Расчет и проектирование МДП-транзистора (стр. 5 из 5)
(2.9)где Sз=Zk·Lk — площадь затвора.
Сопротивление стока и истока, Ом:
(2.10)где
— удельное сопротивление канала. 
На рисунке 2.1 построено семейство передаточных характеристик транзистора для значений напряжения между стоком и истоком 1, 2, 4 В.
Рисунок 2.1 - Стоко-затворная характеристика полевого транзистора.
Семейство стоковых (выходных) характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом строим путём совмещения двух областей его ВАХ - триодной и области насыщения.
Рисунок 2.2 - Семействo выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора
ВЫВОДЫ
В ходе данной курсовой работе:
были рассмотрены свойства МДП-структури, а также типы и устройство полевых транзисторов;
рассмотрены характеристики МДП-транзистора;
определено влияние типа канала на вольт-амперные характеристики прибора;
рассмотрены основны свойства и параметры полупроводника арсенида галлия;
рассчитаны параметры и характеристики МДП-транзистора.
В результате расчетов параметров и характеристик полупроводниковых приборов были получены результаты, не противоречащие справочным данным.
Так же были получены значения основных параметров: пороговое напряжение
, напряжение смыкания 
, сопротивление стока и истока rи=rс=42,07 Ом. В результате построений характеристик МДП-транзистора были получены типичные вольтамперные характеристики транзистора МДП-типа с индуцированным каналом n-типа.СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. - 99с.
2. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. - 40с.
3. Батушев В. А. Электронные приборы. – М. , “Высшая школа” 1980..
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника – М.: Высшая школа, 1991г. - 617с.
5. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие // В. А. Гуртов; ПетрГУ. – Петрозаводск, 2004. - 312 с.
6. Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы // Л. Ф. Городецкий,А. Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, - 348 с.
7. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники М.: Сов. радио, 1971 г. - 376 с.
8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г. - 326 с.
9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.
10. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.
11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 204 с.
13. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. - 479 c.
14. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980г. - 424 с.
15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.
16. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970г. - 392 с.
17. Электроника: Энциклопедический словарь.//Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.