| Напряжение насыщения база - эмиттер | Uбэ нас | В | 2.5 |
| Время рассеивания параметра биполярного транзистора | tрас | мкс | - |
| Время включения параметра биполярного транзистора | tвкл | мкс | - |
| Время включения параметра биполярного транзистора | tвыкл | мкс | - |
| Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается | Ск | пф | 60 |
| Емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается. | Сэ | пф | 115 |
| Температура p-n перехода | Тп | ◦С | <100 |
Таблица 1.2 - Параметры транзистора КТ 502Е[4, стр.491,500,501,524]
| Параметр | Обозначение | Единица измерения | Данные о параметрах |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | Ikmax | мА | 150 |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора | Ik, и max | мA | 350 |
| Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер | Uкэ R | В | 60 |
| Постоянное напряжение коллектор – эмиттер | Uкэ | В | 60 |
| Сопротивление перехода база - эмиттер | Rбэ | Ом | 10 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Pк | мВт | 350 |
| Коэффициент шума транзистора | Кш | Дб | - |
| Постоянный ток эмитера | Iэ | мА | 1 |
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база | Uкб max | В | 90 |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база | Uэб max | В | 5 |
| Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы | h21э | - | 40…120 |
Продолжение табл. 1.2
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы | fгр | кГц | 1 |
| Постоянный обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | 1 |
| Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер | |||
| Постоянный обратный ток коллектора - эмиттера | Iкэо | мкА | 1 |
| Напряжение коллектор - база | Uкб | В | 3 |
| Ток коллектора | Iк | мА | 0.6 |
| Ток перехода коллектор - эмитттер | Iкэо | мкА | 50 |
| Выходная полная проводимость | H22э | мкСм | 5 |
| Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается | Ск | пф | 20 |
| Температура p-n перехода | Тп | ◦С | <80 |
Таблица 1.3 - Параметры диода Д303[4, стр.473,474,476]
| Параметр | Обозначение | Единица измерения | Данные о параметрах |
| Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод | Iпр.ср. | А | 3 |
| Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи | Iпр.и. | А | - |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение | Uобр max | В | 150 |
| Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе | Uпр ср | В | 0.3 |
| Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод | Iпр.ср | А | 3 |
| Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением | Iобр | мА | 1 |
| Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения | Tвос.обр | мкс | - |
| Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода | fmax | кГц | 5 |
Таблица 1.4 - Параметры диода Д242Б [4, стр.473,474,476]
| Параметр | Обозначение | Единица измерения | Данные о параметрах |
| Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод | Iпр.ср. | А | 5 |
| Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи | Iпр.и. | А | - |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение | Uобр max | В | 100 |
| Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе | Uпр ср | В | 1.5 |
| Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод | Iпр.ср | А | 5 |
| Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением | Iобр | мА | 3 |
| Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения | Tвос.обр | мкс | - |
| Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода | fmax | кГц | 1.1 |
Выбор и обоснование конструктивных и технологических матриалов
Для изготовления полупроводниковых интегральных схем используют в большинстве случаев пластины монокристаллического кремния p- или n- типа проводимости, снабженными эпитаксиальными и так называемыми “скрытыми” слоями. В качестве легирующих примесей, с помощью которых изменяют проводимость исходного материала пластины, применяют соединения бора, сурьмы, фосфора, алюминия, галлия, индия, мышьяка, золота. Для создания межсоединений и контактных площадок используют алюминий и золото. Применяемые материалы должны обладать очень высокой чистотой: содержание примесей в большинстве материалов, используемых при изготовлении полупроводниковых микросхем, не должно превышать 10-5...10-9 частей основного материала.
Изменяя определенным образом концентрацию примесей в различных частях монокристаллической полупроводниковой пластины, можно получить многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую функцию и до известной степени эквивалентную обычному дискретному резистору, конденсатору, диоду или транзистору. [1, стр. 24-25].
Необходимо отметить, что материал используемый для изготовления интегральной микросхемы должен определятся параметрами зависящими от свойств материала, а именно: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещённой зоны, положения в ней примесных уровней и т. д. Немаловажное значение играют электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда и их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина.
К основным требованиям, которым должны удовлетворять все материалы, используемые в производстве интегральных МС, относятся:
1. стойкость к химическому воздействию окружающей среды;
2. монокристаллическая структура;
3. однородность распределения;
4. устойчивость к химическим реагентам;
5. механическая прочность, термостойкость;
6. устойчивость к старению и долговечность.
Важным фактором, который должен учитываться при определении возможности применения какого-либо материала или технологического процесса производства ИМС, является его совместимость с другими применяемыми материалами [1, стр.24,25, 27].
Приведем параметры некоторых проводящих материалов и параметры некоторых полупроводниковых материалов.