F = n/2tC66/ρ,
где n - номер механической гармоники;
t - толщина пьезоэлемента;
С66- модуль упругости среза АТ;
ρ - плотность кварца.
Отношение С0 к Сk с переходом с первой (основной) на третью механическую гармонику увеличивается в 9 раз, на пятую механическую гармонику – в 25 раз, т.е. пропорционально квадрату номера механической гармоники. При этом диапазон перестройки частоты генераторов с увеличением номера механической гармоники уменьшается в той же степени. Таким образом, использование резонаторов с возбуждением на том или ином номере механической гармоники зависит от сочетания требований к пределам перестройки, с одной стороны, и, с другой стороны, от требований к долговременной стабильности, поскольку последняя при прочих равных условиях улучшается при увеличении номера механической гармоники. При этом необходимо учитывать влияние уровня возбуждения резонатора на параметры и долговременную стабильность частоты.
Технология выращивания кристалла
Для выращивания кристаллов используют специальные прочные стальные сосуды – автоклавы, способные выдержать очень высокие давления и температуры.
На дне автоклава, нагреваемого снизу и охлаждаемого сверху, размещается растворяемое вещество – шихта. Над ней расположены затравки (пластины, выпиленные по определенному направлению из кристалла выращиваемого вещества). В автоклаве создается разность температур (нижняя зона более горячая), чему способствует диафрагма – перегородка с отверстиями, разделяющая верхнюю и нижнюю зоны. Раствор циркулирует между гранулами шихты, насыщаясь веществом выращиваемого кристалла. Одновременно происходит нагревание гидротермального раствора. Горячий (и потому – более легкий) раствор поступает в верхнюю часть автоклава, где остывает.
Растворимость кристаллизуемого вещества с понижением температуры снижается, избыток растворенного вещества отлагается на затравки. Холодный высокоплотный обедненный раствор опускается в нижнюю часть автоклава и цикл повторяется. Процесс ведется до полного переноса вещества шихты на затравки.
Далее готовый кристалл очищается от примесей при помощи электроочистки. Электроочистка происходит путем подачи на электроды пьезоэлемента-бруска высокого напряжения при токе несколько десятков миллиампер. Старение очищенных таким образом пьезоэлементов меньше, так как исключается диффузия примесных ионов на поверхность пьезоэлемента в процессе эксплуатации резонатора.
Технология обработки
Резонатор в тепловом интервале должен иметь определенные частоты, поэтому распиловка кристалла кварца происходит при медленном движении алмазной пилы, ориентировочно ат-среза, равного 35 градусов 15 минут (от оси x, y, z).
РАСПИЛОВКА КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА НА СРЕЗЫ. Перед распиловкой кристалл кварца наклеивают на стеклянную плашку, которая, в свою очередь, наклеивается на деревянную плашку. Их склеивают клеем БФ-4. Стекло обладает близкими к кварцу механическими свойствами, это предохраняет кварц при распиловке от образования сколов на месте выхода пилы. Кварцевое сырье наклеивают мастикой или шеллаком на плашки размером 150x100x15 мм.
Для распиловки на х-блоки наклеенный кристалл кварца укрепляют на суппорте станка, совместив отмеченную плоскость yz с плоскостью пилы. Отрезают пробный срез. На рентгенгониометре измеряют угол .отклонения плоскости среза от. атомной плоскости YZ и поправку записывают на пробном срезе.
Плоскопараллельность должна быть в пределах 0,2 мм и 50 мм длины. Распиловку кристалла кварца следует вести от oбoих краев куска кварца к центру, предварительно разметив кристалл кварца на определенное число х-блоков. Этим предотвращается возможность отклеивания кварца от плашки во время распиловки. После этого легкими ударами молотка отделяют х-блоки от плашки и передают на подшлифовку.
ШЛИФОВКА. На шлифовальном станке с планшайбой подшлифовывают поверхность YZ х-блоков до устранения следов резки или образовавшихся при резке выступов и неровностей. При этом необходимо сохранить плоскопараллельность плоскостей среза к атомной плоскости YZ. После подшлифовки х-блоки промывают в воде и просушивают в термостате с температурой воздуха не выше 50- 60° С.
После проверки на рентгене пластинки размером 20+20 мм склеивают в стопки и обрезают. Пластики в количестве 30-60 шт. собирают в стопки так, чтобы совпадали линии их разметки. По краям стопки кладут несколько дефектных пластиков. Собранную стопку ставят на стекло и подогревают на электрической плите до 50° С. Сверху на.нагретые заготовки наносят мастику, которая склеивает стопку, проникая в щели между пластиками. Усилием руки стопку сжимают, обеспечивая ее равномерное склеивание. После остывания пакет отправляют на круглошлифовальный станок, где он преобретает свою будущую форму. Таким образом, разклеив пакет получают круглые пластинки (стопку элементов разогревают и расклеивают, элементы промывают в бензине). Толщина пластинок должна соответствовать окончательной толщине годного элемента, но с припуском по толщине на шлифовку. Шлифовальный станок с уже более мелкой крошкой позволяет добиться определенной частоты пластинки. Снимается фаска.
ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА. Пластинки отмываются и травятся в растворе на основе кислоты (деметилформамид) при температуре. Тем самым, снимается верхний слой порядка 5 мкр, что позволяет добиться идеально гладкой поверхности пластинки.
МЕТАЛЛИЗАЦИЯ. Используется установка вакуумной металлизации: происходит закладка кассет, диффузерным насосом откачивается воздух, в испарителе заданное количество серебра плавится и кипит, его пары осаждаются на пластинках.
МОНТАЖ. Пьезоэлемент с напылением (электродом) вставляется в держатель и крепится токопроводящим клеем на основе серебра (95% Ag+эпоксидная смола). Полимеризуется в печи при температуре 150ºС 60 минут.
НАСТРОЙКА НА ЧАСТОТУ. После разбраковки резонаторы с недостаточной частотой подпыляют в специальной машине IFC-6HC, а резонаторы с избыточной частотой подтравливают дополнительно (аргон под давлением выбивает атомы серебра).
ГЕРМЕТИЗАЦИЯ. Конденсаторной сваркой или лазерным лучом спаивают колпачок изделия. Резонатор проходит термотренировку в печи около 530 часов.