определим поле рассеяния относительной погрешности активной площади:
(64)Определим поле рассеяния производственной погрешности:
(65)Определим положительное и отрицательное значение предельного отклонения емкости:
(66) (67)Предельное отклонение емкости будет равно максимальному из этих значений:
Проверим условие:
ÞКак видно это условие выполняется, из этого следует, что выбранный материал нам подходит по своим характеристикам.
Пользуясь этим расчетом рассчитываем остальные конденсаторы, а результаты запишим в таблицу №2.
Таблица №2.
L1 | B1 | L2 | B2 | Lд | Bд | S | SP | |
С1; C4 | 14.55 | 14.55 | 14.15 | 14.15 | 14.75 | 14.75 | 217.563 | 200 |
С2; C5 | 7.15 | 7.15 | 6.75 | 6.75 | 7.35 | 7.35 | 54.022 | 45.333 |
С3; C6 | 3.55 | 3.55 | 3.15 | 3.15 | 3.75 | 3.75 | 14.063 | 10 |
В ходе данного курсового проекта была разработана конструкция микросборки усилителя промежуточной частоты. Проведен расчет топологии микросборки (расчет пассивных элементов схемы и их расположения на подложке). Разработана маршрутная технология микросборки. Сделан анализ конструкции микросборки. Таким образом, все требования технического задания были выполнены.
1. Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. М: «Высшая школа» 1984 г.
2. Парфенов О.Д. Технология микросхем М:«Высшая школа» 1986 г.
3. Сажин Б.Н. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1987 г.
4. Сажин Б.Н. Фотолитография в технологии тонкоплёночных микросхем и микросборок Рязань РРТИ 1993 г.
5. Сёмин А.С. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1983 г.
6. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем Рязань РРТИ 1978 г.
7. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч.1. Рязань РРТИ 1981 г.
8. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч. 2. Рязань РРТИ 1981 г.
9. Сёмин А.С. Оформление конструкторской документации на плёночные микросборки Рязань РРТИ 1983 г.
10. Сёмин А.С. Методические указания к курсовому проекту по курсу «конструирование и расчет микросхем» Рязань РРТИ 1971 г.