Определим по справочной литературе [5] площадь контактной поверхности:
Sk = 40×10-3´28×10-3 = 1,12×10-3 м3 (78)
Рассчитаем тепловое сопротивление контакта между прибором и охладителем Rk:
(79)Определим перегрев места крепления прибора с охладителем:
(80)Так как перегрев места крепления транзистора очень маленький, то, я считаю, что охладитель не требуется.
Для спроектированного усилителя начертим амплитудно-частотную характеристику, а также фазо-частотную характеристику.
Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) – зависимость амплитуды сигнала на выходе устройства от частоты входного сигнала неизменной амплитуды.
Фазо-частотная характеристика (ФЧХ) – зависимость ыазового сдвига между гармоническими колебаниями на входе и выходе устройства от частоты входного сигнала.
Рассчитаем данные для построения АЧХ и ФЧХ:
G = 20×lgku = 20×lg 5061 = 74.08 (81)
(82) (83) (84)Спроектированный усилитель работает на двуролярном питании ±35 В при температуре окружающей среды от -10 °С до 50°С. Имеет подосу пропускания от 30 Гц до 28 кГц, а также коэффициент нелинейных искажений 1,703 %. В спроетированном усилителе предусмотрена защита выходного каскада по току.
Достоинства усилителя – большие коэффициенты усиления по току
( кi = 11892332,3) и по напряжению (кu = 5061). Также сравнительно большое входное сопротивление.
Недостатком спроектированного усилителя является подборка элементов, так как очень трудно подобрать одинаковые транзисторы. Также недостатком данного усилителя является сравнительно большое количество элементов, что приводит к трудностям при настройке схемы усилителя.
Усатенко С.Т. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник. – М.: Издательство стандартов, 1989. – 325 с.
Расчет электронных схем. Примеры и задачи. /Г.И. Изъюрова М.: Высш. шк., 1987. – 325 с.; ил.
Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. – 3-е изд., перераб. И доп. – М.; Радио и связь, 1988 – 199 с: ил.
Кибакин В.М. Основы теории и разработки транзисторных низкочастотных усилителей мощности. – М.: Радио и связь,
1988. – 240 с.
Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Техника, 1980. – 464 с.;ил.
Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности./А.А. Зайцев:Под ред А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь,
КубК-а 1994. – 384с.;ил.
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности./А.А. Зайцев:Под ред А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь,
КубК-а 1994. – 384с.;ил.
Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу « Аналоговая схемотехника».Бизянов Е.Е. – Алчевск, ДГМИ 1999.- 35с.