При вычерчивании общего вида топологии рекомендуется использовать линии разного цвета для различных слоев ИМС: эмиттерного – черный, базового – красный, разделительного (коллекторного) – зеленый, вертикального – черный пунктирный, скрытого – зеленый пунктирный, металлизации – желтый, окна в окисле для контакта к элементам – синий пунктирный, окна в пассивирующем (защитном) окисле – синий сплошной.
В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты в соответствии с формулами и рекомендациями.
Проверка правильности разработки топологии ИМС. Последний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС.
5. Выводы о проделанной работе.
В данном курсовом проекте разработана топология интегральной микросхемы.
Разработанная мной топология соответствует электрической принципиальной схеме, учитывая топологические ограничения, и использует исходные конструктивные данные.
Для изготовления заданной схемы была выбрана планарная технология на кремниевой пластине. Изоляция элементов схемы осуществляется с помощью обратно смещённого р-n перехода.
Топология кристалла была разработана с учётом конструктивно-технологических ограничений и требований. Размеры диффузионных резисторов, использованных в схеме, были рассчитаны упрощённым методом.
Разработанная топология интегральной микросхемы не требует сложного оборудования и обеспечивает приемлемый результат для заданной схемы.
Список используемой литературы.
1. Николаев И.М., Филинюк Н.А. Интегральные микросхемы и основы их проектирования. - М.: Радио и связь. 1992 .
2. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование под ред. Коледова Л.А. - М: высшая школа. 1984
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники - М.: Советское радио, 1980
4. Черчение под ред. Куликова А.С. - М: высшая школа, 1989
5. Малышева И. А. Технология производства интегральных микросхем - М: Радио и связь, 1991 .