Рис.4.3. Залежність напруги від густини струму.
На всіх досліджених зразках ефект обмеження струму завжди супроводжують коливання струму. Тому можна припустити, що це взаємозв´язані явища і пояснюються вони на підставі єдиного механізму електропровідності. Коливання, ймовірно, викликані захопленням носіїв заряду на деяких межах зерен (МЗ), що веде до зменшення струму i збільшення падіння напруги на ключових потенціальних бар’єрах, зростання польової емісії електронів із локалізованих станів та відповідного зменшення висоти бар’єрів та збільшення струму. Зростання амплітуди коливань призводить до прояви нелінійності ВАХ i процес перестає бути гармонічним, що пояснює зміну форми коливань струму, яка спостерігається при збільшенні напруги в області ділянки 2 ВАХ.
Список викоростанних джерел
1. Stolichnov I., Tagantsev A.. J.Appl.Phys., 1998,V.84,No.6, p.3216-3225.
2.Глот А.Б., Бондарчук А.Н. Неорганические материалы.,1999,т.35,N5,c.637-640.
3. Matsuoka M. Advances in Varistor Technology. Ceramic Transactions.,1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson,,p.3-9.
4.Glot A.B. Advances in varistor Technology., 1989,V.3, Ed. by L.M.Levinson, p.194-203.
5. Гольдман Е.И., Ждан А.Г.,ФТП,1976,т.10,№10, с.1839-1845.
6. T.R.N.Kutty, V.Ravi. Materials Science and Engineering, 1994, B25,119-131.
7. Бонч-Бруевич В.Л, Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. - Москва: Наука,1972.