМ (атрибут Type погасить) и записать ПМ в библиотеку Test под именем КD403A командой Pattern > Save As при сброшенном флажке Create Component.
 Рис. 16 (Сетка = 1,0 мм) | Рис. 17 (Сетка = 1,0 мм) |  Рис. 18 (Сетка = 1,0 мм) |
Запись БЭ диода KD403A в библиотеку выполняется в программе Library Executive.
1. После Component>New указать путь к библиотеке Test и нажать кнопку Открыть.
2. Подключить к проекту ПМ диода, для чего щелкнуть LB на кнопке Select Pattern и в окне Library Browse дважды щелкнуть LB на имени ПМ диода KD403A – оно будет отображено в верхнем правом поле.
3. Изменить поля: Gate Numbering= Numeric; Number of Gates = 1; Refdes Prefix=VD.
4. Подключить символ DIOD, щелкнув дважды LB в 1-й строке колонки Normal и на имени DIOD (табл. 5).
5. Нажать кнопку PinsView, ввести упаковку по табл.6 и закрыть окно PinsView.
6. Записать созданный элемент KD403A в библиотеку, выполнив п 7¸8 раздела 7.
Таблица 5 Таблица 6
| Gate# | GateEq | Normal | Pad # | Pin Des | Gate # | SymPin# | Pin Name | GateEq | Pin Eq | Elec.Typ | |
| 1 | 1 | DIOD | 1 | 1 | 1 | 1 | + | 1 | Unknown | ||
| 2 | 2 | 1 | 2 | – | 1 | Unknown |
12. Разработка БЭ - транзистор KT3102G ¯ ®
Транзистор KT3102G содержит 1 символ NPN (рис.19). в корпусе KT3102G (рис. 20)
Символ NPN создается в редакторе символов Symbol Editor в следующем порядке
1. Открыть шаблон ShablonSYM и сохранить его как файл (As File) под именем: NPN.
2. Выбрав в строке статуса шаг сетки 0,5 мм, построить УГО символа этапами:
· после Place > ARC, переместить курсор в точку 8,5/15 и щелкнуть LB, далее – в точку 15/15 и щелкнуть LB – построена окружность радиуса 6,5 мм;
· нарисовать базу: после Place>Line щелкнуть LB в точках 12/12 и 12/18, щелкнуть RB, щелкнуть LB в точках 8,5/15 и 12/15 щелкнуть RB – введена база;
· нарисовать коллектор и эмиттер: после Place >Line щелкнуть LB в точках 12/16,5 и 18.75/20 щелкнуть RB; щелкнуть LB в точках 12/13,5 и 17.75/10,5 – щелкнуть RB;
· нарисовать стрелку эмиттера: ввести сетку 0.25 мм, и после Place>Polygon щелкнуть LB в точках 17,75/11 , 17,25/10,25 , 18,75/10 щелкнуть RB (рис. 21);
· после Option > Display > Polygon установить цвет заливки полигона = цвету линий.
3. Сформировать выводы символа NPN в сетке 1.25 мм этапами:
 NPN |  |  |  |  |
| Рис.19 | Рис.20 | Рис.21 | Рис.22 | Рис.23 (Сетка = 0,5 мм) |
· после Place>Pin установить: Default PinName = B, User = 2,5 мм, Default Pin Des = 1, поля Pin Name, Pin Des, Increment Pin Name и Increment Pin Des сбросить;
· щелкнуть LB на кнопке Ok и в точке 8,75/15 , щелкнуть RB – рис. 21 (база);
· щелчком LB перейти в окно Place Pin, изменить поля: Default Pin Name = K, Default Pin Des = 2, щелкнуть LB на кнопке Ok, нажать LB в точке 8,75/20 и, не отпуская LB, 3 раза подряд нажать клавишу «R», – щелкнуть RB (рис. 22 – коллектор);
· щелчком LB перейти в окно Place Pin, и изменить поля: Default Pin Name = E, Default Pin Des = 3, далее щелкнуть LB на кнопке Ok, нажать LB в точке 8,75/10 и, не отпуская LB, нажать клавишу «R», - щелкнуть RB – рис. 19 (без атрибутов).
4. В точки: 6,25/15 , 16,25/25 и 16,25/5 ввести Ref Point, RefDes и Type (п. 5 раздел 2)
5. Ввести точку привязки элемента: после Place > Ref Point щелкнуть LB в точке 6,25/15.
6. Записать символ в библиотеку Test под именем NPN и выйти из редактора.
ПМ транзистора KT3102G создается в редакторе Pattern Editor этапами:
1. Подключить к проекту файл FTP (раздел 6, п.2)
2. Загрузить «Мастер ПМ» командой Pattern > Pattern Wizard и установить поля: Pattern Type = DIP, Number Of Pads Down = 4 , Pad To Pad Spacing = 2.5, Pattern Width = 5, Pad 1 Position = 1, Pad Style (Pad 1) = TM1p9-1p3C , Pattern Pad Style (Other) = TM1p9-1p3C и установить флажок в поле Silk Screen
3. Ввести: Silk Line Width=0.2, Silk Rectangle Width=8, Silk Rectangle Height=3.5, Notch Type=None.
4. Щелкнув LB на Finish, - перейти в обычный режим редактирования ПМ.
5. Удалить правую верхнюю площадку и переместить на ее место – нижнюю правую. Левую нижнюю КП переместить по той же горизонтали – в центр ПМ (рис. 23).
6. Переместить атрибуты Refdes и Type в центр ПМ (атрибут Type погасить) и записать ПМ в библиотеку Test под именем KT3102G командой Pattern > Save As при сброшенном флажке Create Component.
Запись БЭ KT3102G в библиотеку выполняется в программе Library Executive.
1. После Component>New указать путь к библиотеке Test и нажать кнопку Открыть.
2. Подключить к проекту ПМ транзистора, для чего щелкнуть LB на кнопке Select Pattern и в окне Library Browse дважды щелкнуть LB на имени ПМ транзистора KT3102G – оно будет отображено в верхнем правом поле.
3. Изменить поля: Gate Numbering= Numeric; Number of Gates = 1; Refdes Prefix=VT.
4. Подключить символ NPN, щелкнув дважды LB в 1-й строке колонки Normal и в открывшемся оглавлении библиотеки Test – на имени NPN (табл. 7).
5. Нажать кнопку PinsView и ввести упаковочную информацию согласно табл.8.
6. Записать компонент KT3102G в библиотеку, выполнив пункты 7¸8 раздела 7.
Таблица 7 Таблица 8
| Gate# | GateEq | Normal | Pad # | Pin Des | Gate # | SymPin# | Pin Name | GateEq | Pin Eq | Elec.Typ | |
| 1 | 1 | NPN | 1 | 1 | 1 | 1 | B | 1 | Unknown | ||
| 2 | 2 | 1 | 2 | K | 1 | Unknown | |||||
| 3 | 3 | 1 | 3 | E | 1 | Unknown |