Выбираем транзистор, например, КТ3102Д с паспортными параметрами:
, , , , 200.РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ
=3*0.025=0.075AРасчет резисторов R8,R9
(7.1) Oм =210 Ом - Выбираем резисторы по ряду Е24. (7.2)Выбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СТУПЕНИ УСИЛЕНИЯ
Подходящими для дифференциальной ступени (VT1, VT2) являются транзисторы с большим коэффициентом усиления (например, КТ3102Д). Параметры транзисторов:
, , , , 200.При этом ток базы
IБ1 = IK1 max/h21EIБ1 = 100/200=0.5mA(8.1)
UБ1 = UБ2 = -R1*IБ1(8.2)
R1=4 Ом
Выбираем резистор R1по ряду Е24
IБ3 = IK3 max/h21E = 0.075/20=3.8 mA (8.3)
РАСЧЕТ ОСТАВШИХСЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ СХЕМЫ
Сопротивления резисторов R2, и R3:
R2 = UБЭ 3 / (IК1 - IБ3) R2 = 3/ (4 -3.8 ) = 15 Oм (8.4)
Выбираем резистор R2 по ряду Е24
R3 = (UБ1 - UБЭ 1 - US2)/ (IК1 + IК2) . (8.5)
R3 = (2- 0.7 +20)/ (0.1 + 0.1) = 100 Ом.
Выбираем резистор R3 по ряду Е24
,где k-коэффициент усиления предпоследней ступени.
=10 Ом (8.6)Вибираем резистор R5 =50Ом по ряду Е24
Вибираем резистор R4 по ряду Е24
Определение емкости конденсаторов
, отсюдаИспользуя формулу
,где
и находим (9.1)Выбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.
, где отсюда (9.2) =2.8 мкФВыбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К50-16 с номинальным напряжением 50В.
ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2
Обозначение | Наименование | Кол | Примеч. | |
Резисторы | ||||
R1 | 1 | |||
R2 | 1 | |||
R3 | 1 | |||
R4 | 1 | |||
R5 | 1 | |||
R6 | СП5-35А | 1 | ||
R7 | 1 | |||
R8 | 1 | |||
R9 | 1 | |||
R10 | ||||
R11 | ||||
R12 | ||||
R13 | ||||
КОНДЕНСАТОРЫ | ||||
С1 | К10-47 А | 1 | ||
С2 | К50-16 | 1 | ||
С3 | К10-47 А | 1 | ||
ТРАНЗИСТОРЫ | ||||
VT1 | КТ3102Д | 1 | n-p-n | |
VT2 | КТ3102Д | 1 | n-p-n | |
VT3 | КТ911В | 1 | n-p-n | |
VT4 | КТ3102Д | 1 | n-p-n | |
VT5 | КТ807А | 1 | n-p-n | |
VT6 | КТ216А | 1 | p-n-p | |
VT7 | КТ817Б | 1 | n-p-n | |
VT8 | КТ817Б | 1 | n-p-n |
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Скаржепа В.А. ,Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. ч.1.Электронные устройства информационной автоматики: Учебник/ Под общ. ред. А.А. щаКраснопрошиной.-К.: Ви шк., 1989.-431 с.
2. Гусев В.Г. , Гусев Ю.М. Электроника.Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш.шк., 1991.-622 с.
3. Алексенко А.Г. , Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио исвязь, 1990.-496с.
4. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для вузов.-М.: Высш.шк.,1982.-496 с.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника / Под ред. В.А. Лабунцова.-М.: Энергоатомиздат, 1988.-320 с.
6. Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.- К.: Вища шк., 1985.-400 с.
7. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций.- СПб.6 КОРОНА принт, 1998.- 400 с.
1. Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. Справочник радиолюбителя.-К.: Наукова думка, 1988.
2. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С.Найвельт, К.Б.Мазель, Ч.И.Хусаинов и др., Под ред.Г.С.Найвельта.-М.: Радио и связь, 1985.- 576 c.
3. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство.- М.: 1983.
4. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: Справочник.- М.: Радио и связь, 1990,-304 с.
5. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учеб. Пособие.- М.: Высш. шк. 1989, -223 с.
6. Александров К.К., Кузьмина Е.Т. Электротехнические чертежи и схемы.-
М.:Энергоатомиздат, 1990.- 288 с.
7. Партала О.Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник.-К.: Радіоаматор, М.: КубК-а, 1998, -720 с.
8. Бирюков С.А. Применение интегральных микросхем серии ТТЛ.-М.: «Патриот», МП «Символ-Р», Радио,1992.-120 с.
9. Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах .-М.: Радио и связь, 1996.-196 с.