Толщина пленки и концентрация носителей заряда рассчитывается по зависимости:
где d – толщина пленки;
n – концентрация носителей заряда.
Оптические методы контроля обладают высокой разрешающей способностью и хорошей чувствительностью и позволяют перейти от традиционного использования зрительного рецептора оператора к автоматическим методам обработки изображения и использованию полученной информации в процессах испытания РЭСИ.
Рисунок 11 – Номограммы ши А для приближенного определения
показателей преломления n и толщины d эпитаксиальных пленок
Рисунок 12 – Номограммы для определения толщины пленок
Рисунок 13 – Спектральная зависимость показателя преломления с различной концентрацией свободных носителей от длины волны падающего излучения 1 – N=1018 см3; 2 – N=1019 см3
ЛИТЕРАТУРА
1. Глудкин О.П. Методы и устройства испытания РЭС и ЭВС. – М.: Высш. школа., 2001 – 335 с
2. Испытания радиоэлектронной, электронно-вычислительной аппаратуры и испытательное оборудование/ под ред. А.И.Коробова М.: Радио и связь, 2002 – 272 с.
3. Млицкий В.Д., Беглария В.Х., Дубицкий Л.Г. Испытание аппаратуры и средства измерений на воздействие внешних факторов. М.: Машиностроение, 2003 – 567 с
4. Национальная система сертификации Республики Беларусь. Мн.: Госстандарт, 2007
5. Федоров В., Сергеев Н., Кондрашин А. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств – Техносфера, 2005. – 504с.