Проектирование ГИС и расчет элементов узлов детектора СВЧ сигналов (стр. 6 из 6)
3)Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.
,где р=0.3 — перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)
4)Определяем геометрические размеры диэлектрика.
где f=0.2 — перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).
5)Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.
Вывод: в данных расчетах были приведены расчеты для двух групп конденсаторов, они должны наноситься по макс. габаритным параметрам для последующей подгонки.
Выбор корпуса
Корпус предназначен для защиты микросхемы от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов (температуры , влажности , солнечной радиации, пыли, агрессивных химических и биологических сред и т.д.)
Конструкция корпуса должна удовлетворять следующим требованиям: надежно защищать элементы и соединения микросхемы от воздействий окружающей среды и, кроме того, обеспечивать чистоту и стабильность характеристик материалов, находящихся в непосредственном соприкосновении с кристаллом полупроводниковой микросхемы или платой гибридной микросхемы, обеспечивать удобство и надёжность монтажа и сборки микросхемы в корпус; отводить от неё тепло; обеспечивать электрическую изоляцию между токопроводящими элементами микросхемы и корпусом; обладать коррозийной и радиационной стойкостью; обеспечивать надежное крепление, удобство монтажа и сборки корпусов в составе конструкции ячеек и блоков микроэлектронной аппаратуры, быть простой и дешёвой в изготовлении, обладать высокой надёжностью.
Так как наша микросхема будет использоваться в военной промышленности, то целесообразней выбрать корпус. Этот тип корпуса способен обеспечить работу микросхемы в широком диапазоне температур, а так же способен защитить от различного рода физических и химических воздействий. Корпус будет заполнен инертным газом, для предотвращения коррозии. Корпус будет иметь прямоугольную форму, выводы будут располагаться по двум сторонам корпуса.
Заключение
В ходе выполнения курсовой работы были освещены вопросы конструирования и производства толстоплёночных гибридных интегральных схем (ГИС):
1. Порядок расчёта толстоплёночных пассивных компонентов, в частности: толстоплёночные резисторы и толстоплёночные конденсаторы.
2. Были изучены материалы, с помощью которых изготавливаются толстоплёночные ГИС, в частности пасты (фритты) для получения: материалы для плат, проводящих слоёв, резистивных элементов, плёночных конденсаторов.
3. Технологический процесс изготовления толстоплёночных ГИС, в частности: нанесение паст их последующая термообработка, установка выводов, установка полученной платы с выводами в корпус. Также были изучены наиболее применяемые типы корпусов.
1. Коледов Л.А. - Конструирование и технология микросхем. М.: Высшая школа, 1984.
2. В.Г. Барышев, А.А. Столяров Методические указания. Издательство: КФ МГТУ 1987г.
3. А.В. Нефедов, В.И. Гордеева – Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. М.: Радио и связь, 1990.
4. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. / Б. Ф. Бессарабов, В. Д. Федюк, Д. В. Федюк – Воронеж: ИПФ “Воронеж”, 1994 г.
5. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справ. пособие/ Э. Т. Романычева, А. К. Иванова, А.С. Куликова, Т. П. Новикова. – М.: Радио и связь, - 1984. – 256 с., ил.
6. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1983.
7. Пономарёв М.Ф. Конструкции и расчёт микросхем и микроэлементов ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982.
8. Конструирование и расчёт больших гибридных интегральных схем, микросборок и аппаратуры на их основе. Под ред. Б.Ф. Высоцкого, М.: Радио и связь, 1981.
9. http://www.fips.ru/