Соответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти
Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированные характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону.
Временные параметры системы | Требования системы к временным параметрам памяти (ns) | Временные параметры памяти по спецификации (ns) | ||||||||||||||||||||||||||||
Циклы временных задержек | Внешняя частота (MHz) | Период таймера (ns) | tAA | tPC | tRAC | Тип RAM | tAA | tPC | tRAC | |||||||||||||||||||||
6-3-3-3 | 50 | 20 | 60 | 60 | 100 | -70 | FPM | 35 | 40 | 70 | ||||||||||||||||||||
60 | 16.7 | 50 | 50 | 83.5 | -70 | FPM | 35 | 40 | 70 | |||||||||||||||||||||
66 | 15 | 45 | 45 | 75 | -70 | FPM | 35 | 40 | 70 | |||||||||||||||||||||
75 | 13.3 | 40 | 40 | 66.5 | -60 | FPM | 30 | 35 | 60 | |||||||||||||||||||||
83 | 12 | 36 | 36 | 60 | -60 | FPM | 30 | 35 | 60 | |||||||||||||||||||||
6-2-2-2 | 50 | 20 | 40 | 40 | 100 | -70 | EDO | 35 | 30 | 70 | ||||||||||||||||||||
60 | 16.7 | 33.4 | 33.4 | 83.5 | -60 | EDO | 30 | 25 | 60 | |||||||||||||||||||||
66 | 15 | 30 | 30 | 75 | -60 | EDO | 30 | 25 | 60 | |||||||||||||||||||||
75 | 13.3 | 26.6 | 26.6 | 66.5 | -50 | EDO | 25 | 20 | 50 | |||||||||||||||||||||
83 | 12 | 24 | 24 | 60 | -50 | EDO | 25 | 20 | 50 | |||||||||||||||||||||
5-2-2-2 | 50 | 20 | 40 | 40 | 80 | -70 | EDO | 35 | 30 | 70 | ||||||||||||||||||||
60 | 16.7 | 33.4 | 33.4 | 66.8 | -60 | EDO | 30 | 25 | 60 | |||||||||||||||||||||
66 | 15 | 30 | 30 | 60 | -60 | EDO | 30 | 25 | 60 | |||||||||||||||||||||
75 | 13.3 | 26.6 | 26.6 | 53.2 | -50 | EDO | 25 | 20 | 50 | |||||||||||||||||||||
83 | 12 | 24 | 24 | 48 | -50 | EDO | 25 | 20 | 50 |
Эквивалентные тайминги для SDRAM | |||||||
SDRAM | Внешняя частота (MHz) | Период таймера (ns) | tAA (ns) | Маркировка времени доступа | tRAC (ns) | SDRAM | Аналогичное время доступа для асинхронной памяти |
7-1-1-1 CL3 (tAC = 8 ns) | 66 | 15 | 41 | "-15" | 83 | CL3 | -70 |
75 | 13.3 | 37.6 | 74.5 | <-70 | |||
83 | 12 | 35 | "-12" | 68 | 60 | ||
100 | 10 | 31 | "-10" | 58 | <-60 | ||
5-1-1-1 CL2 (tAC = 9 ns) | 66 | 15 | 27 | "-10" | 54 | CL2 | -50 |
75 | 13.3 | 25.3 | 48.9 | ||||
83 | 12 | 24 | 45 | ||||
100 | 10 | 22 | 39 | -40 |
Для SDRAM: tAA = (CL-1)*(Период таймера) + tAC + tSU
tSetUp = 3 ns
tRAC = (2*CL-1)*(Период таймера) + tAC
Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7–1–1–1 SDRAM. A "–10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "–60" асинхронная память.
Заметьте, что у SDRAM "–10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3–100MHz, а 54ns при CL2–66MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3–100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!
SDRAM "–10" работающая с CL3 (7–1–1–1) может не работать при CL2 (5–1–1–1)!
Системные циклы задержки
Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.
Характеристики DRAM | Внешняя частота и период [MHz (ns)] | ||||||||||||
Тип RAM | tRAC | tPC or | 50 MHz | 60 MHz | 66.6 MHz | 75 MHz | 83 MHz | ||||||
70ns FPM | 70ns | 40 | 5-2-2-2 | 6-3-3-3 | 6-3-3-3 | 6-3-3-3 | 6-3-3-3 | ||||||
60ns FPM | 60ns | 35 | 4-2-2-2 | 5-3-3-3 | 5-3-3-3 | 6-3-3-3 | 6-3-3-3 | ||||||
70ns EDO | 70ns | 30 | 5-2-2-2 | 5-2-2-2 | 6-2-2-2* | 6-2-2-2 | 6-2-2-2 | ||||||
60ns EDO | 60ns | 25 | 4-2-2-2 | 5-2-2-2 | 5-2-2-2* | 6-2-2-2 | 6-2-2-2 | ||||||
50ns EDO | 50ns | 20 | 4-1-1-1 | 4-2-2-2 | 5-2-2-2 | 5-2-2-2 | 5-2-2-2 | ||||||
CL3 SDRAM | 5 cycles | 10 | 7-1-1-1 | 7-1-1-1 | 7-1-1-1 | 7-1-1-1 | 7-1-1-1 | ||||||
CL2 SDRAM | 3 cycles | 12 | 5-1-1-1 | 5-1-1-1 | 5-1-1-1 | 5-1-1-1 | 5-1-1-1 |
X-Y-Y-Y — Циклы нормальных временных задержек.