И еще одно уточнение. Разрешать этот параметр следует в том случае, если это требуется в документации на используемую в системе плату. Некоторые старые ISA-карты (например, ранние видеокарты высокого разрешения) требуют выделения для них специального адреса памяти, лежащего в некотором диапазоне. Кроме того, это выделение запрещает доступ в старшие адреса памяти, расположенные выше 16 МБ. Поэтому включение данной опции должно быть оправдано. По сути, данная функция сохранена в "BIOS SETUP" по причине фактора совместимости со старыми картами. Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
В других версиях BIOS могут встретиться значения: "Disabled", "14M-16M", "15M-16M".
В более "старых" версиях BIOS могут встретиться другое наименование такой функции - "Memory Hole", и значения параметров: "None", "at 512 kB", "at 15 MB". Действие некоторых параметров уже понятно, а для значения "at 512 kB" стоит указать, что для "затенения" используется часть базовой памяти в пределах 512-639 КБ.
Опция может носить название "Local Memory 15-16M" или "Memory Hole at 15M Addr."
PCI master accesses shadow RAM
опция включения/выключения возможности копирования ПЗУ шины в более быструю оперативную память для повышения быстродействия системы. Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
System BIOS Cacheable
(кэширование области системного BIOS). Хотя в данной опции речь идет, на первый взгляд, о кэшировании, тем не менее, ее нахождение в главе, посвященной функциям и механизмам "затенения", автор считает более оправданным. Разрешение этого параметра приводит к возможности кэширования области памяти по адресам системного BIOS (F0000H-FFFFFH) в кэш-память. Включение параметра будет иметь смысл только в случае разрешения функций кэширования в разделе "BIOS Features Setup" (как правило). Если какая-либо программа попытается выполнить операцию записи в эти адреса, то система выдаст сообщение об ошибке. Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
Опция может называться и "System ROM Cacheable".
Но есть и свое "но"! При включении опции кэшированию подлежит часть системной BIOS, содержащей код для запуска системы и основные функции ввода/вывода. Тем не менее, возможности ускорения через использование кэша процессора редко используются, т.к часть кэш-памяти, которой всегда недостаточно, резервируется под BIOS, обращение к которому не происходит постоянно.
Video BIOS Cacheable
(кэширование области BIOS видеокарты). Разрешение этого параметра приводит к возможности кэширования области памяти по адресам BIOS видеокарты (C0000H-C7FFFH) в кэш-память процессора. Параметр будет использован только при включении кэш-памяти в разделе "BIOS Features Setup". Если какая-либо программа попытается выполнить запись в эти адреса, то система выдаст сообщение об ошибке. При наличии видеокарты с "ускорителем" необходимо отключить кэширование видеопамяти, дабы центральный процессор мог "отслеживать" любые изменения, производимые устройством ввода в буфер кадра изображения. Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
Об оправданности включения этой опции можно сказать то же самое, что и по системному BIOS. Опция может называться "Video BIOS Area Cacheable".
Refresh
Возможны три различных метода регенерации данных.
Регенерация одним RAS (RAS Only Refresh - ROR). Этот метод использовался еще в первых микросхемах DRAM. Адрес регенерируемой строки передается на шину адреса и выдается сигнал RAS (точно так же, как при чтении или записи). При этом выбирается строка ячеек, и данные из них поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как далее сигнал CAS не следует, цикл чтения/записи не начинается. Затем передается адрес следующей строки и так далее, пока не будет пройдена вся матрица памяти, после чего цикл регенерации повторяется. К недостаткам этого метода можно отнести то, что занимается шина адреса, и в момент регенерации блокируется доступ к другим подсистемам компьютера.
CAS перед RAS (CAS Before RAS - CBR) - стандартный метод регенерации. При нормальном цикле чтения/записи сигнал RAS всегда приходит первым, за ним следует CAS. Если же CAS приходит раньше RAS, то начинается специальный цикл регенерации - CBR. При этом адрес строки не передается, а микросхема использует свой внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на 1 при каждом CBR-цикле (т. н. инкрементирование адреса строки). Этот режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, что, безусловно, более экономично.
Автоматическая регенерация памяти (Self Refresh - SR, или саморегенерация). Этот метод обычно используется в режиме энергосбережения, когда система переходит в состояние "сна" ("suspend"), и тактовый генератор перестает работать. В таком состоянии обновление памяти по вышеописанным методам невозможно (попросту отсутствуют источники сигналов), и микросхема памяти выполняет регенерацию самостоятельно. В ней запускается свой собственный генератор, который тактирует внутренние цепи регенерации. Такая технология работы памяти была внедрена с появлением EDO DRAM. Необходимо отметить, что в режиме "сна" память потребляет очень малый ток.
Burst Refresh
при разрешении этой установки чипсет проводит несколько регенераций за один такт. В обычном режиме одна строка регенерируется каждые 15 мкс, в пакетном 4 строки - каждые 60 мкс. Если BIOS позволяет, то рекомендуется конечно установить значение опции в "Enabled". Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
Опция может называться "DRAM Burst at 4 Refresh".
CAS Before RAS Refresh
метод регенерации памяти, когда сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS. В отличие от стандартного способа регенерации, этот метод не требует перебора адресов строк извне микросхем памяти - используется внутренний счетчик адресов. Однако, этот способ регенерации должен поддерживаться микросхемами памяти (большинство чипов его поддерживает). Может принимать значения:
"Enabled" - разрешено,
"Disabled" - запрещено.
CAS-to-RASRefreshDelay
действие этой опции возможно при включенном состоянии предыдущей (или аналогичной), так как в данном случае устанавливается время задержки между стробирующими сигналами (в тактах системной шины). Естественно, что установка меньшего значения приводит к снижению времени, затрачиваемого на регенерацию. Большее же значение повышает надежность, т.е. достоверность данных, находящихся в памяти. Оптимальный вариант для данной системы выбирается опытным путем. Может принимать значения: "1T", "2T" (по умолчанию).
Concurrent Refresh
(параллельная pегенеpация). При активизации этой опции как чипсет (т.е. оборудование, требующее регенерации), так и процессор получают одновpеменный доступ к памяти. При этом процессору не нужно будет ожидать, пока произойдет регенерация. При установке опции в "Disabled" пpоцессоp должен будет ждать, пока схема pегенеpации не закончит pаботу.
DRAM RAS Only Refresh
включение/отключение метода обновления DRAM, альтернативного методу "CAS-before-RAS". Если BIOS содержит другие возможности по регенерации памяти, то эту опцию необходимо отключить. В противном случае придется использовать этот устаревший метод обновления памяти.
DRAM RAS# Precharge Time
(время предварительного заряда по RAS). Эта функция позволяет установить время (в тактах системной шины) для формирования сигнала RAS (иногда говорят о накоплении заряда по RAS) до начала цикла регенерации памяти. Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие. Но если установлено недостаточное время, регенерация может быть некомплектной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти. Возможные значения могут быть представлены в различном виде: в виде цифровых значений - "3", "4" и т.д.; с указанием системных тактов - "3 Clocks" или "1T". А ряд значений, как правило, следующий: 0T, 1T, 2T, 3T, 4T, 5T, 6T.
Опция может иметь множество названий: "DRAM RAS# Precharge Period", "RAS# Precharge Time", "RAS# Precharge Period", "FPM DRAM RAS# Precharge", "FPM RAS Precharge", "RAS# Precharge", "EDO RAS Precharge", "EDO RAS# Precharge Time", "EDO RAS Precharge Timing", "FPM/EDO RAS# Precharge Time".
Как видим, опция не потеряла своей актуальности с появлением EDO-памяти и, что интересно, затем также BEDO - и SDRAM - модулей: "BEDO RAS Precharge", "SDRAM RAS# Precharge", "SDRAM RAS Precharge Time".
Правда, кроме привычных параметров типа "3T" или "2 Clks" в различных версиях BIOS стали "встречаться" новые виды значений, например, "Same as FPM" и "FPM-1T", "Fast" и "Normal", "Fast" и "Slow". Для последней пары параметров "Slow" (медленно) равносильно увеличению количества тактов, что повышает стабильность работы системы, поэтому значение "Fast" следует устанавливать в случае уверенности в качестве модулей памяти.
DRAM Refresh Method
опция установки метода регенерации. Опция может называться также "Refresh Type", "DRAM Refresh Type" или "Refresh Type Select". При любых вариантах опции среди возможных параметров, как правило, используется только два параметра. Приводим весь возможный ряд: "CAS before RAS", "RAS only", "RAS# Before CAS#", "Normal", "Hidden".
DRAM Refresh Period
установка периода (частоты повтора), требуемого для регенерации памяти, в соответствии со спецификацией модулей памяти. В новейших версиях BIOS такая опция практически не встречается. Ранее же она предлагала пользователю широкий простор для творчества: в зависимости от версии BIOS и его производителя, чипсета, модулей памяти. Опция могла также носить название "Refresh Cycle Time (us)", "DRAM Refresh Cycle Time", "Memory Refresh Rate" или "DRAM Refresh Rate". Вот неполный перечень таких вариаций: