Разработка интегральных микросхем (стр. 6 из 15)
=(0,1–1) * 1018 см; 
- концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, 
=(0,05 – 1)*1017 ; 
Коэффициенты
, 
и высчитываются по формулам :
(7) 
мкм;
(8) 
(9)Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
(10) 
В
(11) 
В
(12) 
В 
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:
(14) 
Ф;
(15) 
Ф;Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(16)
А;Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(17) 
А;[8. стр.20-27]
Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС.
Решив неравенство
получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски. 
Таблица 3.1.2 Расчетные параметры транзистора КТ805А.
| Наименование параметра | Значение | Единица измерения |
 - коэффициент передачи | 9.086E+4 | - |
 - коэффициент инжекции эмиттерного перехода | 0.99 | - |
 - коэффициент переноса | 1 | - |
 -диффузионная длина акцепторов | 5.212E-7 | см |
 - диффузионная длина доноров | 1.158E-7 | см |
 -ширина базы | 1.2E-6 | см |
 -инверсный коэффициент передачи | 53.642 | - |
 -площадь эмиттера | 3E-6 |  |
 - площадь базы | 2E-5 | |
 -коэффициент | 0 |  |
 - обратный ток эмиттера | 7.073E-12 | A |
 - обратный ток коллектора | 1.626E-11 | A |
 | 0.817 | - |
 | 0.937 | - |
 -температурный потенциал | 0,026  | - |
 -емкость перехода коллектор-база | 3.354E-11 | Ф |
 - емкость перехода эмиттер-база | 1.367E-11 | Ф |
 -максимальное напряжение коллектор-база | 4.527 | В |
 - максимальное напряжение эмиттер-база | 2.795E-3 | В |
 - максимальное напряжение эмиттер- коллектор | 0.817 | В |
 -омическое сопротивление базы | 1.556E-3 | Ом |
 - омическое сопротивление коллектор | 1.958 | Ом |
Таблица 3.1.3 Исходные параметры транзистора КТ502Е
| Наименование параметра | значение | Единица измерения |
| hб –глубина залегания р-n перехода база-коллектор |  | см |
| hэ - глубина залегания эмиттерного р-n перехода | 0.8  | см |
| hк- толщина коллекторной области |  | см |
 - концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности |  |  |
 - концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода |  | |
 - поверхностная концентрация акцепторов в базе |  | |
 - концентрация донорной примеси в коллекторе |  | |
 - удельное объемное сопротивление коллекторной области |  |  |
 - удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы |  |  ð |
 - удельное поверхностное сопротивление активной области базы |  |  ð |
 - диффузионная длина дырок в эмиттере |  | см |
 - коэффициент диффузии дырок в эмиттере |  |  |
 - диффузионная длина электронов в базе |  | см |
 - коэффициент диффузии электронов в базе |  |  |
 - диффузионная длина дырок в коллекторе |  | см |
 - коэффициент диффузии дырок в коллекторе |  |  |
 - концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике |  | |
 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника |  | - |
Расчет параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.