1) дози рентгенівського випромінювання для матеріалів, які містять елементи тільки першого і другого рядів періодичної систем, добре співпадають з дозами електронів;
2) чутливість матеріалів до рентгенівського випромінювання може бути збільшена шляхом введення в полімерні молекули груп з високою атомною масою.
ВИСНОВОК
Фото-, електроно- і рентгенорезисти - органічні композиції, з яких можуть бути сформовані плівки, що володіють чутливістю до світла, електронного потоку і рентгенівського випромінюванню відповідно, що змінюють свої властивості і, насамперед, розчинність під дією актинічного випромінювання і при цьому захищають від впливу використовуваних у технології інтегральних мікросхем агресивних середовищ.
В результаті огляду основної літератури було встановлено:
1.Основою будь-якого фото-, електроно- або рентгенорезиста являються високомолекулярні сполуки, які володіють або власною чутливістю до використовуваного матеріалу, або “вимушеною” чутливістю за рахунок сенсибілізуючих сполук, які вводяться в резист. Під чутливістю полімерів до актинічного випромінювання розуміють їх можливість до змін фізико-хімічних властивостей і насамперед розчинності за рахунок поглинання енергії випромінювання.
2.Вибір матеріалу резиста оцінюється такими критеріями: чутливістю, стійкістю до агресивних середовищ і роздільною здатністю.
3.При виборі резистів треба знати, які травники і проявники будуть використовуватися для виготовлення даної мікросхеми. Резистивна маска, сформована з позитивних чи негативних резистів, повинна бути стійкою до цих агресивних середовищ і мати хороші захисні властивості, щоб не була порушена геометрія елементів.
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1.Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Лукіянець Б.А. Фізичні основи електронної техніки. - Львів: Бескид Біт, 2004. – 880 с.
2.Боков Ю.С. Фото- , електроно- и рентгенорезисты. – М.: Радио и связь,1982. -136 с.
3.Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. - Тернопіль: ТДТУ ім.. І.Пулюя,1998. - 352 с.
4.Моро У.Микролитография.В 2 ч.Ч1. – М.:Мир,1990. - 605 с.
5.Валиев К.А., Роков А.В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике . – М.: Радио и связь,1984. - 352 с.
6. www.compositions.ru./index.phtml?id=15012.
7.Пасынков В.В. Материалы электронной техники.- М.:Высш. школа,1980.- 406 с.
8.Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3ч. Ч1. Елементи мікроелектроніки. - К.: Вища школа, 2004. - 431 с.
9.Березин Г.Н., Микитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы контактной фотолитографии. – М.: Радио и связь, 1982. - 104 с.