Таблица 4.2 - Электрические параметры элементов
Элементы | Параметры | Нижний предел | Типовое | Верхний предел |
NPN транзистор | Коэффициент усиления Iк=10мкA | 100 | 150 | 200 |
Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA | 10 В | – | 20 | |
Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA | 6.2 В | 6.5 В | 6.8 В | |
Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA | 0.67 В | 0.69 В | 0.71 В | |
Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA | 30 В | – | 40 | |
Напряжение пробоя К-П I=10 мкA | 30 В | – | – | |
PNP транзистор | Коэффициент усиления Iк=100мкAUкэ=5В | 30 | – | – |
Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA | 15 В | – | – | |
Резисторы на базе | Поверхностное сопротивление | 700Ом/кв | 760Ом/кв | 820Ом/кв |
Конструктивно-топологические ограничения (вариант ПФЛ).
N+скрытый слой.
Минимальная ширина - 5.0 мкм.
Глубокий коллектор.
Минимальный размер - 2.5мкм.
Разделение.
Минимальная ширина - 4.0 мкм;
минимальное расстояние до N+СС - 6.0 мкм;
минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.
Р+база.
Минимальная размер - 2.0 мкм;
минимальное расстояние (в том числе база PNP) - 3.5 мкм;
минимальное расстояние до разделения - 4,0 мкм;
минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.
База.
Минимальный размер - 6.0 мкм;
минимальное расстояние - 4.0 мкм;
минимальное расстояние до разделения - 4.0 мкм;
минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.
Эмиттер.
Минимальный размер - 3.0 мкм;
минимальное расстояние - 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы - 1.5 мкм;
минимальное расстояние от Р+ базы до эмиттера - 1.5 мкм.
Емкость.
Минимальный размер - 5.0 мкм;
минимальное расстояние емкость – эмиттер - 1.0 мкм.
Контактные окна.
Минимальный размер - 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы, резисторов - 1.0 мкм;
минимальное расстояние до эмиттера - 0.5 мкм;
минимальное расстояние до коллектора - 0.0 мкм.
Металл 1.
Минимальная ширина - 3.0 мкм;
минимальное расстояние - 2.8 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон - 1.0 мкм.
Изолирующий диэлектрик (ИД).
Минимальный размер окон в ИД - 3.0 мкм;
минимальное расстояние металл 1- окно в ИД - 1.0 мкм.
Металл 2.
Минимальная ширина - 5.0 мкм;
минимальное расстояние - 5.0 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон ИД - 2.0 мкм.
Пассивация.
Размер контактной площадки по металлу 1 - 94´94мкм;
расстояние от края окна в пассивации до металла КП - 10 мкм;
расстояние между контактными площадками - 40 мкм.
5. Разработка топологии ИМС
5.1 Разработка библиотеки элементов
Разработку топологии проектируемой ИМС проведем с помощью пакета программ проектирования топологии ПАРОМ. В качестве исходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМС TA2003 и проектные нормы на разработку топологии.
На первом этапе проектирования произведем замеры геометрических размеров областей образующих элементы ИМС TA2003 и исследуем их конфигурации. Используя полученные сведения о размерах и конфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотека представляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержит топологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются из соответствующих файлов библиотеки.
Итак библиотека элементов приведена на рисунках 5.1 - 5.8.