Модулі оперативної пам’яті SD-RAM, DDR, DDR2, DIMM (стр. 3 из 3)

•Великою кількістю контактів живлення і заземлення;

•Вдосконаленим розподілом живлячих і сигнальних контактів, що дозволяє досягти кращої якості електричного сигналу (необхідне для стійкішого функціонування при високих частотах);

•Повним заповненням масиву, що збільшує механічну міцність компоненту.

Перейдемо до розгляду модулів пам'яті DDR3. Як і модулі пам'яті DDR2, вони випускаються у вигляді 240-контактної друкарської плати (по 120 контактів з кожного боку модуля), проте не є електрично сумісними з останніми, і з цієї причини мають інше розташування «ключа» (див. мал. 5а).

Мал. 5а. Зовнішній вигляд типових модулів пам'яті DDR3 (зверху) і DDR2 (знизу)

Мал. 5б. Зовнішній вигляд типових роз'ємів на системній платі (комбо) для установки модулів пам'яті DDR3 (голубий/рожевий) і DDR2 (зелений/оранжевий)

Відмінною особливістю дизайну схемотехніки модулів пам'яті DDR3 є застосування fly-by архітектури передачі адрес і команд, а також сигналів управління і тактової частоти окремих мікросхем модуля пам'яті. Схематично ця архітектура представлена на мал. 6. Вона дозволяє добитися збільшення якості передачі сигналів, що необхідне при функціонуванні компонентів при високих частотах, типових для пам'яті DDR3 і не потрібний для компонентів пам'яті стандарту DDR2.

Мал. 6. fly-by архітектура передачі сигналів в модулях пам'яті DDR3

Відмінність між способом передачі адрес і команд, сигналів управління і тактової частоти в модулях пам'яті DDR2 і DDR3 (на прикладі модулів, фізичний банк яких складений з 8 мікросхем розрядністю x8) представлено на мал. 7. У модулях пам'яті DDR2 подача адрес і команд здійснюється паралельно на всі мікросхеми модуля, у зв'язку з чим, наприклад, при зчитуванні даних, всі вісім 8-бітних елементів даних виявляться доступними в один і той же момент часу (після подачі відповідних команд і закінчення відповідних затримок) і контролер пам'яті зможе одночасно прочитати всі 64 біти даних. В той же час, в модулях пам'яті DDR3 внаслідок застосування fly-by архітектури подачі адрес і команд кожна з мікросхем модуля отримує команди і адреси з певним відставанням щодо попередньої мікросхеми, тому елементи даних, відповідні певній мікросхемі, також виявляться доступними з деяким відставанням щодо елементів даних, відповідних попередній мікросхемі в ряду, що становить фізичний банк модуля пам'яті. У зв'язку з цим, з метою мінімізації затримок, в модулях пам'яті DDR3, в порівнянні з модулями DDR2, реалізований декілька інший підхід до взаємодії контролера пам'яті з шиною даних модуля пам'яті. Він називається «регулюванням рівня зчитування/запису» (read/write leveling) і дозволяє контролеру пам'яті використовувати певний зсув за часом при прийомі/передачі даних, відповідне «запізнюванню» надходження адрес і команд (а отже, і даних) в певну мікросхему модуля. Цим досягається одночасність зчитування (запису) даних з мікросхем (у мікросхеми) модуля пам'яті.

Мал. 7. Регулювання рівня зчитування/запису (read/write leveling) в модулях пам'яті DDR3

На закінчення, розглянемо швидкісні характеристики передбачуваних специфікацій модулів пам'яті DDR3, які представлені в таблиці 2.

Тип модулів	Рейтинг	Частота шини, МГц	Типова схема таймінгів	Теоретична пропускна спроможність, Гб/с
				Одно-канальний режим	Дво-канальний режим
DDR3-800	PC3-6400	400	6-6-6-18	6.40	12.80
DDR3-1066	PC3-8500	533	7-7-7-21	8.53	17.07
DDR3-1333	PC3-10667	667	8-8-8-24	10.67	21.33
DDR3-1600	PC3-12800	800	9-9-9-27	12.80	25.60
DDR3-1866	PC3-14900	933	10-10-10-30	14.93	29.87

Табл. 2. Швидкісні характеристики модулів пам'яті DDR3

Рейтинг продуктивності модулів пам'яті DDR3 має значення виду «Pc3-x», де X означає пропускну спроможність модуля в одноканальному режимі, виражену в МБ/С. Оскільки модулі пам'яті DDR3 мають ту ж розрядність, що і модулі пам'яті DDR2 - 64 біта, чисельні значення рейтингів рівночастотних модулів пам'яті DDR2 і DDR3 співпадають (наприклад, Pc2-6400 для DDR2-800 і Pc3-6400 для DDR3-800).

Новинки

Компанія Samsung нещодавно повідомила, що почала пробні постачання 2-гігабітних мікросхем DDR-3, що випускаються по 50 нм технології. Крім збільшення щільності зберігання інформації, вони забезпечують на 40% нижче енергоспоживання в порівнянні з існуючими мікросхемами.

о теперішнього часу 2-гигабітная щільність досягалася розміщенням двох мікросхем пам'яті в одній упаковці. Тепер можна задовольнятися однією мікросхемою. На базі нових чіпів DDR-3 можна створювати модулі пам'яті об'ємом 4 Гб у виконанні DIMM і SO-DIMM, а також регістрові модулі пам'яті об'ємом до 8 Гб. Крім того, при використанні двочіпової компоновки об'єм такої пам'яті можна збільшити до 16 Гб на модуль.

Дані мікросхеми працюють на швидкостях до DDR3-1333 при напрузі 1.35-1.5 В. Масове виробництво цих мікросхем буде запущено до кінця поточного року. По оцінках аналітиків, до 2011 року мікросхеми пам'яті типу DDR-3 досягнуть частки ринку в 72%, причому кожна третя з них буде двогігабітною.

Наступним світовим досягненням з неприхованою гордістю поділилася з громадськістю прес-служба компанії Super Talent Technology Corporation. На цей раз виробник заявив про випуск першого в індустрії 4-гігабайтного двохканального набору пам'яті DDR3 PC3-14400, що поповнив популярну продуктову лінію ProjectX.

Згідно обнародуваної інформації, даний комплект складається з пари ретельно протестованих планок на базі високоякісних DRAM-чіпів від Micron, кожна з яких має схему організації 256Mx64, функціонує на частоті 1800 Мгц із затримками 8-8-8-24, характеризується напругою живлення 1,9 В і обладнана фірмовим алюмінієвим радіатором для підтримки оптимального температурного режиму. Крім того, наголошується, що продукт спеціально оптимізований для ефективного використання в материнських платах, заснованих на типовому наборі мікросхем NVIDIA nForce 790i Ultra SLIі. Продукт забезпечується довічною гарантією якості.

В асортименті копанії Apacer Technology з`явилися модулі пам'яті серії Aeolus - 240-контактні новинки типу DDR3-1800 і DDR3-1600, пропоновані в наборах з пари планок загальним об'ємом 2 Гб, кожна з яких обладнана, як затверджується, унікальною по дизайну системою активного охолоджування, запатентованої конструкції, що складається з особливого двошарового радіатора, зі встановленим над ним мініатюрним вентилятором. Як особливо підкреслюється в опублікованому офіційному прес-релізі, новинки орієнтовані в першу чергу на завзятих любителів сучасних 3D-игр, а також тих користувачів, хто вважає за краще піддавати свої комп'ютерні системи екстремальному розгону. При цьому рішення виготовлені за передовою технологією компанії Micron, мають схему організації 128Mx8, функціонують із затримками CL7-7-7-20 і характеризуються робочою напругою живлення 1,9 В (DDR3-1800) і 1,8 В (DDR3-1600). Крім того, наголошується, що на всі вироби розповсюджується довічна гарантія.

Німецька компанія Qimonda AG оголосила про поповнення продуктивної лінії оперативної пам'яті XTUNE DDR3-1600 новими модулями об'ємом 1 Гб, які поступлять в продаж під маркою Aeneon. Анонс супроводжується заявою прес-служби про підтримку недавно представленої платформи nForce 790i SLI . Наголошується, що комбінація оперативної пам'яті Qimonda і першої DDR3-сумісної системної логіки NVIDIA надає ентузіастам розгону і вимогливим любителям 3D-игр широких можливостей для досягнення найвищих результатів. Однієї з особливостей нової пам'яті Aeneon XTUNE DDR3-1600 є готовність до роботи при номінальній для стандарту DDR3 напрузі живлення 1,5 В, на відміну від більшості конкуруючих продуктів, розрахованих на 1,6-1,8 В. Розробники заявляють про здатність добре розганятись без підвищення напруги, що, безумовно, зменшує енергоспоживання і тепловиділення чіпів пам'яті при роботі в позаштатному режимі. Більш того, знижуються вимоги до охолодження і росте стабільність системи в цілому. Представлені модулі володіють підтримкою технології EPP 2 (Enhanced Performance Profile 2), призначеній значно спростити процес розгону і збільшити його ефективність. Нагадаємо, що профілі EPP є прописані в SPD-чіпи - додаткові параметри, які дозволяють без зайвих операцій з настройками BIOS добитися максимальної продуктивності підсистеми пам'яті. На думку розробників, повністю розкрити можливості EPP другого покоління допоможе нова платформа NVIDIA nForce 790i SLI. Оперативна пам'ять Aeneon XTUNE DDR3-1600 представлена в двохканальних комплектах загальним об'ємом 2 Гб (2 x 1 Гб). У виробничих умовах модулі ретельно тестуються на сумісність і стабільність на шині 1600 Мгц із затримками CL9 при напрузі живлення 1,5 В.

Про випуск нових високошвидкісних 240-контактних DIMM-модулів пам'яті CrucialBallistix Unbuffered Non-ECC DDR3-2000 (PC3-16000) для найвимогливіших геймерів і комп'ютерних ентузіастів на днях повідомила компанія Lexar Media .Як вказується в опублікованому прес-релізі, новинки відносяться до продуктів категорії NVIDIA SLI Ready, підтримують EPP 2.0. Спеціально призначені для ефективного використання в могутніх ігрових платформах на базі недавно офіційно представленого чіпсета NVIDIA nForce 790i Ultra SLI. При цьому кожна планка має схему організації 128Mx64, функціонують на частоті 2000 Мгц із затримками 9-9-9-28, характеризується робочою напругою живлення 1,9 В і обладнана фірмовим жовтим пасивним радіатором. Вироби вже зараз доступні для придбання.

В асортименті компанії Corsair, що спеціалізується на високопродуктивній оперативній пам'яті і продуктах з використанням флеш-пам'яті, з'явилися модулі пам'яті DDR3, що працюють на частоті 2 ГГц. Новинка призначена для ігрової платформи NVIDIA 790i Ultra SLI.Поява пам'яті DDR3 у асортименті компанії стала результатом тісної співпраці між NVIDIA і Corsair. Як затверджується, в ході спільної роботи було виявлений, що платформа NVIDIA 790i Ultra SLI показує особливі можливості розгону, зв'язані із застосуванням архітектури пам'яті DDR3. Всі модулі пам'яті Corsair, що одержали сертифікат SLI-Ready, підтримують технологію EPP2, що дозволяє автоматично встановити оптимальні тимчасові параметри у разі роботи спільно з 790i Ultra SLI. Компанія вже почала постачання двох наборів об'ємом по 2 ГБ сімейства DOMINATOR (TW3X2G2000 і TW3X2G1800) і одного набору такого ж об'єму сімейства XMS DHX (TW3X2G1600). У всіх новинках використовується технологія DHX, суть якої полягає в застосуванні чотиришарової конструкції радіатора, що дозволяє поліпшити відведення тепла, і, як наслідок, підвищити продуктивність і надійність пам'яті.

Компанія OCZ анонсувала модулі пам'яті OCZ DDR3 PC3-14400 Platinum 2 GB. Вони працюють на частоті 1,8 GHz. Для охолоджування набору використовуються теплорозсіювачі. Параметри таймінгів на сайті заявлені як 8-8-8-24. Компанія OCZ наділила ці модулі довічною гарантією. До речі, ще наголошується їх оптимізація для роботи з материнськими платами від ASUS.

Література:

1. http://www.3dnews.ru

2. http://www.hardwareportal.ru

3. http://www.wikipedia.org

4. http://intuit.ru

5. http://www.ixbt.com

6. http://testblock1.j043.mt.ru