Перейдем непосредственно к расчету.
1. Определяем амплитуды напряжения и тока нагрузки:
2. Задаемся током покоя:
2. Задаем напряжение коллектор-эмиттер транзистора:
Возьмем
2. Определяем напряжение питания каскада из условий:
Напряжение источника питания должно превышать
на величину падения напряжения на сопротивлении фильтра (примерно на 20-30%) и должно быть5. Определяем сопротивления в цепи эмиттера:
Учтем
6. Определяем сопротивление R3:
Из ряда Е12
7. Определяем амплитуду тока коллектора:
2. Определяем мощность рассеиваемую на коллекторе:
9. Выбираем транзистор по критериям:
Выбираем транзистор 315Б
Для проведения последующих расчетов из параметров выбранного транзистора определяем:
2. Рассчитываем базовую цепь:
а) задаем ток делителя:
Зададим ток делителя:
б) определим R1:
Из ряда Е12
в) определяем R2:
Из ряда Е12
11. Задаемся допустимым коэффициентом гармоник каскада:Отсюда находим R4 и R5:
Из ряда Е12
Из ряда Е12
12. Определяем коэффициент усиления:
13. Определяем входное сопротивление каскада:
где
14. Определяем номинальное входное напряжение:
15. емкость конденсатора C2 рассчитывается по следующему выражению:
где
в последней формуле
16. Сопротивление
определяется исходя из падания напряжения на нем и тока, равного сумме токов делителя в цепи базы и эмиттера.Из ряда Е12
=4.7(кОм).17. Для определения емкости конденсатора
можно использовать следующую формулу:Из ряда Е24
18. Рассчитаем С3, которое является разделительной емкостью:
Из ряда Е24
Примечание: номиналы рассчитанных элементов данного пункта соответствуют схеме представленной на рис 2.4.
Результаты расчета КПУ2
VT1 типКТ315Б n-p-n 50-350 0.1 0.15 20 250
Б) Расчет КПУ1.
Рис 2.5.
На рис 2.5. представлена схема каскада предварительного усиления на полевом транзисторе по схеме общий исток .
В данном пункте номиналы полученных элементов будут соответствовать схеме приведенной на рис 2.5.
Резисторный каскад на полевом транзисторе в отличие от аналогичного каскада на биполярном транзисторе обладает высоким входным сопротивлением. Это качество позволяет использовать его в сечениях усилителя, где желательны высокоомные нагрузки, тоесть в нашем случае.
1.Выберем транзистор КП303Г
2.Выбираем рабочую точку на линейном участке характеристики
с координатами3.Определяем напряжение на стоке транзистора:
4.Рассчитывается сопротивление нагрузки по постоянному току
:Из ряда Е12
5.Для полевого транзистора в рабочей точке с координатами
определяется крутизна по характеристике
и по характеристике
внутреннее сопротивление транзистора:6.Рассчитывается сопротивление нагрузки:
7. Находится коэффициент усиления:
8.Определяется входная динамическая емкость:
где
справочные величины.9. Определяется сопротивление в цепи истока:
10. Задаемся сопротивлением в цепи затвора в пределах (0.1..1)МОм.