Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов (стр. 4 из 4)
Imk=
(1.48) 
;Находим величину индуктивности L2 связи контура с базой транзистора (приложение)
L2=KсвLk (1.49)
;Определяем величину индуктивности связи контура с коллектором транзистора
L1=Lk-L2 (1.50)
;4. Анализ схемы (разработка математической модели) на ЭВМ
Анализ схемы с рассчитанными параметрами произведем, используя программное приложение ElectronicsWorkbenchV5.12. В схеме использовался источник постоянного напряжения и осциллограф.
Сигнал, полученный на осциллографе, представлен в приложении.
Из этих рисунков видно, что форма полученного сигнала имеет форму синусоиды, частота которой не сильно отличается от заданной в ТЗ (5000750Гц).
Выводы
В результате выполнения курсовой работы был спроектирован высокочастотный генератор синусоидальных сигналов в соответствии с ТЗ.
Поскольку применение генераторов с колебательными контурами (типа RC) для генерирования колебаний высокой частоты не удовлетворяет, для разрабатываемого генератора была взята схема типа LC(в качестве фазирующей цепочки взята трехточечная схема с автотрансформаторной связью, активный элемент - транзистор).
После расчета выбранной схемы был произведен ее анализ (разработана математическая модель) в ElectronicsWorkbench. На осциллографе, включенном на выходе рассчитанного генератора, синусоидальный сигнал с частотой f = 5000750Гц, что соответствует отклонению в ТЗ.
При нагрузке 2 кОм выходная мощность генератора составляет 0,225 Вт.
Техническая документация (перечень элементов) представлена в приложении.
Список использованной литературы
1. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. – Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983. – 240 с.
2. Бондаренко В.Г. LC-генераторы синусоидальных колебаний. М., “Связь”, 1976. – 208 с. с ил.
3. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы низкочастотные. Справочник. В 4 т. Т.2. Издание второе, исправленное. – М.: ИП РадиоСофт, 1999. – 544 с., ил.
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
| Поз.Обозна-чение | Наименование | Кол | Примечание |
| Конденсаторы | |||
| С1 | КМ-6–1нФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С2 | К50 –400мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С3 | КМ-6–85пФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С4 | К50 –100мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| Катушки индуктивности | |||
| L1 | 11,22 мкГн | 1 | |
| L2 | 0.08 мкГн | 1 | |
| Резисторы ГОСТ 7113–77 | |||
| R1 | МЛТ– 0.125 – 340 кОм ± 5% | 1 | |
| R2 | МЛТ– 0.125 – 720 кОм ± 10% | 1 | |
| R3 | МЛТ– 0.25– 100 Ом ± 5% | 1 | |
| Транзистор | |||
| VT1 | КТ668В (BС393) | 1 |