Такое количество БИС ОЗУ обеспечивает объем памяти
СБЗУ=8к x16 бит.
Полученная избыточность определяется тем, что NЗУ в данном случае не кратно NБИС.
Определяем токовую IDL и IDH и емкостные Cd нагрузки для схем ввода информации в ОЗУ по формулам (mc = 1– число рядов матрицы , p = 2 – общее число микросхем):
Определим токи нагрузки и величину емкостной нагрузки на информационные выходы БИС ОЗУ по формулам:
Где IQУT = 20μА – ток утечки невыбранного выхода;
IОУT = 20мкА – ток утечки схем ввода информации;
CQO=10 pF – выходная емкость одного информационного выхода БИС ОЗУ.
CmQ=10 pF – монтажная емкость цепи информационного
CОQ=20 pF – выходная емкость схем ввода информации.
Полученные значения токов и емкостей нагрузки удовлетворяют соответствующим требованиям для ИС серии КР537.
Определяем токи нагрузки и емкостную нагрузку по адресным цепям БИС ОЗУ по формулам:
Для схем серии КР537 указанная нагрузка допустима.
Рассчитаем потребляемую мощность БЗУ.
Потребляемая мощность БИС КМ132РУ13А 880mW.
Поэтому потребляемая мощность ОЗУ:
РБЗУ=2∙0,880= 1760 (W).
Рисунок 2 – Принципиальная электрическая схема БЗУ
4 Выбор мультиплексора
Мультиплексор – устройство, осуществляющее коммутацию цифровых сигналов с n информационных входов на один выход. В нашем случае n =3 (необходимо коммутировать на адресную шину БЗУ содержимое счетчиков маркера или счетчиков регенерации).
В нашем случае необходимо коммутировать 12 цифровых (бинарных) сигналов.
В качестве мультиплексора применим микросхему К555КП11, содержащую в одном корпусе 4 мультиплексора из двух направлений в одно. В связи с тем, что нам необходимо коммутировать 12 цифровых сигналов, используем 3 микросхемы К555КП11.
Микросхема К555КП11 имеет следующие параметры:
–Мин. вых. напряжение высокого уровня,В 2,5
–Макс. вых. напряжение низкого уровня,мВ 480
–Макс. вх. ток высокого уровня,мкА 20
–Макс. вх. ток низкого уровня,мкА 760
–Макс. ток потребления,мА 9,7
–Напряжение источника питания,В 5
–Временная задержка распред. сигнала, нс 21
Рисунок 3 – Принципиальная электрическая схема мультиплексора
5 Расчет ПЗУ знакогенератора
Для хранения информации о графике каждого знака требуется 7 ячеек памяти с разрядностью 10.
В связи с тем, что число адресуемых ячеек памяти должно быть кратно степени 2, на каждый знак приходится 2пу ячеек памяти.
Определим число ячеек памяти ПЗУ, необходимое для размещения в нем всех знаков алфавита:
Необходимая информационная ёмкость ПЗУ:
где
— разрядность адресных входов, необходимая для адресации рядов матрицы знака. , .В качестве ПЗУ выбираем электрически программируемую БИС КР1656РЕ3.
Справочные данные микросхемы: | |
Информационная ёмкость: | С = 32768 бит |
Организация: | 4k´8 |
Время выборки относительно адреса | tВА не более 50 нс |
Напряжение питания | UСС = +5 В ± 5 % |
Ток потребления | Iпот = 90 мА |
Для полноценной работы знакогенератора достаточно одной микросхемы ПЗУ КР1656РЕ3.
Количество знаков, которое можно разместить в выбранную БИС:
.Таким образом, выбранная БИС удовлетворяет заданию, так как
6 Выбор регистра знакогенератора
Так как разрядность сдвигового регистра должна быть не менее b’З=8, то в качестве регистра выбираем восьмиразрядный знаковый регистр К555ИР9, имеющий параллельные и последовательные входы. Параллельно данные загружаются в регистр через входы D0-D7 асинхронно, если на вход разрешения параллельной загрузки РЕ подается напряжение низкого уровня. Если на входе РЕ присутствует напряжение высокого уровня, то данные вводятся в регистр через последовательный вход S1. Сдвиг данных вправо на одну позицию происходит согласно каждому положительному перепаду тактового импульса на входе С . Вход разрешения тактовым импульсам СЕ имеет активный низкий уровень. Регистр имеет комплиментарные выходы Q7 и Q7. Микросхема К555ИР9 потребляет ток 63 мА.
Рисунок 4 – Принципиальная электрическая схема знакогенератора
7 Выбор компаратора
Компараторы кодов служат для сравнения двух многоразрядных двоичных слов. В разрабатываемом устройстве отображения информации компаратор формирует единичный сигнал при равенстве кодов с выхода счетчиков регенерации и счетчиков маркера.
Применим четырехразрядный компаратор кодов К555СП1 – микросхему средней степени интеграции. Требуется построить 12-разрядный компаратор, следовательно, будет использоваться 4 микросхемы К555СП1 (последовательный режим наращивания). Время задержки сигнала одной микросхемой – 15 нс, следовательно, составной 11-разрядный компаратор задерживает сигнал на 45 нс.:
,где
– время задержки распространения сигнала одним компаратором;n – количество микросхем.
Рисунок 5 – Принципиальная схема компаратора
8 Расчет блока формирования маркера
Рисунок 6. Форма маркера и дешифратор.
Составим карты Карно для нахождения функций Y1, Y2, Y3, Y4, Y5.
Y1 | 00 | 01 | 11 | 10 |
00 | 0 | 0 | 0 | 0 |
01 | 0 | 1 | 0 | 0 |
11 | X | X | X | X |
10 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Y2 | 00 | 01 | 11 | 10 |
00 | 0 | 0 | 0 | 0 |
01 | 1 | 1 | 0 | 1 |
11 | X | X | X | X |
10 | 0 | 0 | X | X |
Y3 | 00 | 01 | 11 | 10 |
00 | 0 | 0 | 1 | 0 |
01 | 1 | 1 | 1 | 1 |
11 | X | X | X | X |
10 | 0 | 0 | X | X |
Y4 | 00 | 01 | 11 | 10 |
00 | 0 | 0 | 1 | 1 |
01 | 1 | 1 | 1 | 1 |
11 | X | X | X | X |
10 | 1 | 0 | X | X |
Y5 | 00 | 01 | 11 | 10 |
00 | 0 | 1 | 1 | 0 |
01 | 1 | 1 | 1 | 1 |
11 | X | X | X | X |
10 | 1 | 1 | X | X |
Y5=Q1+ Q2+ Q3 +4
Y4= Q4 Q3+Q2 Q3 Q4 Y3=Q3 Q4+ Q1Q2Q3Q4 Y2=Q2 Q3 Q4+Q1Q2Q3Q4 Y1=Q1Q2Q3Q4Рисунок 7 – Функциональная схема формирователя маркера
9 Расчет устройства синхронизации
Исходные даные:
Число знаков в строке Nзтс=65,5
Число текстовых строк Nтс=9,6
Матрица знака 7 х 10
Интервалы между знаками и текстовыми строками