Курсовая работа на тему:
Связные радиопередающие устройства с частотной модуляцией
В процессе проектирования радиопередающего устройства необходимо выполнить следующее:
составить и обосновать структурную схему ПРД;
рассчитать режимы работы оконечного каскада;
рассчитать цепи согласования оконечного каскада с нагрузкой;
рассчитать модулятор (ЧМ);
рассчитать блокировочные элементы в оконечном каскаде;
сформировать требования к ИП, привести схемы.
Характеристики передатчика:
Рф = 8 Вт
f = (160 ¸ 180) МГц
WФ = 50 Ом
Df = 10 кГц
ПВИ = -50 дБ
Fмод = (0,3 ¸ 3) кГц
питание сетевое - 220 В, 50 Гц
Связные радиопередающие устройства (РПУ) с частотной модуляцией (ЧМ) проектируются для работы на одной фиксированной частоте или в диапазоне частот. В первом случае рабочая частота стабилизируется кварцевым резонатором, а для генерации ЧМ колебаний могут быть использованы как прямой метод управления частотой, так и косвенный. Структурная схема передатчика с использованием прямого метода ЧМ изображена на рис.1.
Рис.1 Структурная схема передатчика с прямой ЧМ
Модулирующее напряжение UW подается на варикап, с помощью которого модулируется по частоте кварцевый автогенератор (КГ). Кварцевый генератор работает на частотах 10-15 МГц, затем его частота умножается в n раз до рабочего значения, сигнал подается на усилитель мощности (УМ) и через цепь связи в антенну.
Косвенный метод ЧМ основан на преобразовании фазовой модуляции (ФМ) в частотную при помощи введения в схему интегрирующего звена, т.е. фильтра низких частот (ФНЧ). Структурная схема передатчика с использованием косвенного метода получения ЧМ изображена на рис.2.
Рис.2 Структурная схема передатчика с использованием косвенного метода ЧМ.
В качестве возбудителя диапазонного передатчика с ЧМ используется синтезатор сетки дискретных частот, ведомый генератор которого управляется двумя варикапами (рис.3).
Рис.3 Структурная схема ЧМ передатчика с синтезатором частоты
Для построения нашего связного передатчика воспользуемся подобной схемой, но уточним состав и количество входящих в неё блоков.
В качестве возбудителя диапазонного передатчика с ЧМ используется синтезатор сетки дискретных частот, ведомый генератор которого управляется двумя варикапами (рис.3). На варикап VD1 подается модулирующее напряжение UW, на варикап VD2 - управляющее напряжение системы фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Разделение функций управления объясняется тем, что девиация частоты под влиянием модулирующего сигнала относительно невелика (3-5 кГц) в сравнении с диапазоном перестройки ведомого генератора (ГУН) управляющим сигналом с выхода системы ФАПЧ. Поэтому варикап VD1 связан с колебательным контуром ГУНа значительно слабее, чем VD2. Шаг сетки частот на выходе передатчика в зависимости от рабочего диапазона может быть 5; 10; 12,5; 25 кГц.
Для повышения устойчивости необходимо, чтобы оконечный усилитель как можно меньше влиял на работу ГУНа, поэтому производят их развязку по частоте введением в структуру передатчика умножителя частоты. В таком случае шаг сетки синтезатора уменьшается в n раз, где n - коэффициент умножения частоты умножителя.
В данном курсовом проекте проведен анализ диапазонного передатчика ЧМ. В пояснительной записке представлены электрические расчеты оконечного каскада, цепи связи с фидером, автогенератора и частотного модулятора, приведены конструктивные расчеты оконечного каскада и цепи связи с фидером. К пояснительной записке прилагаются чертежи с изображениями полной электрической схемы и конструкцией оконечного каскада передатчика.
Мощность в фидере связного передатчика, работающего в диапазоне 160 - 180 МГц, равна 8 Вт. Примем величину КПД цепи связи: hЦС = 0,7. Мощность, на которую следует рассчитывать оконечный каскад, равна:
Р1макс = РФ/hЦС = 8/0,7 = 11,43 Вт.
Справочная величина мощности, отдаваемой транзистором, должна быть не менее 10 Вт.
Как правило, для генерации заданной мощности в нагрузке в определенном диапазоне частот можно подобрать целый ряд транзисторов. Из группы транзисторов нужно выбрать тот, который обеспечивает наилучшие электрические характеристики усилителя мощности.
При выборе типа транзистора усилителя мощности (УМ) учтем следующее:
для снижения уровня нелинейных искажений транзистор должен удовлетворят условию 3. fт/ βо > f;
выходная мощность транзистора Рвых > Р1макс.
Коэффициент полезного действия каскада связан с величиной сопротивления насыщения транзистора - rнас. Чем меньше его величина, тем меньше остаточное напряжение в граничном режиме и выше КПД генератора.
Исходя из этих условий, выбираем транзистор 2Т909А, имеющий следующие параметры:
1. Параметры идеализированных статических характеристик:
сопротивление насыщения транзистора на высокой частоте rнас » 0,39 Ом;
коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ на низкой частоте (f→0) βо= 32;
сопротивление базы rб = 1,0 Ом;
сопротивление эмиттера rэ = 2,0 Ом;
2. Высокочастотные характеристики:
граничная частота усиления по току в схеме с ОЭ fт =570 МГц;
емкость коллекторного перехода Ск = 30 пФ;
емкость эмиттерного перехода Сэ = 244 пФ;
индуктивности выводов LБ = 2,5 нГн, LЭ = 0,2 нГн, LК = 2 нГн;
3. Допустимые параметры:
предельное напряжение на коллекторе Uкэ доп = 60 В;
обратное напряжение на эмиттерном переходе Uбэ доп = 3,5 В;
постоянная составляющая коллекторного тока Iко. доп = 2 А;
максимально допустимое значение коллекторного тока Iк. макс. доп= 4 А;
диапазон рабочих частот 100 - 500 МГц;
4. Тепловые параметры:
максимально допустимая температура переходов транзистора tп. доп= 160 ºС;
тепловое сопротивление переход - корпус Rпк= 5 ºС/Вт;
5. Энергетические параметры
Pвых = 17 Вт;
Ек = 28 В;
h = 45 - 75%;
Кр = 1,7;
Режим работы - класс В.
Т.к. УМ должен усиливать сигнал с минимальными искажениями, т.е. иметь линейную амплитудную характеристику, и, кроме того, возможно больший КПД, примем угол отсечки коллекторного тока q = 90° (класс В). При этом
- коэффициенты Берга.1. Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе в критическом режиме
В2. Максимальное напряжение на коллекторе
ВТ.к. не выполняется условие
, необходимо уменьшить Еk, выберем стандартное постоянное питающее напряжение равным 24 В. А также, если Еk выбирать равным наибольшему предельно допустимому для данного типа транзистора, то следует ожидать существенного снижения его надежности из-за опасности пробоя.Тогда
Ви
В.3. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока
А4. Постоянная составляющая коллекторного тока
А;5. Максимальная мощность, потребляемая от источника коллекторного напряжения
Вт6. КПД коллекторной цепи при номинальной нагрузке
7. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора
Вт8. Сопротивление коллекторной нагрузки
Ом1. Предполагается, что между базой и эмиттером активного элемента (АЭ) по радиочастоте включен резистор RД, предназначенный для устранения "перекосов" в импульсах коллекторного тока.
= 36,62 ОмМежду базой и коллектором включается Rос
= 297,83 Ом2 Коэффициент уменьшения коэффициента усиления по току:
,Рис.4 Входная цепь АЭ