Разработка интегральных микросхем (стр. 7 из 15)

Ширина эмиттера R_э=3Δ, площадь эмиттера S_э=300 мкм²

Длина эмиттера:

;

мкм

Длина базы:

(18)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

(19)

Ом

(20)

Ом

где К_к = 0 для конструкции с одним базовым контактом;

, -удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

(21)

где

=(0,5 – 2,5) мкм

мкм

Коэффициент переноса

вычисляется по формуле:

где

- диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 10¹⁸ см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см^-3, =(0,05 – 1)*10¹⁷ ;

Коэффициенты

, и высчитываются по формулам :

(22)

мкм;

(23)

(24)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

(25)

В

(26)

В

(27)

В

- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

(30)

Емкость перехода коллектор-база и эмиттер – база определим как:

(31)

Ф;
(32)

Ф;

Обратный ток эмиттера определяется по формуле:

(33)

Обратный ток коллектора определяется по формуле:

(34)

А ;