Постоянную времени
можно определить из выражения (1.39)где
и — постоянные времени входной и выходной цепей соответственно.Эти постоянные времени определяются по формулам
(1.40) (1.41)где С0 — эквивалентная входная емкость каскада,
Сн— емкость нагрузки.
Эквивалентная входная емкость каскада включает емкость перехода база — эмиттер
и пересчитанную на вход емкость перехода база — коллектор Ск : (1.42)С0=5,3 нФ;
=0,7 мкс; =0,5 мкс; = 0,9 мкс.fВ=180 кГц.
Определим частотные искажения в области верхних частот
(1.40)МВ=0,013
и сравним их с заданным значением М. Т.к. условие выполняется, т.е. МВ(дБ)<М(дБ), следовательно расчет произведен верно.
Контрольное задание №2
тип схемы: 7;
тип транзистора: p-n-p - КТ363Б
Выпишем основные параметры заданных транзисторов:
КТ363Б | |
h21Эmin | 40 |
h21Эmax | 120 |
|h21Э| | 15 |
fизм, МГц | 100 |
τK, пс | 5 |
CK, пФ | 2 |
Eг=1мВ; fc=10кГц; Rг=1кОм; Rн=1кОм; Сн=100пФ; Ср2=10мкФ.
Принципиальная схема анализируемого каскада с подключенными к ней источником сигнала и нагрузкой имеет вид:
Рассчитаем режим работы транзисторов по постоянному току, пусть Еп=10 В.
Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке. Рассчитаем ток делителя в базовых цепях транзисторов:
(2.1)Определить потенциалы баз транзисторов:
(2.2) (2.3)Найдем потенциалы эмиттеров транзисторов:
(2.5) (2.6)Напряжение U0БЭвыбирается в интервале 0.5...0,7 В для кремниевых транзисторов, выберем U0БЭ=0,5В.
Рассчитаем ток в резисторе, подключенном к эмиттеру первого транзистора:
(2.7)Рассчитаем ток коллектора в рабочей точке, для этого найдем сначала найдем среднее значение коэффициента передачи тока:
h21Э=69,
тогда:
(2.9) (2.10)Определим напряжение на коллекторе в рабочей точке:
(2.11) (2.12)По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов:
Выходная проводимость определяется как
(2.13)h221=1,3*10-5 См, h222=1,2*10-5 См.
Здесь UA— напряжение Эрли, равное 100... 200 В у транзисторов типа n-р-n. Примем UA=100В.
Предельная частота усиления транзистора по току определяется по единичной частоте усиления fТ:
(2.14)Граничная частота fТ находится по формуле:
(2.15)fТ1,2=1,5 ГГц;
=22 МГц.Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянной времени τК коллекторного перехода транзистора, приводимой в справочниках:
(2.16)rБ1,2=2,5 Ом.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:
(2.17)rБ’Э1=2,2 кОм, rБ’Э2=2,2 кОм.
где
дифференциальное сопротивление эмиттера; 0,026 мВ — температурный потенциал при Т= 300 К;m — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1.5 для кремниевых транзисторов.
rЭ1=31 Ом, rЭ2=31 Ом.
Емкость эмиттерного перехода равна:
(2.18)СБ’Э1=3,4 пФ; СБ’Э2=3,3 пФ
Определим коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада, построенного по схеме с ОЭ.
Входное сопротивление транзистора VT2:
h112=rБ2+rБ’Э2=2,2 кОм (2.19)
Входное сопротивление каскада:
(2.20)Выходное сопротивление каскада:
Сопротивление нагрузки каскадапо переменному току:
(2.22)Коэффициент передачи каскада по напряжению:
(2.23)KU2=16
Определим коэффициент передачи по напряжению, сквозной коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивления входного каскада. При этом необходимо учитывать, что нагрузкой входного каскада является входное сопротивление оконечного каскада. Входной каскад построен по схеме с ОЭ.
Входное сопротивление транзистора VT2:
h111=rБ1+rБ’Э1=2,2 кОм (2.24)
Входное сопротивление каскада:
(2.25)Выходное сопротивление каскада:
(2.26) (2.27)Сопротивление нагрузки каскадапо переменному току:
(2.28)Коэффициент передачи каскада по напряжению:
(2.29)KU1=32
Сквозной коэффициент передачи по напряжению:
(2.30)Коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется по формуле
KU= KU1* KU2=500 (2.31)
Сквозной коэффициент передачи по напряжению KE всего усилителя определяется аналогично:
KЕ= KЕ1* KU2=310 (2.32)
Входное сопротивление усилителя определяется входным сопротивлением входного каскада, а выходное – выходным сопротивлением оконечного каскада.
Постоянные времени в области нижних частот, связанные с разделительными конденсаторами Ср1, Ср2, определяются по формулам:
τН1=Ср1*(Rг+ RВХ1)=13 мс (2.33)
τН2=Ср2*(RВЫХ2+ Rн)=20 мс (2.34)
Постоянная времени в области нижних частот, связанная с блокировочным конденсатором Сэ, определяется по формуле:
τН3=СэRэ=30 мс (2.35)
Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна
(2.36)где τНi,τНj - эквивалентные постоянные времени каскада в области нижних частот связанные с i-м разделительным и j-м блокировочным и конденсаторами соответственно. τН=10 мс
Нижняя частота среза определяется по формуле:
В усилителе имеются три постоянных времени в области верхних частот, связанные с входными цепями входного и оконечного транзисторов и емкостью нагрузки:
τВi=Сi*Ri, (2.38)
где Сi – емкость i-го узла относительно общего провода,
Ri – эквивалентное сопротивление i-го узла относительно общего провода.