Смекни!
smekni.com

Підсилювач потужності (стр. 3 из 6)

2.1 Особливості розрахунку схеми на складених транзисторах

Схема простого двотактного безтрансформаторного підсилювача наведена на рисунку 4.

Рисунок 4. Схема простого двотактового безтрансформаторного підсилювача

Складений транзистор у кінцевому каскаді, маючи високий вхідний опір, полегшує роботу передкінцевого каскаду і дозволяє одержати від нього велику амплітуду сигналу.

Методика розрахунку схеми на складених транзисторах цілком збігається з розрахунком простої схеми на комплементарних транзисторах. При цьому використовують параметри складеного транзистора, які можна визначити з наступних співвідношень:

Ом

Ом

Номінальне значення R3=R4=33 Ом.

В

де

параметри транзисторів VT1, VT2;

параметри транзисторів VT3,VT4;

напруги зсуву транзисторів VT1 і VT3.

Розрахунок починається з визначення параметрів робочої точки:

В і
А для режиму В. На вихідних статичних характеристиках обраних транзисторів у координатах
будується лінія навантаження, що проходить через точки
і
-

(12;0)і (0;3);



Рисунок 5.Вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ817A

Знаючи необхідну амплітуду напруги в навантаженні

, визначаємо
В,

За допомогою вхідної статичної характеристики обраного транзистора, визначаємо:

А,

В,
В,

мА,

А,

В,
В,

В,
В,

мА;
А,

В;

Постійний струм бази

визначається зі співвідношення:

А

Оцінюємо задану потужність:

Вт

У схемі з ЗК діє місцевий НЗЗ, глибина якого:

,

де

Резистори R1, R2 і діод VD ставляться в схемі, якщо вихідний і перед кінцевий каскади розділені конденсатором. Тоді опори R1, R2 приймають однаковими з розрахунку:

,

де

Ом

мА

Номінальне значення R1=R2=1200 Ом = 1,2 кОм

Розраховуємо потужність, що розсіюється:

Вт;

Діод вибирають таким, щоб спадання напруги на ньому складало
В, при струмі
мА. Вибираємо два діода типу

Рисунок 6. ВАХ діода КД520

Вхідний опір дорівнює

, якщо ставиться дільник R1,VD,R2, де
Ом і
вхідний опір транзистора, обумовлений за вхідною характеристикою поблизу точки
.

Ом;

Амплітуда напруги вхідного сигналу дорівнює:

,

де

В

І амплітуда вхідного струму дорівнює:

А = 17 мА;

Будуємо наскрізну динамічну характеристику транзистора

. При цьому необхідно враховувати, що для безтрансформаторного каскаду

, де
Ом.

Таблиця 1.5 Наскрізна динамічна характеристика

Точки
0 0 0 0,65 0,65
1 0,5 0,01 0,8 3,84
2 1 0,025 0,9 7,5
3 1,5 0,05 1,05 12,25
4 1,9 0,07 1,1 15,98

В,

В,

В,

В,

В;

Рисунок 7. Наскрізна динамічна характеристика

За цією характеристикою визначають коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці

без обліку впливу НЗЗ.

З урахуванням дії місцевого НЗЗ коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці

. Нелінійні спотворення по другій гармониці в двотактних схемах компенсуються тим краще, чим менше коефіцієнт асиметрії струму (Х) у плечах схеми. У залежності від точності застосовуваних елементів і розкиду параметрів транзисторів Х=0,1…0,5. Тоді
і, з обліком НЗЗ,
. Повний коефіцієнт гармонік дорівнює:

;

Ємність розділового конденсатора (при його наявності) визначається за припустимою величиною лінійних спотворень

(у відносних одиницях) на частоті
. Величина лінійних спотворень:
;