Смекни!
smekni.com

Разгон видеопамяти (стр. 2 из 4)

Итого: определяя максимальный разгон по частоте «в лабораторных условиях», желательно установить максимальные тайминги для обеспечения чистоты эксперимента. В реальной жизни искать баланс производительности «тайминги/частота» придется, скорее всего, самостоятельно, так как никакие тестирования не способны охватить весь спектр возможных платформ, частот и таймингов. Поиск такого баланса — одна из ключевых задач каждого, кто стремится повысить производительность компьютера путем разгона.

Напряжения

Поднимая питающие напряжения, мы повышаем потенциал работы памяти (в плане предельной частоты, а в некоторых случаях и минимальных таймингов). Именно «напряжения», во множественном числе, так как есть более чем одно напряжение, подаваемое на чипы памяти. Если есть возможность повышать, кроме основного напряжения, также и остальные — желательно это делать, но соблюдая меры предосторожности. Это должно помочь в разгоне, но неаккуратный подход (в виде экспериментаторства с этими дополнительными напряжениями) с большой долей вероятности приведет к несчастью для подопытного устройства.

Между прочим, из-за ошибки в разводке, ABIT IC7-MAX3 при установке «основного» напряжения Vdimm свыше 2.8В (2.9-3.2В) сбрасывает одно из дополнительных напряжений на уровень, соответствующий уровню при Vdimm = 2.5V. Таким образом эффект от повышенного напряжения падает (что исправляется очередным вольтмодом).

Возвращаясь к напряжениям, хочу отметить, что не все чипы одного стандарта одинаково масштабируются при росте напряжения! Это можно заметить, изучив диаграммы в обзоре DDR500. Но в целом, рост есть и достоточно адекватный.

Повышать напряжение можно тоже не бесконечно. Пределом по спецификациям являются обычно 2.9В, именно поэтому большинство производителей материнских плат делают это значение максимально возможным для выставления через BIOS.

Почти все «оверклокерские» модули (и качественные «обычные») способны без особого для них риска работать на напряжении до 3.1-3.2В в качестве постоянного. Для чипов Winbond (по ним накоплена огромная статистика в плане толерантности к напряжениям) например, этот параметр смело можно повышать до 3.3-3.4В, вот только для получения выше 3.2В в любом случае потребуется модификация блока питания. а краткие периоды в тестовых целях, при должном охлаждении, напряжения поднимают даже до 3.6-4.1В (!). Если вы не готовы рисковать памятью ради высоких результатов, повторять такие эксперименты я крайне не советую. При этом (я ориентируюсь на платформу Intel) можно получить, например, частоты выше DDR600 на памяти типа DDR500, или DDR533 с таймингами 2-5-2-2 на (опять и снова;)) Winbond BH-5.

Между прочим, ни при каких напряжениях нельзя заставить нынешние чипы DDR500 работать на этих самых DDR500 на таймингах 2-5-2-2. Сила DDR500 в высоких частотах, и используя такие модули можно лишь постараться снизить тайминги по возможности, но не в ущерб частоте!

Видеокарты, «как всегда», демонстрируют тенденции в работе памяти в самом гипертрофированном виде. Рост частот памяти для видеокарт на R300/350 наблюдался примерно до Vmem = 3.2-3.4В. При этом редкие платы (внешне ничем не отличающиеся от других!) могли повышать потенциал аж до Vmem = 3.8-4.1В, конечно с большим «риском для здоровья», но все же. А вот на Radeon 9800XT вследствие, вероятно, особенностей реализации схемы питания, выше Vmem = 2.9В никакого прироста нет.

Итого: здесь все сравнительно просто. Кроме нескольких исключений, память реагирует на повышение питающего напряжения примерно адекватным ростом тактовой частоты. Вольтмоды — одни из лучших друзей оверклокера, стремящегося получить максимум из системы.

Дизайн РСВ

С нынешним уровнем технологии, плохо изготовить сравнительно примитивную печатную плату для планки памяти будет непросто. Так что скорее стоило бы говорить о повышенных результатах при использовании особых ухищрений в дизайне, вроде серии GeiL Golden Dragon с вообще ни на что не похожей РСВ. Однако, такой «творческий подход» радикально ничего не меняет, принося лишь несколько увеличенную стабильность работы. Для оперативной памяти изыски с РСВ являются только приятным бонусом.

Зато резко негативно на разгоне сказывается наличие «усложняющих» элементов — дополнительных микросхем, имеющихся на памяти с механизмом коррекции ошибок (ECC) и регистровых (registered) модулях. Кроме падения производительности по сравнению с обычными модулями аналогичного стандарта, ECC и Registered снижают потенциал разгона. И ничего страшного в этом бы не было (кому нужен разгон серверной памяти?), если бы не AMD с ее Athlon FX. Платы на Socket 940 поддерживают установку только таких модулей — это портит жизнь оверклокерам, зато приносит прибыль производителям: в модельных рядах OCZ, Corsair, Mushkin появились совершенно нехарактерные позиции в виде «оверклокерских» регистровых модулей.

Совсем другое дело видеокарты. Здесь от дизайна PCB разгон памяти зависит очень сильно. Неряшливость разработчика может дорого стоить оверклокерам, снижая потенциал разгона.

Взять к примеру ATI Radeon 9800 Pro 256Mb, на которые устанавливают DDR-II чипы. Двухнаносекундные Samsung, прекрасно работающие на частотах 525-550(1050-1100)МГц и выше на картах GeForce FX5800/Ultra и 5700Ultra, на продукте ATI еле-еле дотягивают до 400(800)МГц, что значительно ниже даже их штатной частоты в 500(1000)МГц. Причина такого поведения — в на тяп-ляп разработанном дизайне платы, созданном для втискивания в него еще восьми 32Мб чипов. Второй пример — наш эксперимент по трансплантации на плату Radeon 9500 non-Pro (256bit) 2.5нс-чипов Hynix от GeForce FX5600Ultra вместо установленных 3.6нс Infineon. Несмотря на штатную частоту по спецификациям в 400(800)МГц, реально частоты выше 351(702)МГц мы добиться не смогли.

Итого: для разгона оперативной памяти влияние используемой PCB является факультативным фактором. А вот упрощенный (многие бюджетные карты) или некачественный (R9800Pro 256Mb) дизайн печатной платы становится серьезным препятствием на пути к большим мегагерцам.

Содержимое SPD

Пожалуй, это самый простой пункт из семи. Как известно, в EEPROM-микросхеме SPD, устанавливаемой на модули памяти, зашиты все данные про модуль. Так вот, иногда содержимое SPD может не позволить снизить тайминги ниже определенного предела. Подобные предупреждения содержатся, например, на сайте OCZ Technology, производителя «оверклокерской» памяти.

К сожалению, с этим ничего сделать невозможно. Следует просто иметь в виду, что прошитая в SPD информация бывает ограничивающим фактором.

На видеокартах SPD отсутствует и его заменяет BIOS. В нем также указываются различные условия работы памяти. Поэтому иногда можно добиться большего результата в разгоне видеопамяти, перепрошив другой BIOS. Особенно это помогает владельцам карт на чипе R300 (Radeon 9500/9700), когда на едином дизайне PCB существуют карты с множеством вариантов чипов памяти (от Infineon 3.6ns до Samsung 2.8 ns). Смена BIOS на аналогичный от карты с другими чипами в некоторых случаях помогает раскрыть потенциал чипов, повысив предел разгоняемости. Это справедливо и для других видеокарт, R300 лишь самый яркий пример. Увы, отсутствует общий принцип, по которому можно определить, что смена BIOS поможет в разгоне. Можно лишь посоветовать начинать эксперименты, если вам кажется, что память на карте работает слабовато.

Итого: на некоторых модулях прошитая в SPD информация может ограничивать минимальные тайминги, но увы, это неисправимо. При плохом разгоне памяти видеокарты следует попробовать другие версии BIOS.

Контроллер памяти

На разгон модулей оперативной памяти также влияет связка «материнская плата + процессор», а точнее — используемый контроллер памяти.

В принципе, главным образом влияние оказывает наличие двухканального доступа к памяти. В таком режиме разгонный потенциал модулей резко падает. Именно поэтому самые счастливые сегодня люди в этом плане — обладатели Athlon 64 (не-FX). Они могут получить без потери производительности (А64 все равно имеет одноканальный контроллер) высочайшую частоту работы памяти. Скажем, почти непреодолимые на двухканальной платформе Intel DDR600 (а делать такие вещи в одноканальном режиме не очень то и хочется, падение производительности очень приличное), для AMDшников особых проблем при прямых руках не составляют.

Если сравнивать разные двухканальные чипсеты, то разница разгона памяти в таком режиме между, скажем, Canterwood и nForce 2 незначительна, если только не ограничивается разгоном самого nForce 2 (выше 250МГц по системной шине этот чипсет заставили работать считанные единицы).

Еще один момент, связанный, кажется, с особенностями контроллеров памяти. На двухканальных чипсетах, особенно под платформу Intel, лучшие результаты достигаются при установке модулей в первый и третий слоты DIMM, а не во второй и четвертый. В любом случае, желательно устанавливать модули всегда в самые ближние к процессору слоты, как того позволяет конструкция материнской платы.

Видеокарт данный фактор не касается в принципе.

Итого: при двухканальном доступе к памяти предел разгона оперативной памяти снижается, что конечно же компенсируется ростом производительности.

Охлаждение

Фактор, который пошел бы одним из первых, описывая я разгон процессоров или графических ядер, во влиянии на потенциал работы современной памяти играет очень второстепенную роль.

Дело в том, что память DDR слабо реагирует на изменение температуры. Если нет серьезного перегрева, то усиленным охлаждением можно достичь лишь весьма небольших улучшений в разгоне. Особенно это заметно на оперативной памяти, которая совершенно одинаково работает с радиаторами и без таковых. Разве что на частотах от DDR550 я бы рекомендовал устроить хоть какой-нибудь обдув модулей, просто ради душевного спокойствия.