Оптоелектронні елементи ВОСП
Таблиця В.1 – Типові параметри напівпровідникових джерел випромінювання
Параметр | Світловод | Лазерний діод | Одночастотний ЛД |
Ширина спектра, Δλ, нмЧас наростання, τн, нсСмуга модуляції, МГцРесурс роботи, годЧутливість до температури | 20 ... 1002 ... 250< 300105Низька | 1 ... 50,1 ... 12000104 ... 105Висока | < 0,20,05 ... 16000104 ... 105Висока |
Таблиця В.2 – Типові параметри напівпровідникових фотодіодів
Матеріал | Структура | τн, мс | Область спектральної чутливості, нм | SI, A/Bт | IТ, нА | М |
Кремній | p– i – n | 0,5 | 0,3 ... 1,1 | 0,5 | 1 | 1 |
Германій | p– i – n | 0,1 | 0,5 ... 1,8 | 0,7 | 200 | 1 |
InGaAs | p– i – n | 0,3 | 0,9 ... 1,7 | 0,6 | 10 | 1 |
КремнійГерманійInGaAs | ЛФДЛФДЛФД | 0,51,00,25 | 0,4 ... 1,01,0 ... 1,61,0 ... 1,7 | 753512 | 15700100 | 1505020 |
Примітка: τн – час зростання переднього фронту імпульсу; SI – струмова чутливість; IТ – темновий струм; М – коефіцієнт лавинного множення.
ВОЛОКОННО-ОПТИЧНІ СИСТЕМИ ПЕРЕДАЧІ
Таблиця Г.1 – Параметри цифрових систем РDН
Системи позначення рівня | Кількість еквівалентних каналів ТЧ | Ієрархічнашвидкість передачі N біт/с | Код електричного стику |
Е1 | 30 (32) | 2,048 | HDB3 |
Е2 | 120(128) | 8,448 | HDB3 |
Е3 | 480 | 34,368 | HDB3 |
Е4 | 1920 | 139,264 | CMI |
Таблиця Г.2 – Параметри цифрових систем SDH
Позначення рівня системи передачі | Кількість еквівалентних каналів ТЧ | Ієрархічнашвидкість передачі N біт/с | Лінійнийкод |
STM – 1STM – 4STM – 16 | 1890768036720 | 155,520622,0802488,320 | CMI для електричного стику, NRZ для оптичного стику |
STM – N | 1890 × N | 155,520 × N |
ДОДАТОК Д
УМОВНІ ПОЗНАЧЕННЯ
Оптичне волокно або одномодовий кабель | |
Оптичне волокно або багатомодовий кабель | |
Джерело випромінювання | |
Приймач випромінювання | |
Передавальний оптичний пристрій | |
Приймальний оптичний пристрій | |
Роз’ємний оптичний з’єднувач | |
Оптичний розгалужувач |