Из номинального ряда сопротивлений Rэ=470Ом.
Рассчитаем коэффициент передачи при таком значении Rэ:
Расчет на ВЧ:
Схема замещения:
Частотные искажения на ВЧ рассчитываются по формуле:
,где
- постоянная времени каскада при СН = 0, .Найдем
для транзистора КТ312А: ,где rб - сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер (справочный параметр),
- постоянная времени обратной связи с.Фактор обратной связи вносимый
будет равен:Постоянная времени каскада:
с.Параметр
, где - эквивалентная емкость.Емкость С22 находим по формуле:
, где Ск – справочный параметр равный: Ск = 30 пФТогда эквивалентная емкость будет равна:
Коэффициент частотных искажений на ВЧ будет равен:
Таким образом, на ВЧ мы получили меньшие частотные искажения, чем отводили на каскад, что скомпенсирует завал, полученный за счет входной цепи и других каскадов.
Расчёт на НЧ:
Схема замещения:
На НЧ появляется спад усиления за счет влияния разделительной емкости СР.
Допустимые частотные искажения на НЧ:
, разделительная емкость при этом будет равна: , где мкФ.Возьмем СР с запасом 20…30 %, по ряду номиналов
мкФРасчёт делителя, входных сопротивления и ёмкости:
Эмиттерный повторитель охвачен 100% ООС. Сопротивление в цепи эмиттера по постоянному току достаточно велико и способствует хорошей термостабилизации каскада. Сопротивление
зависит от сопротивления делителя в цепи базы и рассчитывается по формуле:где: параметр
характеризует сопротивление делителя по переменному току: - статический коэффициент передачи тока базы.– изменение обратного тока коллектора при изменении температуры.
– внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе ( В для Si). А – приращение тока коллектора вызванное температурным изменением B ( ). – допустимое изменение тока в рабочей точке.Исходя из известного сопротивления
найдем значения параметра , а следовательно сопротивление делителя.При таком сопротивлении
точно не будет соблюдено условиеСопротивления делителя рассчитаем исходя из условия получения максимального входного сопротивления при
Термостабильность каскада будет обеспечена с большим запасом
В, В. , Ом, ОмВыберем по ряду номиналов
кОм, кОмВходное сопротивление каскада:
, где Ом,Входное сопротивление транзистора в схеме с ОК в F раз больше входного сопротивления схемы с ОЭ.
Входная емкость каскада:
пФ.Схема каскада:
1.5 Расчёт второго каскада
Второй каскад выполним по схеме ОЭ. Расчёт будем производить по той же методике, что мы использовали для расчета эмиттерного повторителя, но с некоторыми отличиями, так как сами схемы включения транзистора в каскаде различны.
Определим параметры по которым будем выбирать транзистор:
Где Umвых = 0,75 В
Imвых = 0,002 А
Этим условиям соответствует транзистор КТ312А. Этот же транзистор мы использовали и в эмиттерном повторителе. Использование одного и того же транзистора позволит уменьшить спектр используемых, при будущем производстве усилителя, активных элементов, что технологически выгодно.
Найдём из рабочей точки и приращений токов и напряжений в ней, следующие параметры:
Так как мы работаем на эмиттерный повторитель, то его входные параметры будут являться параметрами нагрузки для данного каскада:
Из нагрузочной прямой по постоянному току находим:
ОмПроизведем расчет термостабилизации каскада:
, где - статический коэффициент передачи тока базы.– изменение обратного тока коллектора при изменении температуры (а = 0,1…0,13 для Si).
В– внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе (
В для Si).– приращение тока коллектора вызванное температурным изменением