Когда линейно изменяющееся напряжение Uc(t) на выходе интегратора достигнет значения напряжения срабатывания, происходит подача сигнала управления, под действием которого ключевой транзистор VT1 открывается, разряжая конденсатор. Далее процесс повторяется с периодом:
T≈R6C
Задаемся частотой раной 9,6 кГц.
Напряжение Ucm целесообразно выбирать минимальным, чтобы исключить влияние разброса параметров используемых резисторов на коэффициент нелинейности формируемого напряжения.[7]
Максимальное напряжение на конденсаторе связано с длительностью зависимостью
Выбираем U1 = 5В, U2=0В, тогда Ucm = 5В.
Выбираем R6 = R5 = 10 кОм,тогда С3 = 96нФ.
Исходя из следующего, найдем R9.
Uвых = 10 В, тогда:R9= Ucmax*R6/ Uвых = 5*10000/10≈ 2 кОм , берем ближайшее по номиналу
R9 = R10 =2 кОм
В качестве ОУ DD3 выбран 140УД7. Питание ±10В.
4.3 Выбор компаратора
Резистор R12 в сочетании с диодами D1 и D2 ограничивает размах входного сигнала. Благодаря диодам в ограничиваем размах входного напряжения значениями -12,6 В до +12,6 В, условие состоит в том, что отрицательное входное напряжение не должно достигать значения напряжения пробоя (например, для диода типа КД510А это значение составляет - 50 В).
Таблица 3 Параметры выбранного транзистора
Наимен. | Uобр.,В | Iпр. max, A | Iобр.max, мкА | Fdmax, кГц |
КД510А | 50 | 0.2 | 5 | 200000 |
4.4 Расчет электронного ключа
В качестве ключа выбирается следующая схема:
Рисунок 9 – Схема электронного ключа
Rн =0,5 к Ом, Uвых =10В.
Iк=Uвых/Rн=10/500=50mА
По справочнику ищем транзистор, который выдержит заданный ток коллектора (0,05А). Транзистор КТ315А держит постоянный ток до 0,1 А.
Из справочника - h21э, для КТ315А
h21э=30.
Считаем базовый ток Iб=Ik/h21э=0.05/30≈ 1,67 mA, на базу надо подводить ток не ниже 167 мкА.
R14 – согласующее сопротивление между компаратором DD3 и транзистором VT2. Выберем R16 = 200 Ом.
Rвых=R15=500 Ом по заданию, из ряда выбираем 510 Ом. на выходе необходимо получить 10 В, тогда рассчитаем величину резистора R14
(Uпит-Uвых)/R14=Uвых/R15,
откуда R14=2R15/10=102 Ом, из стандартного ряда выбираем номинал 100 Ом. Рассеиваемая мощность 10В*1.25mA≈0,0125 Вт
Таблица 4. Параметры выбранного транзистора КТ315А
Структура: | NPN |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: | 25 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: | 25 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: | - |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: | 30 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц: | 250.00 |
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): | 0.15 |
Корпус: | KT-13 |
Производитель: | Россия |
5. Моделирование схемы
Выходной сигнал с генератора прямоугольных импульсов:
Период выходного сигнала:
Наименьшая длительность импульса:
Длительность должна быть равна 5,12 мкс. По графику видно, что она составляет 5,56мкс.
Длительность импульса должна составлять 97,37мкс. По графику видно, что она равна 97,74 мкс.
В данной курсовой работе разработали принципиальную схему и произвели расчет схемы Широтно-Импульсного модулятора. На вход устройства ШИМ подается синусоида с частотой согласно заданию – 200 Гц, на выходе имеем преобразованный ШИМ сигнал, амплитуда которого 10 В. Диапазон изменения относительной длительности выходных импульсов данного ШИМ составляет – 0.05 ÷ 0.95. Разработанный широтно-импульсный модулятор является достаточно простым. Моделирование схемы производили с помощью пакета CircuitMaker.
1. Альтшуллер Г.Б., Елфимов Н.Н., Шакулин В.Г. Кварцевые резонаторы: справочное пособие. М.:Радио и связь, 1984.-232с., ил.
2. Хорвиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ. – Изд. шестое. М.: Мир, 2001.
3. Лекционный курс по ЭЦиМС (преподаватель Андреев И.Б.).
4. Цифровые КМОП микросхемы, справочник, Партала О.Н. – СПб: Наука и техника, 2001. - 400 стр. с ил.
5. Л. Лабутин, Кварцевые резонаторы. - Радио, 1975, №3.
6. Генераторы прямоугольных импульсов на микросхемах КМОП. В. Стрижов ,Схемотехника, 2000, № 2, стр. 28
7. Забродин Ю.С., Промышленная электроника: учебник для вузов. - М.: Высш. Школа, 1982. – 496с., ил.