1. Длина волны максимума спектральной чувствительности ^.„акс ~ длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.
2. Коротковолновая (длинноволновая) граница спектральной чувствительности

- наименьшая (наибольшая) длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФПМ равна 0,1 ее максимального значения.
3. Область спектральной чувствительности

- диапазон длин волн спектральной характеристики, в котором чувствительность ФПМ составляет не менее

своего максимального значения.
4.2.5 Геометрические параметры ФПМ
1. Эффективная фоточувствительная площадь ФПМ (АЭф) _ площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по сигналу ФПМ, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувствительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФПМ. Определяется соотношением

где

- номинальное значение локальной чувствительности в точке

(обычно центр чувствительного элемента в ФПМ); А - полная площадь чувствительного элемента ФПМ:

- чувствительность к потоку излучения точки на фоточувствительном элементе ФПМ с координатами

2.Плоский угол зрения

- угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых фотосигнал уменьшается до заданного уровня.
3.Эффективное поле зрения

- телесный угол, определяемый соотношением

где

- напряжение фотосигнала;

- азимутальный угол;

- угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу.
4.2.6 Параметры инерционности ФПМ
1. Время нарастания (спада)

или

соответственно – ми нимальный интервал времени между точками нормированной переходной (обратной переходной) характеристики со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
2. Время установления переходной характеристики ФПМ по уровню

- минимальное время от начала импульса излучения, по истечении
которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики

от установившегося

значения не превышает

3.Предельная частота ФПМ

- частота синусоидально модулированного потока излучения, при которой чувствительность ФПМ падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном напряжении.
4.Емкость ФПМ С - собственная емкость ФПМ.
4.2.7 Спектральные характеристики ФПМ
1.Спектральная характеристика чувствительности

- зависимость монохроматической чувствительности ФПМ от длины волны регистрируемого потока излучения.
2.Абсолютная спектральная характеристика чувствительности

-зависимость монохроматической чувствительности, измеренной в абсолютных единицах от длины волны регистрируемого потока излучения.
3. Относительная спектральная характеристика чувствительности

зависимость монохроматической чувствительности, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения.
2.2.8. Основные характеристики зависимости параметров ФПМ
1. Энергетическая характеристика фототока ФПМ

- зависимость фототока от потока или плотности потока излучения, падающего на ФПМ.
2. Энергетическая характеристика напряжения

(тока

I фотосигнала - зависимость напряжения (тока) фотосигнала от потока или плотности потока излучения падающего на ФПМ.
3. Частотная характеристика чувствительности ФПМ

- зависимость чувствительности ФПМ от частоты модуляции потока излучения.
4. Переходная (обратная переходная) нормированная характеристика

- отношение фототока, описывающего реакцию ФПМ в зависимости от
времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени (при резком прекращении воздействия излучения).
Устройство р-i-п-фотодиода
В предыдущем разделе мы рассмотрели взаимодействие света с ри-переходом. На основе

-переходов функционирует основная масса современных ФПМ. К числу наиболее простых и распространенных ФПМ относятся

фотодиоды (ФД). Такие ФД представляют собой трехслойную структуру, в которой между слоями

типов находится слаболегированный тонкий

слой, или, как говорят, слой с собственной проводимостью. Такая структура позволяет сформировать тонкий высоколегированный

■слой, практически полностью пропускающий падающее излучение, на поверхности

слоя с собственной проводимостью

типа. Как известно, распространение обедненного слоя внутрь материала пропорционально удельному сопротивлению материала; особенно широк этот слой, следовательно, на границах

Обратного напряжения в несколько вольт достаточно, чтобы обедненная область распространилась на весь

слой. Ширина

слоя выбирается таким

Рис. 2.20.Конструкция и диаграмма, поясняющие действие

фотодиода:
а - структура

фотодиода; б - распределение заряда в

-структуре; в – распределение напряженности поля в

структуре; г - распределение потенциала в обратносмещенной

структуре
образом, чтобы обеспечить практически полное поглощение падающего излучения, что позволяет получить высокую квантовую эффективность. Поперечное сечение

фотодиода, а также распределение концентраций зарядов, напряженности электрического поля и потенциала в

структуре при обратном смещении, представлено на рис. 2.20. Считая в первом приближении поле внутри

слоя однородным, можно записать

где

- напряжение обратного смещения, приложенное к электродам ФД;

- ширина

слоя. Собственную емкость ФД можно представить как емкость плоского конденсатора и записать в виде