| Микросхема | Объем внутренней памяти программ, Кбайт | Тип памяти | Объем внутренней памяти данных, байт | Максимальная частота тактовых сигналов, МГц | Потребляемый ток, мА |
| КР1816ВЕ31 | - | Внеш. | 128 | 12 | 150 |
| КР1816ВЕ51 | 4 | ПЗУ | 128 | 12 | 150 |
| КР1816ВЕ751 | 4 | ППЗУ | 128 | 12 | 220 |
| КР1830ВЕ31 | - | Внеш | 128 | 12 | 18 |
| КР1830ВЕ51 | 4 | ПХУ | 128 | 12 | 18 |
В качестве диодов VD1 ÷ VD4, VD5 ÷ VD8 выберу диод типа КД202В, имеющий параметры: Uобр max (диода) = 70 В, Iср. пр(диода) = 5 А, Iпр max(диода) = 5 А, Uпр (диода) = 0,9 В.
Выберу конденсаторы из ряда Е24:
С1, С2 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С3 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С4 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
C5, C6 – КТ4-21-100 В – 20 пФ±20%;
C7 - К-50-31- 40 В- 10 мкФ ±20%;
C8 – К-53-1- 30 В- 0.1 мкФ ±20%;
C9 - К-53-25- 40 В- 2.2 мкФ ±20%;
C10 – К-53-25- 40 В- 4.7 мкФ ±20%.
В качестве трансформатора выберу трансформатор ТПП321 – 200,0 на стержневом сердечнике ПЛМ 27х40х58, имеющий параметры Sн = 200 ВА; U1 = 127/220 В; I1 = 2.03/1.15 А; I2 = 4 А; f = 50 Гц.
В качестве обмоточных проводов выберу провода ПЭВТВ-2 с диаметрами 0.8 мм и 0.21 мм.
В качестве транзисторов VT3 и VT6 выберу транзисторы КТ827А(n-p-n). Параметры транзистора: Iк max=20 А, Uкэ max=90 В, Рк maxт=125 Вт, h21Э=750, IКБО≤1mА, Тпер max=150 ˚С, Тпер max=125 ˚С
В качестве транзисторов VT1 – VT2 выберу транзистор КТ315Д (n-p-n).
Параметры транзистора: Iк max=100 mА, Uкэ max=40 В, Рк max=0.15 Вт, h21Э ≥ 20, IКБО ≤ 1 mА, Тпер max=120 ˚С, IЭБО < 30 мкА
Из ряда Е24 выберу резисторы:
R1 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R2 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R3 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R4 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R5 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R6 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R8, R13– МЛТ - 0.125- 910 Ом ±5%
R9, R14– МЛТ - 0.125- 20 кОм ±5%.
R10, R15– МЛТ - 0.125-4.3 кОм ±5%.
R11, R16 – МЛТ - 0.125-360 Ом ±5%.
R12, R17– МЛТ - 0.125 - 20 Ом ±5%.
R18 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R19 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R20 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R21 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R22 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R23 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R24 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R25 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R26 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R27 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R28 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R29 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R30 – МЛТ - 0.125- 8.2 кОм ±5%;
R31, R32, R33, R34 – МЛТ – 0.125- 4.3 кОм ±5%.
R35, R36, R37 – МЛТ – 0.125- 220 Ом ±5%.
R38 – МЛТ - 0.125- 1.6 кОм ±5%;
R39 – СП-2-2а - 0.5 - 22 кОм ±10%;
В качестве диодов VD9 ÷ VD12 выберу диоды типа КД213А имеющие параметры: Uобр max (диода) =200 В, Iср. пр(диода) =1.5 А, Iпр max(диода) =10 А, Uпр (диода)= 1В, частотный рабочий диапазон равен 50 кГц.
Исходя из параметров в качестве ключей выберу двухконтактное реле РЭС-22 типа РФ 4.500.130
В качестве транзисторов VT7 – VT8 выберу транзисторы типа КТ502А с параметрами: Iк max=150 мА; Uкэ max= 25 В; Uкэ нас= 0,6 В; Pк max = 350 мВт; β= 120.
1.3.3 Описание принципа действия
Разработанное устройство поддерживает два режима работы:
1) нормальный режим работы – нагрузка получает питание непосредственно от сети 220В;
2) аварийный режим работы - нагрузка получает питание от источника
бесперебойного питания в случае, если напряжение сети отсутствует или менее значения нижнего предела напряжения сети.
Нормальный режим работы системы резервного электропитания:
В нормальном режиме напряжение на выходе выпрямителя больше, чем напряжение с выхода аккумулятора, поэтому напряжение на выходе компаратора 1 равно +5В, что соответствует высокому уровню сигнала (лог.1) для блока управления.
В качестве блока управления используется однокристальный микроконтроллера семейства МК51 (К1816ВЕ751). Состояние лог.1 соответствует нормальному режиму работы системы резервного электропитания, а значит, блок управления формирует управляющие сигналы для ключ 1 и 2 при которых ключ 1 – замкнут), напряжение сети подается на нагрузку), а ключ 2 – разомкнут (аккумулятор отключен от инвертора).
В этом режиме происходит заряд аккумулятора, а питание микросхем устройства осуществляется от стабилизатора подключенного к аккумулятору.
Состояние сигналов на выходе компаратора 2 и 3 равно +5 В и 0 В и в данном случае блоком управления не обрабатывается.
Аварийный режим работы системы резервного электропитания:
В аварийном режиме напряжение на выходе выпрямителя меньше, чем напряжение с выхода аккумулятора, поэтому напряжение на выходе компаратора 1 равно 0 В, что соответствует низкому уровню сигнала (лог.0) для блока управления.
Состояние лог.0 соответствует аварийному режиму работы системы резервного электропитания, а значит, блок управления формирует управляющие сигналы для ключ 1 и 2 при которых ключ 1 – разомкнут (сеть отключена от нагрузки), а ключ 2 – замкнут (аккумулятор подключен к инвертору).
Так же блок управления формирует управляющие импульсные сигналы длительностью 45 мкс для ключей инвертора и включает индикатор “Аварийный режим”.
В этом режиме напряжение аккумулятора преобразуется инвертором в переменное напряжение 220 В, а питание микросхем устройства осуществляется от стабилизатора подключенного к аккумулятору.
Состояние выходов компараторов 2 и 3 отслеживается блоком управления.
В случае, если напряжение на аккумуляторе становится меньше, чем заданное опорное Uоп2, то на выходе компаратора 2 формируется лог.0 (0 В), который соответствует режиму разряженного аккумулятора (напряжение аккумулятора меньше допустимого значения) и блок управления включает индикатор “Аккумулятор разряжен”.
При появлении напряжения на выходе инвертора его пониженное значение сравнивается с фиксированным значением Uоп3. При соответствии выходного напряжения системы резервного электропитания значению 220 В на выходе компаратора 3 устанавливается лог.1 (+5В). В случае если напряжение на выходе инвертора становится меньше - вырабатывается управляющий сигнал (лог.0), который соответствует режиму при котором система резервного электропитания не обеспечивает заданное значение на выходе источника (напряжение источника меньше допустимого значения) и блок управления включает индикатор “Смените источник питания”.
При восстановлении напряжения сети системы резервного электропитания опять переходит в режим нормальной работы.
2. Конструкторско-технологический раздел
2.1 Разработка печатной платы
Печатные платы представляют собой диэлектрическую пластину с нанесенным на нее токопроводящим рисунком (печатным монтажом) и отверстиями для монтажа элементов.
При конструировании РЭА на печатных платах используют следующие методы:
1.Моносхемный применяют для несложной РЭА. В том случае вся электрическая схема располагается на одной ПП. Моносхемный метод имеет ограниченное применение, так как очень сложные ПП неудобны при настройке и ремонте РЭА. Недостаток – сложность системы соединительных проводов, связывающих отдельные платы.
2.Функционально-узловой метод применяют в РЭА с использованием микроэлектронных элементов. При этом ПП содержит проводники коммутации функциональных модулей в единую схему. На одной плате можно собрать очень сложную схему. Недостаток этого метода – резкое увеличение сложности ПП. В ряде случаев все проводники не могут быть расположены на одной и даже обеих сторонах платы. При этом используют многослойные печатные платы МПП, объединяющие в единую конструкцию несколько слоёв печатных проводников, разделённых слоями диэлектрика. В соответствии с ГОСТом различают три метода выполнения ПП:
3.ручной;
4.полуавтоматизированный;
5.автоматизированный;
Предпочтительными являются полуавтоматизированный, автоматизированный методы.
Метод металлизации сквозных отверстий применяют при изготовлении многослойных печатных плат. Заготовки из фольгированного диэлектрика отрезают с припуском 30 мм на сторону. После снятия заусенцев по периметру заготовок и в отверстиях, поверхность фольги защищают на крацевальном станке и обезжиривают химически соляной кислотой в ванне. Рисунок схемы внутренних слоёв выполняют при помощи сухого фоторезиста. При этом противоположная сторона платы должна не иметь механических повреждений и подтравливания фольги. Базовые отверстия получают высверливанием на универсальном станке с ЧПУ. Ориентируясь на метки совмещения, расположенные на технологическом поле. Полученные заготовки собирают в пакет. Перекладывая их складывающимися прокладками из стеклоткани, содержащими до 50% термореактивной эпоксидной смолы. Совмещение отдельных слоёв производится по базовым отверстиям. Прессование пакета осуществляется горячим способом. Приспособление с пакетами слоёв устанавливают на плиты пресса, подогретые до 120…130° С. Первый цикл прессования осуществляют при давлении 0,5 МПа и выдержке15…20 минут. Затем температуру повышают до 150…160° С, а давление – до 4…6 МПа. При этом давлении плата выдерживается из расчёта 10 минут на каждый миллиметр толщины платы. Охлаждение ведётся без снижения давления. Сверление отверстий производится на универсальных станках с ЧПУ СМ-600-Ф2. В процессе механической обработки платы загрязняются. Для устранения загрязнения отверстия подвергают гидроабразивному воздействию. При большом количестве отверстий целесообразно применять ультразвуковую очистку. После обезжиривания и очистки плату промывают в горячей и холодной воде. Затем выполняется химическую и гальваническую металлизации отверстий. После этого удаляют маску. Механическая обработка по контуру, получение конструктивных отверстий осуществляют на универсальных, координатно-сверлильных станках. Выходной контроль осуществляется автоматизированным способом на специальном стенде, где происходит проверка работоспособности платы, т.е. её электрических параметров. Затем идет операция гальванического осаждения меди. Операция проводиться на автооператорной линии АГ-44. На тонкий слой осаждается медь до нужной толщины. После этого производится контроль на толщину меди и качество её нанесения. Далее производиться обработка по контуру печатной платы. В этой операции удаляется ненужный стеклотекстолит по краям платы и подгонка до требуемого размера. Затем методом сеткографии производиться маркировка печатной платы. Весь цикл производства печатных плат заканчивается контролем платы. Здесь используется автоматизируемая проверка на специальных стендах.