Сопротивление нагрузки модулятора следует выбирать исходя из частоты среза
, а не , как в широкополосном демодуляторе, с учетом коэффициента сужения полосы пропускания за счет емкостей, шунтирующих нагрузочное сопротивление . Это связано с тем, что в модуляторе использовать сопротивление в цепи эмиттеров транзисторов дифференциальной пары Т1 и Т2 не рекомендуется, так как при этом возникают нелинейные искажения огибающей.Действительно, при введении резисторов
в цепь эмиттеров БТ Т1 и Т2 крутизна при условии становится независимой от тока : , (46)а производная от (46)
является обратной функцией квадрата модулирующего тока
(33), т.е. нелинейной функцией для сигнала модуляции (37).Снимать непосредственно сигналы с несимметричных выходов модулятора нельзя, так как на каждом из этих выходов присутствует синфазный сигнал, образуемый при изменении тока ГСТ на каждом из сопротивлений нагрузки
, который, накладываясь на дифференциальный сигнал, искажает закон модуляции. При съеме полезного сигнала с симметричного выхода сигналы , вычитаясь между собой, не проявляются и, следовательно, не нарушают закона модуляции.Для получения возможности съема полезного сигнала с одного выхода (лучше со второго, так как БТ Т2 включен по схеме с ОБ, при этом сопротивление нагрузки в Т1 должно быть закорочено с целью получения включения с ОК) относительно общей точки необходим специальный каскад сдвига уровня, который позволил бы, исключив влияние синфазного сигнала, восстановить прежний закон модуляции и сформировать несущую без постоянной составляющей. В связи с этим основная схема модулятора (рис. 10) дополнена каскадом сдвига уровня на БТ Т5 с управляемым ГСТ на транзисторах
, и ОУ2.Условие компенсации постоянной составляющей, включая синфазную, на выходе модулятора
сводится к условию 0, (47)где
и - напряжение база-эмиттер БТ Т5 и ток дополнительного ГСТ, который по форме записи соответствует (33), так как схема данного ГСТ идентична схеме основного ГСТ (рис. 10).С учетом отмеченного и формулы (33) условие (47) приобретает вид
0, (48)где
, и - постоянная состовляющая тока, требуемое переменное напряжение компенсации и напряжение база-эмиттер БТ дополнительного ГСТ; - сопротивление компенсирующего резистора.Условие компенсации (48) в статическом режиме (при отсутствии модуляции
0)0
позволяет определить требуемый номинал компенсирующего резистора
. (49)Условие компенсации (48) в динамическом режиме (при наличии модуляции)
0
позволяет определить требуемый уровень переменного напряжения компенсации
. (50)Для упрощения практической реализации модулятора необходимо соблюдать равенство напряжений
и , которое выполнимо при одинаковых токах транзисторов и Т3. Тогда целесообразно принять одинаковыми и токи и , т. е. необходимо иметь два ГСТ с идентичными параметрами, что осуществимо в едином интегральном технологическом цикле.При идентичных параметрах ГСТ
, , и соотношения (49) и (50) упрощаются , (51) . (52)Уравнение (52) позволяет синтезировать управляющее дополнительным ГСТ устройство, которое должно быть инвертирующим устройством на ОУ2 c коэффициентом передачи
. (53)Номиналы резисторов цепи ООС
и при низкоомных резисторах и могут быть пропорционально увеличены, чтобы заметно не нагружать ОУ1 и ОУ2, с сохранением соотношения (53).Коэффициент передачи каскада сдвига уровня на транзисторе Т5
, (54)где
- внутреннее сопротивление второго (компенсирующего) ГСТ ; (55) и - параллельное соединение резисторов и и коэффициент передачи тока БТ .Результирующий коэффициент передачи по несущей амплитудного модулятора (41) и (54)
. (56)Входные сопротивления по входу несущей модулятора без учета сопротивления в цепи базы транзистора Т1, которое при подключенном источнике сигнала
может отсутствовать, относительно невелико. Оно такое, как у простого ДУ: , (57)где
- коэффициент передачи тока БТ Т1, Т2, что требует применения источника сигнала с малым внутренним сопротивлением.Входное сопротивление модулятора по модуляционному входу исключительно велико, оно определяется входным дифференциальным сопротивлением
и коэффициентом передачи используемого ОУ1