Расчёт интегральной микросхемы (стр. 4 из 5)
пФ.Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.
6. Оценка надежности ИМС
В данном случае интенсивность отказов
полупроводниковой ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением 
(6.1)где m – число групп элементов;
- число элементов данного типа; 
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние температуры окружающей среды и электрической нагрузки; 
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние механического воздействия, влажности и изменение атмосферного давления; 
; 
=1,07 для полевых условий эксплуатации, 
=2,5 при влажности 90% и температуре 40 
, 
=1 для высоты уровня моря; 
- интенсивность отказов элементов, металлизации, кристалла и конструкции.Значения интенсивностей отказов определим по следующим формулам
, (6.2) 
, (6.3) 
, (6.4)где
- интенсивность отказов из-за дефектов, обусловленных диффузией ( = 
); 
- интенсивность отказов из-за дефектов металлизации ( 
= 
); 
- интенсивность отказов из-за дефектов оксида ( = 
); 
- интенсивность отказов из-за дефектов от посторонних включений в корпусе ( = 
); 
- интенсивность отказов из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла ( = 
); 
- интенсивность отказов из-за некачественного крепления кристалла ( 
= 
); 
- интенсивность отказов из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения ( = 
); 
- интенсивность отказов из-за повреждения корпуса(для пластмассового корпуса = 
); 
, 
, 
- интенсивности отказов элементов, металлизации, и кристалла соответственно; 
- число стадий диффузии при формировании элемента (для транзистора – 4, для резистора – 2, для конденсатора – 3); 
, 
, 
- площади элементов, металлизации, и кристалла соответственно(площадь одного транзистора составляет – 0,015 
, конденсатора – 0,058 
, суммарная площадь металлизации – 0,32 , площадь кристалла – 1,15 
).К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, значения интенсивностей отказов которых были рассмотрены ранее.
2,675*(12*1,1*( 
*4+ 
*0,015)+1,7*( *2+ *0,073)+ 1,7*( *2+ *0,012)+1,7*( *2+ *0,003)+ 1,7*( *2+ *0,01)+1,7*( *2+ *0,009)+1,2*( *2+ *0,058)+1,3( 
+ 
+ )*0,32+ 
*1,15+ 
+ 
+ 
= 
Вероятность безотказной работы для времени t=10000ч определим по формуле
. (6.5) 
7. Технология изготовления микросхемы
1.Химическая обработка пластин, двухстадийная в перикисно-аммиачном растворе.
2.Окисление кремния во влажном кислороде при 1000
в течении 2ч до получения окисла толщиной (0,6 
0,06)мкм.3.Фотолитография для образования окон под
- скрытый слой. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50 
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200 . Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: 
=2:7:1.