Для лабораторных условий:
, , , , = 1,0.Среднее время наработки на отказ Tср, вычисляется по формуле:
(3.10)Полученное время превышает заданную наработку на отказ (10 000 ч).
Вероятность безотказной работы устройства за время t по формуле:
P(t)=еxp(-λизд*t)=exp(-t/Tср). (3.11)
Вероятность безотказной работы для времени, t=5000ч.:
P(t) = 0,9995
Полученные результаты говорят о высокой надежности сконструированного преобразователя.
График зависимости вероятности безотказной работы от времени представлен на рисунке 28.
Рисунок 28.Зависимость вероятности безотказной работы от времени эксплуатации
Вывод: Полученное среднее время наработки до отказа превышает указанное в техническом задании, следовательно, требования по надежности выполняются.
3.4.2 Расчет теплового режима
Практически все радиоэлементы схемы излучают тепловую энергию. Резисторы рассеивают тепло, выделяющееся в их резистивном слое. Транзисторы рассеивают тепло, выделяющееся в их коллекторном переходе. Конденсаторы нагреваются из-за потерь в диэлектрике. В какой-то степени нагреваются даже соединительные провода и проводники на печатной плате.
При конструировании устройств процессы теплообмена должны рассматриваться на всех уровнях компоновки — от функциональных узлов до многоблочных конструкций и отсеков. Выбор систем охлаждения каждого уровня должен проводиться с учетом возможности отвода теплоты и наличия фоновых перегревов на более высоком конструктивном уровне. Поэтому, если это возможно, тепловое проектирование следует начинать с верхних уровней и при переходе на более низкий иметь для рассматриваемого модуля достоверную информацию о тепловых воздействиях со стороны других модулей .
Расчёт теплового режима необходим, т.к. он позволяет определить надёжность функционирования наиболее критичных к температуре радиоэлементов, позволяет проконтролировать их тепловой режим и не допустить их перегрева.
Определение мощности, выделяющейся радиоэлементами внутри аппарата, является сложной задачей, так как тепловыделение отдельного элемента зависит от большого количества факторов. Так, для цифровых микросхем потребляемая ими мощность сильно зависит от частоты работы. Для аналоговых микросхем рассеиваемая мощность определяется параметрами входных и выходных сигналов (током и напряжением). Для диодов и транзисторов, работающих в импульсном режиме, тепловыделение определяется параметрами протекающих токов (длительность импульса, амплитуда импульса тока, скважность, форма импульса и др.). Для элементов источника питания тепловыделение сильно меняется при изменениях напряжения в питающей сети и при изменениях тока нагрузки. Тепловыделение конденсаторов и индуктивностей также зависит от формы импульсов тока и напряжения, параметров диэлектрика. [18]
Определим температуру корпуса.
1. Рассчитаем площадь внешней поверхности устройства:
, (3.12)где
и - габаритные размеры корпуса блока. (м2)2. Рассчитываем удельную поверхностную мощность корпуса:
, (3.13)где
- мощность, рассеиваемая устройством, Вт. (Вт/м2).3. Задаемся значением перегрева корпуса в первом приближении ∆tk = 0,1oC.
4. Определяем коэффициент лучеиспускания для верхней aл.в, боковой aл.б и нижней aл.н поверхностей корпуса :
, (3.14)
где
- степень черноты i-ой наружной поверхности корпуса зададимся значением = 0,92);5. Рассчитаем определяющую температуру:
, (3.15) (oC).5. Для определяющей температуры рассчитываем число Грасгофа Grдля каждой поверхности корпуса:
где
- коэффициент объемного расширения ( ); - ускорение свободного падения, м/с2; - кинетическая вязкость газа (для воздуха); - определяющий размер i-ой поверхности.6. Определяем число Прандтля Prдля определяющей температуры
: Pr =0,702.7. Находим режим движения газа или жидкости, обтекающих каждую поверхность корпуса:
( Gr×Pr)m£ 5× 10 2- режим переходный к ламинарному;
5×10 2£ (Gr×Pr)m£ 2× 10 7 - ламинарный режим;
( Gr×Pr)m³ 2× 10 7- турбулентный режим
Gr×Pr =5,218× 10 7 - турбулентный режим
8. Рассчитываем коэффициенты теплообмена конвекцией для каждой поверхности корпуса блока
: , (3.17)где
- теплопроводность газа (для воздуха);- коэффициент, учитывающий ориентацию поверхности корпуса:
. . .