Основные качества полупроводников (стр. 9 из 9)
К140УД1Б ..……………………………….1350...12 000
КР140УД1Б ……………………….2000...12 000
КР140УД1В, К140УД1В……………………………….>8000
Коэффициент ослабления синфазного входногонапряжения …...> 60 дБ
Средний температурный коэффициентнапряжения смещения….<60мкВ/°С
Средний температурный коэффициент
разности входных токов при 7= - 45...+ 25 °С………………< ± 50 нА / °С
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения:
К140УД1А ……………………………>1 В/мкс
К140УД1Б, К140УД1В …………………………..>3,5 В/мкс
КР140УД1А …………………………..> 0,2 В /мкс
КР140УД1Б, КР140УД1В…………………………..> 0,4 В/мкс
Время установления выходного напряжения ……………….<1,5 мкс
Входное сопротивление:
К140УД1А, КР140УД1А …………………………………..50 кОм
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б,КР140УД1В ……………..30 кОм
Выходное сопротивление…………………………………..............300 Ом
Частота единичного усиления ……………………………0,1 МГц
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение питания:
К140УД1А, КР140УД1А .. ……………… …………………≤ ± 6,6 В
в предельном режиме……………………………………………..≤ ± 7 В
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В…………..≤ ± 13,2 В
в предельном режиме с учетом пульсаций ……………….≤ ± 14 В
Дифференциальное входное напряжение…………………………≤ ± 1 В
в предельном режиме ………………………..± 1,2 В
Синфазное входное напряжение:
К140УД1А, КР140УД1А………………………….≤±ЗВ
в предельном режиме …………………………≤ ± 3,3 В
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В……………..≤ 6 В
в предельном режиме ......………………………..≤ ± 6,3 В
Выходной ток …………………………..≤ 2 мА
в предельном режиме ……………………………..≤ 2,5 мА
Температура окружающей среды:
К140УД1 ………………………-45...+ 85 °С
КР140УД1 …………………………-45...+ 70 °С
Микросхемы представляют собой операционный усилитель средней точности с составными транзисторами на входе, без частотной коррекции,где 47 интегральных элемента. Корпус типа 301.12-1, масса не более 1,5г.
Условное графическое обозначение К140УД2 (А, В)
Назначение выводов: 1 - напряжение питания (-Un); 2 - коррекция 1; 5 - выход; 7 - напряжение питания (+Un); 8 - коррекция 2; 9 - вход инвертирующий; 10 - вход неинвертирующий; 11 - коррекция 3; 12 - коррекция 4.
Общие рекомендации по применению
Не рекомендуется подводить какие-либо электрические сигналы к выводам ИС, не используемым согласно электрической схеме (в том числе к шинам «питание» и «корпус»).
Замену ИС в аппаратуре рекомендуется проводить тольм при отключенных источниках питания.
Для обеспечения устойчивости работы ИС необходимо включать корректирующие цепи.
Длина проводника от корпуса ИС до конденсаторов или резисторов, не используемых для частотной коррекции и шунтирующих источник питания, не должна превышать 50 мм.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
К140УД2А ……………………± 12,6 В ± 5%
К140УД2Б …………………………..±6,3 В ±5%
Выходное напряжение:
При Un = ± 12,6 В …………………………..≥±10В
При Un= ± 6,3 В ……………..≥ ± 3 В
Напряжение смещения нуля:
При Un=12,6В для К140УД2А……………………………………..... ≤5мВ
приUn = ± 6,3 В………………………………………………………≤7 мВ
Входной ток приUn = ± 12,6 В и Un =± 6,3 В…………………≤ ± 0,7 мкА
Разность входных токов при Un = ± 12,6 Ви Un =± 6,3 В …... ≤± 0,2 мкА
Ток потребления:
К140УД2А при Un = ± 12,6 В…………………………………………≤8 мА
К140УД2Б при Un = ± 6.3 В ..……… ……………………….≤ 5 мА
Коэффициент усиления:
К140УД2А приUn = ± 12,6 В …………………………….30 ·103...240 ·103
К140УД2Б при Un= ±6,3 В .…………………………………. 2·103...50 ·103
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение литания
К140УД2А . ……………………………………………± 13,3 В
в предельном режиме с учетом пульсаций……………………. ±15 В
К140УД2Б....................................................±6,6 В
в предельном режиме ……………………………………±7,5 В
Напряжение между входами приRГ≥ 1 кОм
К140УД2А . ... ……………………………………………………±4 В
в предельном режиме ..…………………………………………..± 5 В
К140УД2Б .. ……………………………….± 2 В
в предельном режиме . …………………………….± 2,8 В
Напряжение каждого входа относительно общей точки: при Rr> 1 кОм.
К140УД2А .........................................±6В
в предельном режиме…………………………………………….± 7 В
К140УД2Б…………………………………………….±ЗВ
в предельном режиме………………………………………………. ± 4 В
при Rr ≥10 кОм.
К140УД2А…………………………………………………………. ±13,ЗВ
в предельном режиме ... ..…………………………………………..± 15 В
К140УД2Б . . . ..……………………………………………………..±6,6 В
в предельном режиме . .. .…………………………………………..±7,5 В
Выходной ток (пиковый):
К140УД2А . .……………………………………………………….13 мА
К140УД2Б…………………………………………………………..6 мА
Сопротивление нагрузки . ..…………………………………≥ 1 кОм
Емкости нагрузки .………………………………………….≤ 100 пФ
Температура окружающей среды………………………...-45...+ 70 °С
Цифровые интегральные схемы
Цифровые интегральные схемы применяются очень широко в различных электронных устройствах, не говоря уж об их очевидной области применения - вычислительной технике. Цифровые сигналы передают информацию либо в виде величины, кратной стандартному временному интервалу между ними, либо в виде двух уровней сигнала: низкого уровня (логический 0) и высокого уровня (логическая 1).
К155ИД4, КБ155ИД4-4, КМ155ИД4
Микросхемы представляют собой сдвоенный дешифратор- демультиплексор 2-4. Содержат 131 интегральный элемент. Корпус типа 238.16-1, масса не более 2 г. и типа 201.16-5, масса не более 2,5 г.
Условное графическое обозначение К155ИД4, КБ155ИД4-4, КМ155ИД4
Назначение выводов: 1 - информационный входD; 2 - стробирующий вход
; 3 - адресный вход В; 4 - выход 
8; 5 — выход 4; 6 - выход 2; 7 - выход 1; 8 - общий; 9 - выход 1; 10 - выход 2; 11 - выход 4; 12 - выход 8; 13 - адресный вход А; 14 - стробирующий (инверсный) вход 
; 15 - информационный (инверсный) вход ; 14 — напряжение питания.Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня ≤0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде ≥-1,5 В
Входной ток низкого уровня ≤ - 1,6 мА
Входной ток высокого уровня ≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания -18. -55 мА
Ток потребления ≤ 40 мА
Потребляемая статическая мощность (30 МГц) ≤210 мВт
Время задержки распространения при включении
по входу 2, по выходам 4—7,
по входам 14, 15 по выходам 9—12,
по входу 13 по выходам 5, 7, 9, 11,
по входу 3 по выходам 6, 7, 9, 10 ≤ 27 нс
по входу 3 по выходам 4, 5, 11, 12
по входу 13 по выходам 4, 6, 10, 12≤32 нс
по входу 1 ло выходам 4— 7 ≤30 нс
Время распространения при выключении:
по входу 2, по выходам 4—7,
по входам 14, 15 по выходам 9—12,
по входу 13 по выходам 5, 7, 9, 11,
по входу 3 по выходам 6, 7,9, 10≤20 нс
по входу 3 по выходам 4, 5, 11, 12,
по входу 13 по выходам 4, 6, 10, 12 ≤ 32 нс
по входу 1 по выходам 4—7 ≤ 24 нс
К155АГ1
Микросхема представляет собой одновибратор с логическим элементом на входе. Содержит 55 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Условное графическое обозначение К155АГ1
Назначение выводов: 1 —выход; 2, 8, 12, 13 — свободные; 3, 4, 5 —входы; 6 — выход; 7 — общий; 9, 10, 11—для подключения времязадающей цепи; 14 — напряжение питания.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня ≤0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня ≥ 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде ≥-1,5 В
Входной ток низкого уровня.
по выводам 3, 4 ≤ -1,6 мА
по выводу 5 ≤- 3,3 мА
Входной ток высокого уровня:
по выводам 3, 4 ≤0,04мА, по выводу 5 ≤ 0,08 мА
Входной пробивной ток ≤1 мА
Ток короткого замыкания . -18 ... - 55 мА
Ток потребления:
приUBX = 0 .≤25 мА
при UВХ = 4,5 В ≤ 40 мА
Потребляемая статическая мощность . ≤171 мВт
Время задержки распространения при включении:
по выводам 3, 4 ≤ 80 нс, по выводу 5 ≤ 65 нс
Время задержки распространения при выключении:
по выводам 3, 4 ≤ 70 нс, по выводу 5 ≤ 55 нс
Рекомендации по применению
Значение внешнего сопротивления между выводами 11 и 14:
1,4 кОм ≤R ≤40 кОм.
Максимальная емкость между выводами 10 и 11 не более 1000 мкФ.
полупроводник заряд примесь диод
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1 Портала О.Н., Халоян А.А., Божко З.В. СПРАВОЧНИК Радиокомпоненты и материалы: Под ред. Н.М. Корнильева – Киев. «Радиооматор», 1998.-720с.
2 Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги Тома 1, 2 : - М.: Радио Софт, 200.
3 Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам: Киев: «Техника»,1984.
4 Харченко В.М. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ:- М.: ЭНЕРГОИЗДАТ, 1982
5 Голомедова А.В. Транзисторы малой мощности :-М.: «Радио и связь», 1995
6 Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги Том 4 :-М.: «Радио и связь», 1997
7 Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам_издание_1
8 Тарабрин Б.В. - Интегральные микросхемы Справочник:-М.: «Радио и связь», 1983