2.1 Особливості розрахунку схеми на складених транзисторах
Схема простого двотактного безтрансформаторного підсилювача наведена на рисунку 4.
Рисунок 4. Схема простого двотактового безтрансформаторного підсилювача
Складений транзистор у кінцевому каскаді, маючи високий вхідний опір, полегшує роботу передкінцевого каскаду і дозволяє одержати від нього велику амплітуду сигналу.
Методика розрахунку схеми на складених транзисторах цілком збігається з розрахунком простої схеми на комплементарних транзисторах. При цьому використовують параметри складеного транзистора, які можна визначити з наступних співвідношень:
Ом ОмНомінальне значення R3=R4=33 Ом.
Вде
параметри транзисторів VT1, VT2; параметри транзисторів VT3,VT4; напруги зсуву транзисторів VT1 і VT3.Розрахунок починається з визначення параметрів робочої точки:
В і А для режиму В. На вихідних статичних характеристиках обраних транзисторів у координатах будується лінія навантаження, що проходить через точки і -(12;0)і (0;3);
Рисунок 5.Вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ817A
Знаючи необхідну амплітуду напруги в навантаженні
, визначаємо В,За допомогою вхідної статичної характеристики обраного транзистора, визначаємо:
А,В, В, мА, А, В, В, В, В, мА; А, В;
Постійний струм бази
визначається зі співвідношення: АОцінюємо задану потужність:
ВтУ схемі з ЗК діє місцевий НЗЗ, глибина якого:
,де
Резистори R1, R2 і діод VD ставляться в схемі, якщо вихідний і перед кінцевий каскади розділені конденсатором. Тоді опори R1, R2 приймають однаковими з розрахунку:
,де
Ом мАНомінальне значення R1=R2=1200 Ом = 1,2 кОм
Розраховуємо потужність, що розсіюється:
Вт;Рисунок 6. ВАХ діода КД520
Вхідний опір дорівнює
, якщо ставиться дільник R1,VD,R2, де Ом і вхідний опір транзистора, обумовлений за вхідною характеристикою поблизу точки . Ом;Амплітуда напруги вхідного сигналу дорівнює:
,де
ВІ амплітуда вхідного струму дорівнює:
А = 17 мА;Будуємо наскрізну динамічну характеристику транзистора
. При цьому необхідно враховувати, що для безтрансформаторного каскаду , де Ом.Таблиця 1.5 Наскрізна динамічна характеристика
Точки | ||||
0 | 0 | 0 | 0,65 | 0,65 |
1 | 0,5 | 0,01 | 0,8 | 3,84 |
2 | 1 | 0,025 | 0,9 | 7,5 |
3 | 1,5 | 0,05 | 1,05 | 12,25 |
4 | 1,9 | 0,07 | 1,1 | 15,98 |
Рисунок 7. Наскрізна динамічна характеристика
За цією характеристикою визначають коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці
без обліку впливу НЗЗ.З урахуванням дії місцевого НЗЗ коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці
. Нелінійні спотворення по другій гармониці в двотактних схемах компенсуються тим краще, чим менше коефіцієнт асиметрії струму (Х) у плечах схеми. У залежності від точності застосовуваних елементів і розкиду параметрів транзисторів Х=0,1…0,5. Тоді і, з обліком НЗЗ, . Повний коефіцієнт гармонік дорівнює: ;Ємність розділового конденсатора (при його наявності) визначається за припустимою величиною лінійних спотворень
(у відносних одиницях) на частоті . Величина лінійних спотворень: ;