что превышает требуемый коэффициент усиления.
IЭ0=3мА=3×10-3А,
Y21 0=0,11,IБ0=0,06мА=60мкА,
IК0≈3мА=3×10-3А.
Напряжение база-эмиттер в рабочей точке UБЭ0≈0,7В.
Напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке UКЭ0=5В.
Выбираю резистор номиналом 820 Ом.
Напряжение на резисторе:
UЭ=IЭ×RЭ,
UЭ=3×10-3×820=2,46В.
где IД - ток делителя, IД=6 IБ0=6×0,06×10-3=3,6×10-4А.
Принимаю значение резистора RД1 номиналом 20кОм по шкале Е24.
Сопротивление подстроечного резистора выбираю из соображений обеспечения регулировки тока базы в диапазоне ±35%:
, .Принимаю значение резистора RД22 по шкале Е12 номиналом 6,8кОм.
Сопротивление постоянного резистора делителя:
RД21=RД2-0,5×RД22,RД21=8780-0,5×6800=5380Ом.
Принимаю значение резистора RД21 номиналом 5,6кОм.
Входное сопротивление усилителя:
, .Расчёт коллекторной цепи транзистора будет выполнен после определения параметров нагрузки, которой является ограничитель усиления следующего каскада ЛУПЧ.
где ЕИ - напряжение источника смещения, в данном случае источника питания;
UПОР - пороговое напряжение диодов, для кремниевых диодов UПОР≈0,7В;
Iдиод - ток через диоды ограничителя, Iдиод=5×10-4А.
Принимаю значение R=680Ом по шкале Е24.
R~
,R~
.Rf=R~×(KЛ-1),
Rf=260×(6,81-1) =1511Ом.
Выбираю номинал резистора Rf по шкале Е24 1,5кОм.
Разделяю сопротивление RS на два резистора, один из которых подстроечный. Он должен обеспечить регулировку напряжения ограничения в пределах ±20%.
Сопротивление подстроечного резистора:
RS2=0,4×RS,
RS2=0,4×25400=10160Ом.
Выбираю номинал подстроечного резистора по шкале Е12 величиной 10кОм.
Сопротивление постоянного резистора:
RS1=RS-0,5 RS1,RS1=25400-0,5 10000=20400Ом.
Выбираю номинал резистора по шкале Е24 величиной 20кОм.
Входное сопротивление ограничителя в режиме насыщения:
, .Среднее значение входного сопротивления ограничителя можно найти как среднее геометрическое двух значений сопротивлений:
, .Принимаю значение Rк по шкале Е24 равным 75Ом.
Принимаю значение Rф по шкале Е24 равным 1,5кОм.
XCЭ<<RЭ,
или
, .Выбираю конденсатор по шкале Е24 номиналом 130пФ.
Реактивное сопротивление конденсатора должно быть много меньше входного сопротивления следующего каскада. Ёмкость конденсаторов можно найти по формуле:
, , ,Выбираю по шкале Е24 конденсатор СР1 номинальной ёмкостью 620пФ.
Принимаю величину ёмкости Cф по шкале Е24 номиналом 1500пФ.
Входная проводимость:
g11ПР≈0,6×g11С,
где g11С - входная проводимость в режиме усиления на частоте сигнала,
g11ПР≈0,6×2,84×10-3=1,7×10-3См;
крутизна преобразования:
Y21ПР=0,25×Y21П,
Y21ПР=0,25×3,33×10-3=8,33×10-4См;
выходная проводимость:
g22ПР≈0,4×g22,g22ПР≈0,4×1×10-4=4×10-5См;
проводимость обратной связи:
Y12ПР≈0,15×Y12П,
где Y12П - проводимость обратной связи на промежуточной частоте,
Y12ПР≈0,15×(-5,65×10-5) =8,5×10-6См;
ёмкости затвор-исток, затвор-сток и сток-исток и выходная ёмкость остаются без изменений:
СЗ-И=1,5пФ,
СЗ-С=0,3пФ,
СС-И=1,1пФ,
С22И=1,4пФ.
Напряжение затвор-исток в середине рабочего участка смесителя:
UЗ-И 0=3В,
ток стока в рабочей точке смесителя:
IC 0=10мА.
Ширина рабочего участка:
2ΔUЗ-И=6В,
амплитуда гетеродина:
UГЕТm=0,5×2ΔUЗ-И,
UГЕТm=0,5×6=3В.
Действующее значение напряжения гетеродина:
, .где b- относительное изменение ёмкости, которое может быть равным 0,1…0,3;
μ - коэффициент, учитывающий степень подверженности частотной характеристики фильтров влиянию вносимых ёмкостей, для схемы на двухконтурных фильтрах μ=0,8…1,0.