Перетворювач ємність - тривалість імпульсу (стр. 3 из 5)

=(0,8...0,9) , (3)

=12 (В).

Для операційного підсилювача

(10...20) , (4)

0,6 (МГц).

Спираючись на проведені розрахунки обираємо ОП типу 140УД24.

Основні параметри ОП:

мВ

мкВ/с

нА

нА

В

В

мА

В

дБ

В

В

Ом

кОм

пФ

МГц

2.4 Попередній розрахунок ПП

В якості підсилювача потужності використано комплементарний емітерний повторювач. Принцип дії: VT4 відкритий і працює як емітерний повторювач коли на вході каскаду позитивний сигнал. У цей час VT5 закритий. При негативному сигналі навпаки. Тому електричний розрахунок будемо проводити лише для одного транзистора. Початкові дані:

, R_н=10 Ом. Знайдемо максимальний допустимий струм

І_max =

, (5)

І_max=

= 3(А).

Розрахуємо максимальну вихідну потужність

Р_max=U_max·I_max,(6)

Р_max=30·3=90 (Вт).

Задамось умовою

На основі розрахунків оберемо транзистори VT4 та VT5 таких номіналів: КТ819ВМ n-p-n: КТ818ВМ p-n-p:

=100 Вт =100 Вт

=15 А =15 А

=60 В =60 В

=20 =20

=3 МГц =3 Мгц

=1 В =1 В

=5 А =5 А

Дані транзистори цілком задовольняють умовам.

Оберемо діоди VD1 та VD2.

Основні параметри:

=0,3 А

=1 А

=10 мкс

=1 мкА

=50 В

=0,3 А

f=200 кГц

C=2,5 пФ

Заданим параметрам відповідає діод типу КД130АС, що цілком задовольняє умовам.

2.5 Попередній розрахунок ПН

Визначимо коефіцієнт підсилення по напрузі:

, (7)

.

де V_{вих max} – максимальна вихідна напруга;

V_{вх max} - максимальна вхідна напруга.

Коефіцієнт підсилення ПН на БТ:

, (8)

.

де V_{вих max} – максимальна вихідна напруга;

V_{ОП min} – мінімальна напруга на операційному підсилювачу.

Отже сигнал на виході підсилювача матиме напругу 30 В, тобто підсилювач виконає підсилення амплітуди сигналу у 6,5рази.

Виберемо активний елемент підсилювача потужності спираючись на наступні дані:

Оскільки коефіцієнти підсилення транзисторів VT4 та VT5 К_пр=4дб=80, то:

Р_вх=

, (9)

Р_вх=

=0,3 (Вт).

Р_к

(Вт)

(В)

Визначимо максимальний колекторний струм

І_кмах=

, (10)

І_кмах =

(мА).

де P_k – максимальна потужність колектора;

U_max – максимальна вихідна напруга.

Заданим параметрам відповідає транзистор n-p-n типу КТ3117A

Основні параметри транзистора КТ3117A:

=300 мВт

=400 мА

=50 В

=40/200

=10 мкА

=300 мГц

=0,6 В

=500 мА

Т=-60..+100 С

Отже транзистор VT3 типу n-p-n КТ3117А.

2.6 Попередній розрахунок АМВ

Вхідні дані: f_max= 30 (кГц)

Амплітуда вихідного сигналу не повинна перевищувати 30В, тобто може бути у діапазоні від 0,5 до 30В. Нехай для даного каскаду

=5В.

Задамося напругою живлення

=(1,4...1,2) , (11)

E_ж=12 (В).

, (12)

=0,6 (МГц).

(В)

Оскільки коефіцієнти підсилення транзистора VT3 К_пр=4дб=80, то:

Р_вх=

, (13)

Р_вх =

(мВт).

Р_к

мВт

(В)

І_кмах=

, (14)

І_кмах =

(мА).

На основі розрахунків оберемо транзистори VT1, VT2 типу n-p-n КТ315Ж:

(при =10кОм) =15В