Смекни!
smekni.com

Проектирование модуля АФАР (стр. 4 из 6)

Напряжение питания Uк0 принимается равным или близким к

, в типовом режиме транзистора. Угол отсечки целесообразно выбрать для n=2 и n=3 θ=60°. По табл. 3.1 [1] определяют для выбранно­го θ коэффициенты α0, α1, α2, γ1, γn.

Расчет ведут в следующем порядке (режим работы принимают граничным).

1. Сопротивление потерь коллектора в параллельном эквиваленте:

.

2. Напряженность граничного режима

,

где

.

3. Амплитуда напряжения и тока n-й гармоники, приведенные к эквивалентному генератору:

;
.

4. Сопротивление коллекторной нагрузки:

.

5. Амплитуда n-й гармоники, высота импульса тока эквива­лентного генератора, постоянная составляющая коллекторного тока соответственно:

;
;
.

Провести проверку выполнения условия

. Если условие не выполняется, то следует сменить транзистор, так как из-за умень­шения частоты fгр нельзя получить заданную мощность.

6. Амплитуда тока возбуждения и коэффициент передачи по то­ку в схеме ОБ:

,
.

7. Пиковое обратное напряжение на эмиттере:

.

8. Напряжение смещения:

,

где

;
;
;
.

9. Диссипативная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора:

;

.

10. Мощность источника питания, КПД:

;
.

11. Коэффициент усиления по мощности:

.

12. Мощность возбуждения:

.

13. Мощность рассеяния:

.

14. Диссипативная и реактивная составляющие сопротивления нагрузки, приведенной к внешнему выводу коллектора, в параллельном эквиваленте:

;

.
4. Результаты расчетов
4.1. расчет усилителя мощности
4.1.1. расчет режима работы активного прибора (транзистора)

Выбор транзистора, расчет его режима работы и энергетических параметров выполнен на ЭВМ с помощью программы PAMP1, разработанной на каф. 406, и реализующей методику, описанную в п. 3.1.

Исходные данные:

ЧАСТОТА fвх И МОЩНОСТЬ P1 УСИЛИТЕЛЯ,
ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА (2Т934А)

fвх=0,25 ГГц;

P1=0,0614 Вт;

F1=1 ГГц;

R1=3 Ом;

R2=6 Ом;

R3=0,1 Ом;

C1=7 пФ;

C2=2 пФ;

C3=40 пФ;

L1=1,3 нГн;

L2=3,1 нГн;

L3=2,5 нГн;

H=80;

T=160 °;

U1=60 В;

U2=4 В;

U3=0,7 В;

U4=1,2 В;

P2=7 Вт;

S1=0,17;

F2=0,4 ГГц;

K1=10;

P3=3 Вт;

U0=19 В.

Результаты расчета:

2Т934А, ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, fвх=0,25 ГГц;

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Выходная мощность 0,0614 Вт;

Мощность возбуждения 8,07 мВт;

Коэффициент усиления KУМ=7,60825;

Потребляемая мощность 61,501 мВт;

Мощность потерь 8,1711 мВт;

Коэффициент полезного действия (электронный КПД) ηэ=99,83%.

РЕЗЕРВЫ ТРАНЗИСТОРА

По напряжению на коллекторе 1,582314;

По напряжению на базе 2,439582;

По рассеиваемой мощности 856,669;

Допустимая температура корпуса транзистора 159,8599 °С.

ЦЕПЬ КОЛЛЕКТОРА

Напряжение питания E0=19 В;

Амплитуда напряжения 18,91915 В;

Напряженность режима 0,9957449;

Амплитуда коллекторного тока 6,872006 мА;

Постоянная составляющая коллекторного тока I=3,236894 мА;

Диссипативная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки R1вых УМ=166,933 Ом;

Реактивная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки X1вых УМ=5,44388 Ом.

ЦЕПЬ БАЗЫ

Напряжение смещения по базе E=1,2 В;

Амплитуда тока возбуждения 0,1756269 А;

Угол отсечки 34,69754 °;

Диссипативная составляющая входного сопротивления ZвхR1вх УМ=0,5232769 Ом;

Реактивная составляющая входного сопротивления Zвх X1вх УМ=4,491888 Ом.

4.1.2. расчет элементов принципиальной схемы усилителя мощности

Опираясь на проведенный расчет, получаем:

а) Цепь смещения (параллельная схема с автосмещением).

;

Выбираем R1: C2-33Н-0,5-360 Ом±5%,

где Е — напряжение смещения по базе;

Iок — постоянная составляющая коллекторного тока.

Из условий

;
;
(см. рис. 5),

где

; R1вх=R1вх УМ=0,523 Ом — диссипативная составляющая входного сопротивления базовой цепи, полученная в ходе расчетов на ЭВМ (см. п. 4.1.1.), получаем:

;

Выбираем С1: КМ-6-М1500-0,012 мкФ.

;

Выбираем С4: К10-17-1-П33-17,16 пФ.

.

Числовой коэффициент 10 введен для обеспечения справедливости вышеприведенных соотношений: «много больше» мы заменяем на «в 10 раз больше».

б) Последовательная схема питания.

Из соотношений

;
;
(см. рис. 6),

где rист — внутреннее сопротивление источника питания, rист=5 Ом; R1вых — диссипативная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки, R1вых=R1вых УМ=166,93 Ом, получаем:

;

Выбираем С5: К10-17-1-П33-38,13 пФ.

;

Выбираем С3:

.
4.2. расчет умножителя частоты
4.2.1. расчет режима работы активного прибора (транзистора)

Выбор транзистора, расчет его режима работы и энергетических параметров выполнен на ЭВМ с помощью программы MULTIPLY, разработанной на каф. 406, и реализующей методику, описанную в п. 3.2. Исходные данные:

Параметры транзистора

Название транзистора: 2T919A;
Напряжение питания: E0=19 В;
Статический коэффициент передачи тока: 50;
Напряжение приведения по базе: 0,7 В;
Граничная крутизна: Sгр=0,13 См;
Граничная частота: fгр=1800 МГц;
Емкость коллекторного перехода: 7,5 пФ;
Активная часть емкости коллектора: 2,5 пФ;
Емкость эмиттерного перехода: 50 пФ;
Сопротивление базы: 0,5 Ом;
Сопротивление эмиттера: 0,14 Ом;
Сопротивление коллектора: 0,7 Ом;
Индуктивность вывода базы: 0,14 нГн;
Индуктивность вывода эмиттера: 0,4 нГн;
Индуктивность вывода коллектора: 0,7 нГн;
Допустимая температура перехода: 150 °С;
Критический ток: 1,5 А;
Допустимое напряжение эмиттер-база: 3,5 В;
Допустимая рассеиваемая мощность: 10 Вт.
Результаты расчетов:
Параметры режима транзистора (2T919A, схема с ОБщей базой)
Напряженность граничного режима: 0,781;
Амплитуда коллекторного напряжения: 14,839 В;
Амплитуда n-й гармоники коллекторного тока: 0,07412 А;
Максимальный коллекторный ток: Iк max=0,2912 А;
Постоянная составляющая коллекторного тока: I=0,05941 А;
Амплитуда тока возбуждения: 0,14176 А;
Пиковое обратное напряжение эмиттер-база: -1,12179 В;
Напряжение смещения по базе: E=0,034491 В;
Сопротивление автоматического смещения: 0,580535 Ом;
Диссипативная составляющая входного сопротивления: R1вх УЧ=5,4957 Ом;
Реактивная составляющая входного сопротивления: X1вх УЧ=-3,4953 Ом;
Коэффициент усиления по мощности: KУЧ=9,9589;
Мощность возбуждения: 0,0552266 Вт;
Мощность, потребляемая от источника питания: 1,1288 Вт;
Электронный КПД: ηэ=48,72%;
Рассеиваемая мощность: 0,634064 Вт;
Диссипативная составляющая сопротивления нагрузки: R1вых УЧ=180,013 Ом;
Реактивная составляющая сопротивления нагрузки: X1вых УЧ=40,34 Ом;
Выходная мощность Pвых УЧ=0,55 Вт;
Коэффициент умножения n=2;
Угол отсечки 56,0 °;
Входная частота fвх=0,25 ГГц;
Напряжение питания E0=19,0 В.
4.2.2. расчет элементов принципиальной схемы умножителя частоты

Опираясь на проведенный расчет, получаем: