Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом (стр. 2 из 2)
10) Обмеження діпазону робочих частот
Максимальна частота, на якій МДН-транзистор можна вважати активним, визначається як частота на якій коефіцієнт підсилення за потужністю Кр дорівнює одиниці. Для реальних транзисторів гранична частота обмежується не вхідною ємністю, а часом прольоту електронів через провідний канал.
11) Максимальна робоча частота транзистора
 |
В ділянці насичення :
fi= 105/2*3.14*12*10-6= 1,32*109 (Гц)
При роботі на високих частотах необхідно мати малу ємність затвору, малу довжину каналу і використовувати прилади з каналом n-типу провідності, оскільки рухливість електранів є більшою, ніж рухливість дірок.
12)Технологія розробки транзистора
В сучасній технології виготовлення напівпровідників легування є одним з базових процесів виготовлення польових транзисторів з керуючим р-n- переходом. Неуклінне збільшення швидкодії і степеня інтеграції МДН-ІС, так і біполярних ІС досягається постійним зменшенням геометричних розмірів структур за рахунок удосконалення методів локальнаго легування .
Методи легування можна поділити на слідуючі групи: високотемпературна дифузія; іонна імплантація; радіаційно- стимульована дифузія.
Для кожної групи характерно використання спеціалізованого технологічного обладнання, забезпечуючого проведення процесу в строгоконтролюємому режимі.
Високотемпературна дифузія. Методи дифузії являються основними і найбільш розповсюдженими при легуванні напівпровідників.
Дифузія представляє собою обумовлений тепловим рухом переміщення в напрямку зменшення їх концентрації.
При дифузії в кристал розрізняють переміщення атомів даного твердого тіла. Швидкість дифузії залежить від градієнта концентрації атомів.
Радіаційно-стимульована дифузія. Цей метод дифузії оснований на введенні домішок в результаті бомбардування напівпровідникового кристалу легкими іонами з енергією, достатньою для зміщення атомів підкладки в міжвузля.
Висновок
В цій курсовій роботі я дослідив ВАХ польового транзистора з керуючим р-n- переходом, розрахував опір каналу, що становить R.k0=70,49 (Ом), ширину ОПЗ dn=56.05*10-9(м), напругу відсікання UBid= 101,9 (B), бар’єрну ємність Сb = 38,52*10-15 (ф), максимальну робочу частоту транзистора fi=1,32·109 (Гц).
Література
1. Дружинін А.О. “Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів”, 2001р., Львів, 223 ст.
2. Дулін В. Н.”Электронные приборы”,1997р.,Москва «Энергия»,344 ст.
3. Пасинков В.В. “Полупроводниковые приборы”, підручник, 1987р., Москва “Высшая школа”,301ст.