Смекни!
smekni.com

Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003 (стр. 4 из 10)

Рисунок 3.14 – Тестовая схема 2.


Таблица 3.1 – Напряжения на выводах ИМС.

Номер вывода Обозначение Содержание Напряжение на выводе (В).
AM ЧM
1 FMRFIN Вход усилителя радиочастоты ЧМ-сигнала 0 0.7
2 GND 1 Общий 1 для каскадов УРЧ, генераторов, смесителей 0 0
3 FMMIX Выход смесителя ЧМ-сигнала 0.4 1.7
4 AMMIX Выход смесителя АМ-сигнала 0.6 0
5 AGC Фильтр АРУ АМ-сигнала 0 0
6 VCC 3.0 3.0
7 AM IF IN Вход усилителя промежуточной частоты АМ-сигнала 3.0 3.0
8 FM IF IN Вход усилителя промежуточной частоты ЧМ-сигнала 3.0 3.0
9 GND 2 Общий 2 для каскада ПЧ 0 0
10 QUAD ЧМ-детектор (4-х квадрантный аналоговый перемножитель) 2.5 2.2
11 DETOUT Выход для ЧМ/AM детектора 1.4 1.1
12 AMOSC Генератор АМ-сигнала с выводами для подключения внешнего контура 3.0 3.0
13 FMOSC Генератор АМ-сигнала с выводами для подключения внешнего контура 0.9 3.0
14 AM/FM SW Переключатель АМ/ЧМ-режимов 0.9 3.0
15 FM RF OUT Вывод для подключения внешнего резонансного контура ЧМ-сигнала 3.0 3.0
16 AM RF IN Вход УРЧ АМ-сигнала 3.0 3.0

Таблица 3.2 - Основные электрические характеристики ИМС

Характеристика Обозначение Тестовая схема Условие проверки Мин Тип. Макс Ед.изм.
Источник тока ICC(FM) 1 FM режим, VIN = 0 10.5 16.5 mA
ICC (AM) 1 AM режим , Vin = 0 5.0 8.0
F/E Напряжение ограничения входного сигнала VIN(LIM) 1 - 3dB предельная точка 12 dBuV
Номинальная чувствительность Qs 1 S/N = 30dB 12 dBuV
Уровень сигнала генератора (АМ и ЧМ трактов) VOSC 2 FOSC=108MHz 160 240 320 mVrms
Напряжение выключения генератора (уровень UПИТ) Vstop (FM) 2 VIN=0 1.2 V
FM IF Напряжение ограничения входного сигнала VIN(LIM) IF 1 - 3dB предельная точка 42 47 52 dBuV
Номинальный уровень выходного сигнала VOD 1 VIN=80dBuV 50 70 90 mVRMS
Отношение сигнал/шум S/N 1 VIN=80dBuV 62 dB
Общий коэффициент нелинейных искажений THD 1 VIN=80dBuV 0.4 %
Коэффициент подавления АМ-сигнала AMR 1 VIN=80dBuV 33 dB
AM Коэффициент усиления по напряжению GV 1 VIN=27dBuV 15 32 50 mVrms
Номинальный уровень выходного сигнала VOD 1 VIN=60dBuV 35 60 85 mVrms
Отношение сигнал/шум S/N 1 VIN=60dBuV 43 dB
Общий коэффициент нелинейных искажений THD 1 VIN=60dBuV 1.0 %
Напряжение выключения генератора (уровень UПИТ) VSTOP(AM) 1 VIN=0 1.6 V

Промоделируем работу некоторых каскадов с помощью пакета программ проектирования электронных схем Orcad 9.2.

На рисунке 3.15 приведена схема электрическая принципиальная усилителя промежуточной частоты ЧМ–сигналов. На рисунке 3.16 – диаграммы его работы.

Рисунок 3.15 – Усилитель промежуточной частоты ЧМ–сигналов (FMIF).

Рисунок 3.16 – Диаграммы работы усилителя промежуточной частоты ЧМ–сигналов.

На рисунке 3.17 приведена схема электрическая принципиальная гетеродина АМ–сигналов. На рисунке 3.18 – диаграммы его работы.

Рисунок 3.17 – Гетеродин для смесителя АМ–сигналов (AMOSC).

Рисунок 3.18 – Диаграмма работы АМ–гетеродина.

На рисунке 3.19 приведена схема электрическая принципиальная гетеродина ЧМ–сигналов. На рисунке 3.20 – диаграммы его работы.


Рисунок 3.19 – Гетеродин для смесителя ЧМ–сигналов (FMOSC).

Рисунок 3.20 – Диаграмма работы ЧМ–гетеродина.

На рисунке 3.21 приведена схема электрическая принципиальная усилителя промежуточной частоты АМ–сигналов. На рисунке 3.22 – диаграммы его работы.

Рисунок 3.21 – Усилитель промежуточной частоты АМ–сигналов (AMIF).


Рисунок 3.22 – Диаграммы работы усилителя промежуточной частоты АМ–сигналов.

На рисунке 3.23 приведена схема электрическая принципиальная смесителя ЧМ–сигналов. На рисунке 3.24 – диаграммы его работы.

Рисунок 3.23 – Смеситель ЧМ–сигналов (FMMIX).

Рисунок 3.24 – Диаграммы работы смесителя ЧМ–сигналов.


4. Разработка физической структуры кристалла и технологического маршлута изготовления ИМС

Схема электрическая принципиальная разработана на основе биполярных транзисторов, поэтому примем структуру кристалла изготовляемую по стандартной эпитаксиально - плонарной биполярной техпологии.

Для уменьшения площади кристалла ИМС в структуре предусмотреим двустороннюю разделительную диффузию. Для создания конденсаторов на основе МДП структуры необходимо предусмотреть наличие слоя Si3N4 под металической обкладкой.

Учитывая тот факт что разрабатаваемая ИМС – АМ-ЧМ приемник, следовательно транзисторы используемые в схеме должны работать на высоких частотах. Для работы транзистора на высоких частотах он должен иметь тонкую активную базу, для чего необходимо уменьшить глубину ее залегания. Уменьшение же глубины залегания базовой области достигается только снижением уровня лигирования.

В связи с тем, что базовая область будет иметь низкий уровень лигирования, необходимо предусмотреть область p-типа проводимости, которая обеспечит хороший контакт к базовой области. Для создания этой дополнительной области не будем вводить новых технологических операций, а используем разделительную диффузию.

При разработке физической структуры также необходимо учитывать что изготавливаться данная ИМС будет на предприятии ОАО “Микрон”. Поэтому будем придерживаться тех параметров структуры которые наиболее отработана на предприятии и хорошо конролируются.

Изобразим структуру кристалла разработанную с учетом вышеперечисленных особенностей. Так как самым сложным элементом структуры является n-p-n – транзистор, то приведем именно его структуру. (рисунок 4.1).

HЭ – толщина эпитаксиального слоя;

XjБ – глубина залегания базовой области;

XjБ1 – глубина залегания глубокой базы;

XjЭ – глубина залегания базовой области;

XjСС – глубина залегания скрытого слоя;

XjРСС – глубина залегания скрытого р-слоя.

Рисунок 4.1 – Физическая структура ИМС.

В состав ИМС входят следующие элементы:

а) NPN - транзисторы;

б) PNP - транзисторы горизонтальные;

в) резисторы на активной базе;

г) МДП емкость.

Используя данные обо всех элементах используемых в схеме ИМС и слоях необходимых для создания данных элементов, разработаем технологический маршрут изготовления ИМС.

Технологический маршрут

0. Исходный материал КДБ 10 (111)

1. Окисление

2. ОПФЛ “Метки”

3. 1ПФЛ “N+скр. слой”

4. ЖХТ +снятие Ф/Р.

5. Травление микрорельефа.

6. Диффузия сурьмы 1,2 стадии.

7. Окисление 0.27 мкм.

8. ПФЛ “Р+скр. слой”

9. И.Л. бора+отжиг.

10. Эпитаксия 4мкм.

11. Окисление 0.27 мкм.

12. ПФЛ “Метки-2”.

13. ПХТ меток.

14. Травление SiO2.

15. Окисление 0.27 мкм.

16. ПФЛ “N+емкость”.

17. Диффузия глубокого коллектора.

18. Окисление 0.3 мкм.

19. ПФЛ пассивная база.

20. И.Л. пассивная база.

21. Отжиг пассивной базы.

22. П.Ф.Л. “Активная база”.

23. И.Л. Активная база.

24. Отжиг базы 1.

25. П.Ф.Л. “Жесткая маска Si3N4.

26. П.Х.Т. Ж.М. SiO2 до Si.

27. Отжиг базы 2.

28. П.Ф.Л.”Технологический эмиттер”.

29. И.Л. фосфора 50/800.

30. Отжиг эмиттера.

31. Осаждение Si3N4.

32. П.Ф.Л.”Контактные окна”.

33. П.Х.Т.”Контактные окна”.

34. Подгонка Вст., контроль Вст.

35. Напыление Al-Si; 0,45мкм.

36. П.Ф.Л. “Ме-1” + Ж.Х.Т

37. Осаждение И.Д.

38. П.Ф.Л. И.Д.+П.Х.Т. И.Д.

39. Напыление “Ме-2” - Al-Si1,4мкм.

40. П.Ф.Л. “Ме-2”+Ж.Х.Т. “Ме-2”.

41. Осаждение пассивации.

42. П.Ф.Л. пассивации + П.Х.Т.

43. Вжигание +контроль В.А.Х.2

Параметры физической структуры разрабатываемой ИМС приведены в таблице 4.1.

Таблица 4.1 - Параметры физической структуры

Слой № литографии Область структуры Параметр Единица измерения Значение
Mин. Тип. Мaк.
Н1 p- подложка <111> rv Ом´см 10
Н2 1 n+ СС Rs Ом/кв. 15 20 25
Xj мкм 4.0 5.0 6.0
Н3 6 Р+ База Rs* Ом/кв. 30 50
Xj мкм 2 3
H4 Эпитаксия Толщина Hэ мкм 3.5 4.0 4.5
rv Ом´см 0.85 1.0 1.15
H5 2 Глубокий коллектор Rs Ом/кв. 12
Xj мкм 4.0 4.5 5.0
Н6 6 Р+ База Rs* Ом/кв. 200 220 240
Xj мкм 2 3
Н7 7 База Rs Ом/кв. 660 700 760
Xj мкм 0.7 1.2
H8 11 Эмиттер Rs Ом/кв 12 15 18
Xj мкм 0.35 0.4 0.45
Н9 SiO2 :
N пленкой DSiO2 мкм 0.3
Базовыми обл. D SiO2 мкм 0.3
Эмиттерными обл. DSiO2 мкм 0.3
Н10 Si3N4 D Si3N4 A 240 290
H11 12 Металл 1 AL+Si D Me1 мкм 0,45
H12 13 Изолирующий диэлектрик D SiO2 мкм 1
H13 14 Металл 2 Al+Si D Me2 мкм 1.4
H14 15 Пассивация DSiO2 мкм 1

Электрические параметры элементов ИМС для разработанной физической структуры, изготовленной по вышеуказанному технологическому маршруту приведены в таблице 4.2.