Особенно важно не иметь соединительных проводов между частями экрана и корпусом. Эффективность экранирования электрического поля не зависит от толщены и материала экрана. Причиной этого является незначительная величина токов, текущих по экрану.
6. РАСЧЕТ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЯ
6.1 Компоновочный расчет изделия
Необходимые данные сведены в таблице 6.1.1
Таблица 6.1.1 Установочные значения Vуст и массы ЭРЭ проектируемой конструкции восьмиполосного стереофонического корректора.
Вид элемента и основныехарактеристики | Тип, типономи-нал | Кол.ni | Установочныйобъем,Vуст, см3 | n×Vуст,см3 | Масса m,гр. | m×n,гр. | |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | |
Диоды | КС 156А | 2 | 0,44 | 0,88 | 0,3 | 0,6 | |
АЛ 307Б | 1 | 0,75 | 0,75 | 0,8 | 0,8 | ||
КЦ 405Б | 1 | 4,0 | 4,0 | 6,0 | 6,0 | ||
Конденсаторы | |||||||
100пФ | КМ-5-Н30 | 4 | 0,22 | 0,88 | 0,5 | 2,0 | |
1,5…18пФ | К10-7В | 2 | 0,22 | 0,44 | 0,5 | 1,0 | |
330…5600пФ | К10-7В | 14 | 0,44 | 6,16 | 0,6 | 8,4 | |
0,01…0,47мкф | К10-7В | 42 | 0,45 | 18,9 | 0,67 | 28,1 | |
2200мкФ | К50-35 | 4 | 2,5 | 1 | 6,0 | 24,0 | |
Микросхемы | |||||||
Корпус201.14-1 | К157УД2 | 12 | 0,8 | 9,6 | 1,5 | 18,0 | |
Резисторы | С2-33Н-0,125 | 126 | 0,1 | 12,6 | 0,17 | 21,42 | |
С2-33Н-0,25 | 4 | 0,17 | 0,68 | 0,25 | 1 | ||
СП3-23И | 16 | 4,14 | 66,24 | 12,5 | 200,0 | ||
СП3-38б | 2 | 0,8 | 1,6 | 1,5 | 3,0 | ||
Транзисторы | КТ815Б | 1 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
КТ814Б | 1 | 5 | 5 | 5 | 5 | ||
КТ315Б | 1 | 0,55 | 0,55 | 1,0 | 1,0 | ||
КТ361Б | 1 | 0,55 | 0,55 | 1,0 | 1,0 | ||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | |
Трансформатор | ТС-6-1-220-50 | 1 | 180,5 | 180,5 | 490,0 | 490,0 | |
Переключатели | П2К | 2 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
ПКн41 | 1 | 15 | 15 | 15 | 15 | ||
Держатель вставки плавкой | ДВП-2-0,3А | 1 | 5,3 | 5,3 | 10,0 | 10,0 | |
Разъемы | Онц-КГ-4-5/16-P | 2 | 5 | 10 | 13,0 | 26,0 | |
Vå=385,88 см3må=973,29 гр. |
Суммарный объем, занимаемый ЭРЭ равен 385,88 см3. Из конструктивных соображений выбираем коэффициент заполнения объема корпуса корректора равным 0,5. Ориентировочно определяем реальный объем Vреал разрабатываемой конструкции по формуле:
Vреал=
(6.1.1)Vреал=1929,4 см3
6.2 Расчет теплового режима восьмиполосного стереофонического корректора
Расчет теплового режима РЭА заключается в определении по исходным данным температур нагретой зоны и температур поверхностей и теплонагруженных радиоэлементов и сравнения полученных значений с допустимыми для каждого радиоэлемента в заданных условиях эксплуатации.
Наиболее теплонагруженными элементами являются сетевой трансформатор, транзисторы VT1 и VT4 типа КТ815Б и КТ814Б соответственно. Рассеиваемая мощность трансформатора в рабочем режиме равна 3,9 Вт, номинальная мощность рассеяния транзисторов в рабочем режиме равна 2,8 ВТ , а допустимая для транзисторов мощность рассеяния 10 Вт при температуре не более 50°С.
Так как нагрузка транзистора VT1 равна нагрузке транзистора VT4 и параметры этих транзисторов равны, то расчет будем производить лишь для одного транзистора VT1, я расчет второго транзистора будет аналогичен.
6.2.1 Расчет пластинчатого радиятора при естественном воздушном охлаждении для транзистора КТ815Б
Таблица 6.2.1 Исходные данные для расчета теплового режима пластинчатого радиатора
Мощность рассеиваемая транзистором в рабочем режиме Р,Вт | 2,8 | |||
Температура окружающей среды То.с.,°С | +30 | |||
Тепловое сопротивление переход-корпус Rп-k, .,°С/Вт | 2,3 | |||
Контактное сопротивление корпус-теплоотвод Rк-т, .,°С/Вт | 0.5 | |||
Толщина пластины d, м | 2×10-3 | |||
Максимальная температура перехода Тп, °С | +125 | |||
Высота пластины h, м | 30×10-3 |
Рассчитываем среднюю поверхностную температуру теплоотвода
Тср=0.96[Тп-Р(Rп-k+ Rк-т)]=0.96[125-2,8/2,3+0,5)]=112,47ºC(6.2.1)
Определяем перепад между средней поверхностной температурой теплоотвода и окружающей средой:
∆Т=Тср-Тос=112,47-30=82,47 ºC(6.2.2)
Рассчитываем вспомогательные коэффициенты:
tm=0,5·∆Т=0,5∆·82,47=41,23 ºC (6.2.3)
A1=1,423-2,51·10-3·tm-1,3·10-8·tm3=1,423-2,51·10-3·41,23-1,3·
·10-8·41,233=1,319 (6.2.4)
Определяем коэффициент теплоотдачи конвенцией для вертикально-ориентированной пластины:
αк=A1(∆Т/n)0.25=9,55 Вт/м²·град (6.2.5)
Рассчитываем коэффициент теплоотдачи излучением:
αл=Е·φ·f(Тср,Тос) (6.2.6)
где Е=0.05- степень черноты для алюминиевой пластины;
φ=1- значение коэффициента облученности для гладкой пластины;
f(Тср,Тос)= численное значение функции, зависящей от среднеповерхностной температуры теплоотвода и температуры окружающей среды, определяемое по формуле:
f(Тср,Тос)=5,67·10-8·(Тср+273) 4/∆Т=9,384 (6.2.7)
Тогда коэффициент теплоотдачи излучения равен
αл=Е·φ·f(Тср,Тос)=0.469 Вт/м²·град
Определяем суммарный коэффициент теплоотдачи:
αсумм. = αл+ αк=9,55+0,469=10,019 Вт/м²·град (6.2.8)
Рассчитываем площадь F теплообменной поверхности:
F=P/ αсумм. ·∆Т=2,8/ 10,019·82,47= 3,38·10-3 м² (6.2.9)
Определим длину l пластины по формуле:
L=F-2h·d/2(h+d) (6.2.10)
L=0,0526=5,2·10-2
Расчет окончен.
В результате имеем следующие габаритные размеры пластинчатого радиатора:
Таблица 6.2.2 Результаты расчета пластинчатого радиатора
Длина, м | 0,053 |
Высота, м | 0,030 |
Толщина, м | 0,002 |
6.2.2 Расчет теплового режима блока в перфорированном корпусе и режима работы наиболее теплонагруженных элементов
Расчет поверхности корпуса
Sk=2[L1 L2+( L1+ L2)L3], (6.2.2.1)
где L1и L2- горизонтальные размеры корпуса, м
L3- вертикальный размер корпуса
Sk=2[210·10-3·0,25+(0,21+0,25) ·0,07]= 0,137 м²
Расчет условной поверхности нагретой зоны
S3=2[L1 L2+( L1+ L2)L3Kз], (6.2.2.2)
где Kз-коэффициент заполнения корпуса аппарата по объему, принимаем Kз=0,5
S3=2[0,21·0,25+(0,21+0,25)·0,07·0,5]= 0,111 м³
Определение удельной мощности корпуса
qk=P/ Sk(6.2.2.3)
qk=3,9/0,137=28,46 Вт/м²
Определение удельной мощности нагретой зоны
qз=P/ S3 (6.2.2.4)
qз=3,9/0,111=35,13 Вт/м²
Определение коэффициента Q1 в зависимости от удельноймощности нагретой зоны
Q1=0,1472qk+ 0,2962·10-3qk²+0,3127·10-6qk³ (6.2.2.5)
Q1=0,1472·28,46+0,2962·10-3·28,46²+0,3127·10-6·28,46³=4,4ºC
Определение коэффициента Q2 в зависимости от удельной мощности нагретой зоны
Q2=0,139qз-0,1233·10-3qз²+0,0698·10-6qз³ (6.2.2.6)
Q2=0,139·35,13-0,1233·10-3·35,132 +0.0698·10-6·35,133 =4,73ºC
Определение коэффициента Кн1 в зависимости от давления среды вне корпуса
Кн1=0,82+1/0,925+4,6·10-5·H1 (6.2.2.7)
где H1-давление окружающей среды 1,01·105 Па
Кн1=082+1/0,925+4,6·10-5 ·1,01·105=0,99
Определение коэффициента Кн2 в зависимости от давления среды вне корпуса
Кн2=0,8+1/1,25+3,8·10-5·H2 (6.2.2.8)
Кн2=0,8+1/1,25+3,8·10-5·1,01·105 =0,993
Рассчитывается суммарная площадь перфорационных отверстий
Sп=∑S(6.2.2.9)
Sп= 32·0,00015+18·0,00012=6,96·10-3 м²
Расчет коэффициента перфорации
П= Sп/2L1 L2 (6.2.2.10)
П=6,96·10-3 / 2·0,21·0,25=0,066
Расчет коэффициента, являющегося функцией коэффициентаперфорации
Кп=0,29+1/1,41+ 4,95· П (6.2.2.11)
Кп=0,29+1/1,41+ 4,95 · 0,066=0,865
Расчет перегрева корпуса
Qk= 0,93 Q1 Кн1 Кн2 (6.2.2.12)
Qk= 0,93·4,4·0,99·0,983=3,98ºC
Расчет перегрева нагретой зоны
Q3= 0,93 Кп[Q1 Кн1+( Q2/0,93- Q1) Кн2 (6.2.2.13)
Q3= 0,93·0,865[4,4·0,99+(4,73/0.93-4,4) ·0.983]= 4,04ºC
Определение среднего перегрева воздуха
Qв= 0,6·Q3 (6.2.2.14)
Qв= 0,6·4,04=2,424ºC
6.2.3 Расчет температурных режимов наиболее теплонагруженных элементов схемы
Таковыми являются трансформатор ТС-6-1, транзисторы КТ814Б и КТ815Б. Кроме того, определим температурный режим микросхем К174УД2, как наиболее ответственных элементов схемы.
Определяем тепловой режим трансформатора
Определяем удельную мощность элемента
qэл=Pэл/Sэл (6.2.3.1)
где Pэл- мощность трансформатора
Sэл- площадь поверхности трансформатора
qэл= 3,9/ 0,018= 216,6 Вт/м²
Рассчитываем перегрев поверхности
Qэл= Q3( 0,75+ 0,25 qэл/qз) (6.2.3.2)
Qэл=4,04( 0,75+ 0,25·216,6/35,13)=9,25ºC
Рассчитываем перегрев среды, окружающей трансформатор
Qэс= Qв(0,75+ 0,25 qэл/qз) (6.2.3.3)
Qэс=2,424(0,75+ 0,25·216,6/35,13)=5,55ºC
Находим температуру поверхности элемента
Тэл = Qэл+Тс (6.2.3.4)
Тэл=9,25+ 30= 39,25ºC
Находим температуру среды, окружающей элемент
Тэс= Qэс+Тс (6.2.3.5)
Тэс=5,55+30=35,55ºC
Расчет теплового режима микросхем типа К157УД2
Расчет производиться по той же методике, что и расчет теплового режима трансформатора
Мощность рассеиваемая микросхемой Pэл=0,024 Вт
Площадь поверхности микросхемы Sэл=5,62·10-4 м²