Рис. 5
Рассчитаем основные параметры эквивалентной схемы:
, т.е. nзвеньев=2Формула для построения графика ослабления при f<f2 :
На рисунке 6 представлена промежуточная и окончательная эквивалентные схемы с идеальными LC элементами.
После пересчета элементов имеем:
С1 = 0,44 нФ, L1=0,44 мГн, С2=0,88 нФ, L2=0,88 мГн.
Рисунок 7
График на рисунке 7б построен по формуле:
. Сдвиг фазы, создаваемый фильтром будем считать в последующих расчетах нулевым.2.3 Разработка схемы электрической принципиальной
На этом этапе определимся с реальными радиокомпонентами. Катушки индуктивности спроектируем, а конденсаторы выберем стандартные, выпускаемые заводом.
Будем разрабатывать схему с конденсаторами и катушками индуктивности, как наиболее дешёвую и обеспечивающую заданные требования.
Предпочтение отдадим конденсаторам с неорганическим диэлектриком — керамическим, рассчитанным на работу в высокочастотном режиме.Высокочастотная керамика имеет большое сопротивление и малые токи утечки, широкий диапазон рабочих температур, керамические конденсаторы имеют не большую стоимость. Остановимся на серии К10 - 57 - МПО - 100 В с отклонением величины ёмкости на
% от номинального значения (ТУ 17501-91).Характеристики и предельные эксплуатационные данные:
- керамические не защищенные, предназначенные для работы в цепях постоянного, импульсного и переменного токов, в том числе и в УВЧ диапазоне;
- сопротивление изоляции «вывод-вывод» - не менее 1000 МОм;
- минимальная наработка - 15000 ч;
- температура окружающей среды от-60 до +125°С;
- ёмкость практически не зависит от частоты;
- добротность более 20000;
- миниатюрное исполнение, с выводами расположенными по краям корпуса
Стандартные номиналы конденсаторов, ближайшие к рассчитанным, выбираем:
С1= 0,425 нФ;
С2 = 0,85 нФ.
Катушки индуктивности можно выбрать близкими по номиналу из стандартной серии «ДМ», либо спроектировать их самостоятельно.
Спроектируем цилиндрическую катушку с однослойной намоткой на ферримагнитном сердечнике (рисунок 8).
Рисунок 8
Для расчёта числа витков будем использовать выражение:
,где
- число витков, = , - относительная магнитная проницаемость материала сердечника, - длинна катушки, = - радиус основания катушки, . Если для сердечника катушки выбран ферромагнетик, то без учета потерь различного вида в расчетах можно принять значение , указанное в обозначении, например: 20ВЧ, 30ВЧ, 50ВЧ, 100ВЧ, 60НН, 100НН, 200НН, 300НН, 600НН, 1000НН, 2000НН, 1000НМ, 2000НМ.Для ферромагнетика марки 2000НН:
В качестве провода намотки (бывают провода марки ПЭВ, ПЭЛ, ПЭЛШО – медные, диаметром от 0,1 до 1 мм) выберем медный провод марки ПЭЛ диаметром 0,1мм (
) , . Это позволяет намотать на выбранном размере сердечника до 100 витков выбранным проводом при однослойной намотке.Учитывая длину провода в катушках L1 и L2 ценим тепловые и дополнительные (вихревые токи, поверхностный эффект) потери в катушках:
Ом ОмДобротность на частоте
:Присвоим катушкам индуктивности номер «своего частного технического условия»: РЗ -090104-12-09ТУ.
Оценим дополнительные потери в полосе пропускания по формуле:
дБт. е. потери не очень существенные и
.3. РАЗРАБОТКА СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ.
3.1 Основные положения теории
Для проектирования выбран однокаскадный усилитель напряжения по схеме “общий эмиттер”. Достоинства по данной схеме включения: обеспечивается усиление электрического сигнала по току, по напряжению, по мощности; в больших пределах можно изменят входное и выходное сопротивления в режиме переменных сигналов, что позволяет согласовать усилитель с внешними цепями.
Недостатком является значительная зависимость характеристики усилителя от температуры. Температурную стабильность улучшают введением дополнительного резистора в цепь эмиттера (отрицательная обратная связь).
Для дальнейшего использования выберем схему “средней стабильности” с фиксированным током смещения и эмиттерной стабилизацией рабочей точки.
Рисунок 9 – Схема “средней стабильности”
Будем применять обозначения:
- входное сопротивление в режиме “постоянного тока”; - входное сопротивление транзистора для “постоянного тока”; - коэффициент передачи по току (на постоянном токе); , - емкости p-n-переходов;Iэ = Iк + h21э·Iб, т.е. Iэ≈Iк;
Im, Um (∆I, ∆U) – амплитуды переменных сигналов при “прохождении” их через усилитель;
- входное сопротивление для малых переменных сигналов; - коэффициент передачи для малых переменных сигналов; (на низких частотах h21оэ≈h21э, на более высоких частотах - уменьшается).В справочниках по транзисторам приводятся значения h21оэ с учетом разброса параметров. В данной курсовой работе используется среднее значение
; - выходное сопротивление ля переменных сигналов;f1 – граничная чистота для схем ОЭ (h21оэ=1);
- предельная частота (h21оэ уменьшается в 2 раза).3.2 Расчет схемы по постоянному току
Выбрана схема с “общим эмиттером” с фиксированным током смещения и эмиттерной стабилизацией рабочей точки. Поскольку транзистор работает в режиме малого сигнала, то его структура не имеет значения. Выберем высокочастотный транзистор КТ312(ТТЗ.701.012 ТУ) n-p-n структуры.
Пример справочных данных маломощного высокочастотного n-p-n транзистора КТ312:
=120МГц