После ламинирования следуют стандартные операции экспонирования и проявления. Существуют СПМ, как органического, так и водно-щелочного проявления. Последние получают все более широкое распространение в связи с более простой процедурой регенерации промывочных вод и утилизации проявочных растворов.
После формирования рисунка паяльная маска подвергается операции задубливания, которая заключается в окончательной полимеризации материала СПМ для набора им в полном объеме защитных свойств, обеспечивающих механическую, термическую и климатическую защиту поверхности ОПП от технологических и эксплуатационных воздействий. Окончательное задубливание может быть термическим или смешанным: термическим и УФ.
К недостаткам СПМ можно отнести ограничение по разрешающей способности:
· 0,3 мм - для толстых (100-150 мкм) пленок СПМ;
· 0,2 мм - для тонких (50-75 мкм) пленок СПМ.
Этого недостатка лишены жидкие паяльные маски.
Жидкая паяльная маска (ЖПМ).
От СПМ ЖПМ отличается только способом нанесения, обеспечивающим покрытие 01111 равномерным тонким слоем. Для ЖПМ применяют два способа нанесения:
· методом трафаретной печати через чистую (без маски) сетку - этот метод является мало производительным и используется в мелкосерийном производстве;
· методом полива в режиме "занавеса" - этот метод требует специального оборудования, создающего падающий ламинарный поток - "занавес", и используется в крупносерийном производстве.
ЖПМ наносится тонким слоем 20-30 мкм и в связи с этим практически не имеет ограничений по разрешению при всех ныне мыслимых рисунках монтажного слоя.
Остальные операции: экспонирование, проявление, окончательное задубливание - аналогичны СПМ. [1,3,4]
3. Описание технологических операций
НАНЕСЕНИЕ КРАСКИ МЕТОДОМ СЕТКОГРАФИЧЕСКОЙ ПЕЧАТИ
Материалы: краски трафаретные печатные защитные щело- чесмываемые серии СТ3.12, краски трафаретные для невпитываю- щих поверхностей серии ТНФП, фотополимеризующиеся композиции ФПК-ТЩ, краски трафаретные гальваностойкиеСТЗЛЗ и СТ3.5. В случае необходимости ТНФП разбавить уайт-спиртом.
Рихтовать заготовки на установке рихтовки. Нанести рисунок. Автомат сеткографической печати, трафаретная форма, шаблон. Сушить, печь сушильная или установка сушки плат УСП-001, температура 60-80 о G, 45-55 мин. Допускается сушка (полимеризация) ТНФП на воздухе 15 час.
При наличии дефектов ретушировать. Эмаль НЦ-25 или краской СТ3.5 с последующей сушкой на воздухе.
При необходимости ретушь удаляется шпателем или тампоном, смоченным ацетоном. Комплекс модулей для травления и снятия краски КМ-8.
Обработать в щелочи натрия гидроокиси ( 50 - 100 г/л), температура 25-35°С, от 0,8 до 3 мин. Удалить краску. Оборудование то же. Натрия гидрат окиси. Промыть проточной горячей водой. Промыть проточной холодной водой. Сушить, КМ-8, 40-60°С, 0,5-2 мин.
ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ ЗАГОТОВОК ДЛЯ СПФ
Контроль поверхности производится визуально. Не должно быть заломов, заусенцев, рисок, смолы, деформированных базовых отверстий. Торцы фольги должны быть ровными и гладкими.
Подготовка поверхности под СПФ производится на пемзост- руйной установке "Комби-Скраб". Заготовки из тонких фольгиро- ванных диэлектриков обрабатываются на "спутниках". Обезжиривание и снятие окисной пленки. Промывка. Обработка струями пемзовой суспензии. Промывка деионизованной водой. Сушка. Выходной контроль качества поверхности: поверхность должна быть розовой, без затеков, окисленных участков, равномерно матовой. Хранение заготовок, поступающих на участок допускается не более 10 дней, обработанных не более 1 час.
ПОЛУЧЕНИЕ РИСУНКА СХЕМЫ ИЗ СПФ
Заготовки должны быть розовые без окислов, затеков, набро- сов. Нанесение СПФ:
Подогреть заготовки - сушильная печь , 60-80°С .Нанести СПФ- ламинатор HRL-650, 105+5°С. Все операции с СПФ и наслоенными заготовками проводить при неактиничном освещении - желтом или оранжевом. Слой СПФ должен быть сплошным без складок, пузырей, посторонних включений и отслоений.
Максимальное время межоперационного хранения 5 суток в темном месте.
Экспонирование: совместить фотошаблон с заготовкой, кнопки 5мм, по "О" отметкам в соответствии со структурой поместить в установку экспонирования ORC HMW-201 В.
Время экспонирования подбирается согласно методике. При экспонировании должны обеспечиваться: равномерная освещенность заготовок, исключающая наличие воздуха между эмульсией фотошаблона и фоточувствительным слоем, температура заготовки не более 35°С. Удалить защитную лавсановую пленку.
Проявить рисунок схемы: установка проявления СПФ-ВЩ КМ-8.
Выборочно из каждой партии изделий замерить размеры элементов. Размер должен быть не более +20 мкм при негативном изображении и не менее -15 мкм для позитивного изображения.
КОНТРОЛЬ И РЕТУШЬ РИСУНКА СХЕМЫ, ЗАЩИЩЕННОЙ СПФ
Изображение должно быть глянцевым, четким, без смещения и потерь деталей изображения. Не должно быть царапин, сколов, кромки по краю рисунка по цвету отличной от изображения. На неэкспонированных участках фоторезист должен быть полностью удален.
Определить места несоответствия требованиям предъявляемым к изображению, отретушировать, подчистить, (микроскоп МБС-2, скальпель, эмаль НЦ-25,ацетон).
Остатки СПФ удалить скальпелем.
Визуально не допускается наличие жировых загрязнений. Травление меди с заготовок со схемой рисунка, защищенной СПФ: установка травления "Кемкат-568", 40+2°С. Камера травления медь хлорная, по металлу 75 - 140 г/л. Промыть водопроводной водой. Рисунок должен быть четким, без рваных краев, вздутий, отслоений, разрывов, протравов. Допускаются отдельные неровности, не ухудшающие минимально допустимые размеры элементов.
Снять ретушь: вытяжной шкаф, ацетон, тампон ваты. Удаление СПФ: установка снятия СПФ ГТМ1254001 - 1-я камера КОН 1,5%, 45-50°С, 2-я камера 45-50°С, 3-я камера - вода водопроводная 10-22°С, 4-я камера промывка 18-22°С. Камера сушки воздух 40-50°С. Проверить полноту удаления. Микроскоп МБС-2.
КОНТРОЛЬ И ПОДЧИСТКА РИСУНКА СХЕМЫ ТРАВЛЕННЫХ СЛОЕВ
Рисунок должен быть четким, без рваных краев, отслоений, обрывов, подтравов. На экранных слоях не должно бьггь белесости диэлектрика, остатков краски, фоторезиста, меди в освобождениях, а также освобождений диаметром меньше допустимого и деформированных (стол с подсветкрй). Определить места несоответствия требованиям предъявляемым к изображению. Неотравленную медь удалять скальпелем или резаком.
Проверить геометрические размеры рисунка схемы - установка "Визекс".
Геометрические размеры рисунка схемы должны соответствовать чертежу.
Линия финишной подготовки ВНМ 1.240.006 НС. Обезжиривание: моющее средство ОП7-ОПЮ 40-50 С, струйная промывка раствором ПВА с рециркуляцией. Струйная промывка горячей водой с рециркуляцией 40-5 0°С. Промывка ДНИ горячей деионизованной водой с применением УЗ с рециркуляцией, 40- 50°С. Сушка в установке ГСМ. Модули сушки с горячим сжатым воздухом, 50-60°С.
Сушка: шкаф сушильный ДПТМ 60-90°С. Вакуумная сушка: установка вакуумной сушки УВС-150, 90-120°С. Вакуумную сушку производить, если сопротивление изоляции не обеспечивается отмывкой.
Все операции отмывки, сушки и последующие операции проводить в х/б перчатках.
ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ ПОД ПАЯЛЬНУЮ МАСКУ
Подготовка поверхности плат (с покрытием медью). Проверить заготовки визуально. Не допускается: диаметр базового отверстия не соответствующий чертежу; наличие изоляционных лент; рассовмещение рисунка фотошаблона с рисунком платы. Зачистить платы. Установка фирмы Schmid "Combi-scrab", кассета. Скорость конвейера 0,8 м/мин.
НАНЕСЕНИЕ ЖИДКОЙ ПАЯЛЬНОЙ МАСКИ
Нанесение жидкой паяльной маски Ozatec. Приготовить ре- зист. Поместить плату на рабочий стол установки трафаретной печати F-700. Установить трафарет. Установить ракели на вал установки. Ракели должны быть закреплены ровно, без перекоса.
Угол наклона ракелей 75 градусов. Зазор между трафаретами и платой 13-14 мм.
Скорость движения ракелей 3 м/мин. Зазор между трафаретом и ракелем 6 мм.
Нанесение резиста проводить за 1 полный цикл (проход ракеля вперед-назад).
Снять плату со стола установки. Слой резиста должен быть равномерным, без посторонних включений. Не допускается непро- крытие на рабочем поле платы.
Сушить: установка сушки, 75-80°С. Отмыть трафарет (ацетон).
Протереть рабочую поверхность фотошаблона и платы. Смонтировать фотошаблоны с заготовками и закрепить кнопками. Наложить фотошаблоны эмульсионной стороной к заготовке, совместив их по базовым отверстиям.
Поместить заготовку в установку экспонирования. Режим экспонирования выбирается согласно рекомендациям фирмы- изготовителя фоторезиста. Экспонировать. Демонтировать заготовку.
Проявление паяльной маски "Ozatec" LSF60. Включить установку проявления КМ-4. Установить на регуляторе скорости конвейера установки значение 6 (0,2 м/мин).
Проявить: 1% р-р Na С03, 3% р-р H2S04. Сушка: шкаф сушильный ДПТМ 3623000. Проверить качество проявления визуально. На неэкспонированных участках фоторезиста должен быть полностью удален. В случае обнаружения брака резист удаляется согласно рекомендациям фирмы "Ozatec".
Дубление паяльной маски "Ozatec". Поместить платы в нагревательный шкаф.
Включить шкаф и нагреть до заданной температуры 145±5°С. Дубить. Выключить шкаф. Открыть шкаф и остудить до комнатной температуры. Вынуть платы.
Обезжирить платы (ацетон). Сушить. Поместить плату на рабочий стол установки трафаретной печати Futura F-700. Установить трафарет на установку внешней стороной к плате. На рабочей стороне трафарета рисунок должен читаться.