Смекни!
smekni.com

Расчёт усилителя мощности типа ПП2 (стр. 3 из 3)


Выбираем транзистор, например, КТ3102Д с паспортными параметрами:

,
,
,

,
200.

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ

=3*0.025=0.075A

Расчет резисторов R8,R9

(7.1)

=210 Ом

- Выбираем резисторы по ряду Е24.

(7.2)

Выбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.


РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СТУПЕНИ УСИЛЕНИЯ

Подходящими для дифференциальной ступени (VT1, VT2) являются транзисторы с большим коэффициентом усиления (например, КТ3102Д). Параметры транзисторов:

,
,
,

,
200.

При этом ток базы

IБ1 = IK1 max/h21EIБ1 = 100/200=0.5mA(8.1)

Напряжение на базах транзисторов VT1, VT2

UБ1 = UБ2 = -R1*IБ1(8.2)

R1=4 Ом

Выбираем резистор R1по ряду Е24

IБ3 = IK3 max/h21E = 0.075/20=3.8 mA (8.3)

РАСЧЕТ ОСТАВШИХСЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ СХЕМЫ

Сопротивления резисторов R2, и R3:

R2 = UБЭ 3 / (IК1 - IБ3) R2 = 3/ (4 -3.8 ) = 15 Oм (8.4)

Выбираем резистор R2 по ряду Е24

R3 = (UБ1 - UБЭ 1 - US2)/ (IК1 + IК2) . (8.5)

R3 = (2- 0.7 +20)/ (0.1 + 0.1) = 100 Ом.

Выбираем резистор R3 по ряду Е24

,

где k-коэффициент усиления предпоследней ступени.

=10 Ом (8.6)

Вибираем резистор R5 =50Ом по ряду Е24

Вибираем резистор R4 по ряду Е24

Определение емкости конденсаторов

, отсюда

Используя формулу

,

где

и
находим

(9.1)

Выбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.

, где
отсюда

(9.2)

=2.8 мкФ

Выбираем конденсаторыпо ряду Е24, типа К50-16 с номинальным напряжением 50В.


ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2



ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2



ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

Обозначение Наименование Кол Примеч.
Резисторы
R1 1
R2 1
R3 1
R4 1
R5 1
R6 СП5-35А 1
R7 1
R8 1
R9 1
R10
R11
R12
R13
КОНДЕНСАТОРЫ
С1 К10-47 А 1
С2 К50-16 1
С3 К10-47 А 1
ТРАНЗИСТОРЫ
VT1 КТ3102Д 1 n-p-n
VT2 КТ3102Д 1 n-p-n
VT3 КТ911В 1 n-p-n
VT4 КТ3102Д 1 n-p-n
VT5 КТ807А 1 n-p-n
VT6 КТ216А 1 p-n-p
VT7 КТ817Б 1 n-p-n
VT8 КТ817Б 1 n-p-n

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Скаржепа В.А. ,Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. ч.1.Электронные устройства информационной автоматики: Учебник/ Под общ. ред. А.А. щаКраснопрошиной.-К.: Ви шк., 1989.-431 с.

2. Гусев В.Г. , Гусев Ю.М. Электроника.Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш.шк., 1991.-622 с.

3. Алексенко А.Г. , Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио исвязь, 1990.-496с.

4. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для вузов.-М.: Высш.шк.,1982.-496 с.

5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника / Под ред. В.А. Лабунцова.-М.: Энергоатомиздат, 1988.-320 с.

6. Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.- К.: Вища шк., 1985.-400 с.

7. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций.- СПб.6 КОРОНА принт, 1998.- 400 с.

Справочники

1. Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. Справочник радиолюбителя.-К.: Наукова думка, 1988.

2. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С.Найвельт, К.Б.Мазель, Ч.И.Хусаинов и др., Под ред.Г.С.Найвельта.-М.: Радио и связь, 1985.- 576 c.

3. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство.- М.: 1983.

4. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: Справочник.- М.: Радио и связь, 1990,-304 с.

5. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учеб. Пособие.- М.: Высш. шк. 1989, -223 с.

6. Александров К.К., Кузьмина Е.Т. Электротехнические чертежи и схемы.-

М.:Энергоатомиздат, 1990.- 288 с.

7. Партала О.Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник.-К.: Радіоаматор, М.: КубК-а, 1998, -720 с.

8. Бирюков С.А. Применение интегральных микросхем серии ТТЛ.-М.: «Патриот», МП «Символ-Р», Радио,1992.-120 с.

9. Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах .-М.: Радио и связь, 1996.-196 с.