Смекни!
smekni.com

Конструирование (стр. 2 из 6)

Для конденсаторов номинальным параметром в расчете надежности считается допустимые значения напряжения на обкладках конденсатора. В большинстве схем этот параметр не указывается. Его следует выбирать исходя напряжения источника питания.

Для транзисторов номинальный параметр Рк берется и справочников.

Для диодов контролируемый параметр - величина прямого тока (из справочников).

При увеличении коэффициента нагрузки интенсивность возрастает. Она также возрастает, если элемент эксплуатируется в более жестких условиях: при повышенной температуре, влажности, при ударах и вибрациях. В стационарной аппаратуре, работающей в отапливаемых помещениях, наибольшее влияние на надежность аппаратуры имеет температура.

В таблицу 1 заносим данные из принципиальной схемы.

Таблица заполняется по колонкам. В 1-ую колонку заносится наименование элемента, его тип определяется по схеме. Часто в схемах не указывается тип конденсатора, а даётся только его ёмкость. В этом случае следует по ёмкости и выбрать подходящий тип конденсатора в справочнике. Тип элемента заносится во вторую колонку.

В колонку 4 заносится температура окружающей среды.

Далее следует заполнить колонку 6, пользуясь теми рекомендациями, которые были приведены выше.

Студенту, как правило, не известны фактические параметры элемента. Выбирать их надо, руководствуясь рекомендациями таблицы 2.1.

Таблица 2.1

Наименование элемента.

Контролируемые параметры

k нагрузки

Импульсный режим

Статический режим

Транзисторы

0,5

0,2

Диоды

0,5

0,2

Конденсаторы

0,7

0,5

Резисторы

0,6

0,5

Трансформаторы

0,9

0,7

Соединители

0,8

0,5

Микросхемы

¾

¾

Зная kн определяем фактическое значение параметра и заполняем колонки 5 и 8.

Если kн в таблицу для элемента не указано, то следует ставить прочерк или брать kн=0,5.

Колонка 7 заполняется по справочнику.

Далее определяется коэффициент влияния (a), которое показывает как влияние на интенсивность отказов окружающая элемент температура в связи с коэффициентом нагрузки. Находят (a) по таблице 2.2.

Таблица 2.2.

T°C

Значение a при k равном

0,1

0,3

0,5

0,8

1

Кремниевые полупроводниковые приборы

20

40

70

0,02

0,05

0,15

0,05

0,15

0,35

0,15

0,30

0,75

0,5

1

1

1

¾

¾

Керамические конденсаторы

20

40

70

0,15

0,30

0,30

0,30

0,30

0,50

0,35

0,50

0,75

0,65

1,00

1,5

1

1,4

2,2

Бумажные конденсаторы

20

40

70

0,35

0,50

0,7

0,55

0,60

1,0

0,70

0,80

1,4

0,85

1,00

1,8

1,0

1,2

2,3

Электролитические конденсаторы

20

40

70

0,55

0,65

1,45

0,65

0,80

1,75

0,75

0,90

2,0

0,90

1,1

2,5

1,0

1,2

2,3

Металлодиэлектрические или металлооксидные резисторы

20

40

70

0,40

0,45

0,50

0,50

0,60

0,75

0,65

0,80

1,00

0,85

1,1

1,5

1,00

1,35

2

Силовые трансформаторы

20

40

70

0,40

0,42

1,5

0,43

0,50

2

0,45

0,60

3,1

0,55

0,90

6,0

1

1,5

10,00

Колонка 10 заполняется из соответствующей таблицы 2.3. (интенсивность отказов lо для температуры +20°С).


Наименование

Тип

Кол-во

Температура окруж. среды

Фактическое значение параметра

Номинальное значение параметра

Конструктивная характеристика

Κ

α

λ0·10-6 1/час

λi= α· λ0·10-6

λс= λi·n·10-6

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

Транзистор

КТ315Б

1

40ºС

РФ=100мВт

РН=300мВт

Кремниев

0,3

0,2

0,5

0,1

0,1

КТ361Б

1

РФ=100мВт

РН=300мВт

0,3

0,2

0,5

0,1

0,1

КТ3102А

8

РФ=100мВт

РН=300мВт

0,3

0,2

0,5

0,1

0,8

КТ3107И

1

РФ=100мВт

РН=300мВт

0,3

0,2

0,5

0,1

0,1

МП37А

1

РФ=100мВт

РН=300мВт

Герман.

0,3

0,2

0,5

0,1

0,1

Резистор

МЛТ 0,125

33

РФ=80мВт

РН=125мВт

Метал-оксидные

0,5

0,8

0,043

0,034

1,12

Конденсатор

КМ-5Б

13

UФ=9В

UН=50В

Керамич.

0,1

0,3

0,15

0,06

0,78

К50-35

8

UФ=9В

UН=25В

Электрол.

0,3

0,5

0,5

0,25

2,0

Диод

КД522А

3

IПФ=10мA

IПТ=30мA

Кремниев

0,5

0,3

0,05

0,015

0,045

АЛ147А

2

¾

¾

0,5

0,3

0,1

0,03

0,06

КД213А

4

IПФ=0,5A

IПТ=3A

0,2

0,1

0,1

0,01

0,04

КД105Б

4

IПФ=0,2A

IПТ=1A

0,2

0,1

0,1

0,01

0,04

АЛС331А

1

¾

¾

0,5

0,5

0,1

0,05

0,05

КУ202Н

1

IПФ=0,5A

IПТ=2A

0,4

0,3

0,1

0,03

0,03

ФД263

1

¾

¾

0,5

0,5

0,1

0,05

0,05

Трансформатор

ТС-20

1

¾

¾

¾

0,5

0,5

4,2

2,1

2,1

Микросхема

¾

3

¾

¾

¾

0,5

0,5

0,013

0,006

0,018

Пайка

¾

¾

¾

¾

¾

¾

¾

0,03

0,015

0,3

Таблица 2.3.