Смекни!
smekni.com

Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для слухового аппарата (стр. 7 из 9)

Погрешность двух последних параметров оказалась значительной ввиду того, что при экстракции параметров модели ПТУП в теории допускались некоторые приближения, и для достижения соответствия расчетных значений Ri и RO необходимо несколько преобразовать соотношения вышеописанной методики.

3 Выбор физической структуры и технологического маршрута

изготовления ИМС

Основным элементом ИМС истокового повторителя является ПТУП. Поэтому, исходя из требований, предъявляемых к ПТУП, производят выбор физической структуры различных областей.

В физическую структуру разрабатываемой ИМС входят 7 технологических слоев: эпитаксиальный слой, p+-разделение, p-базовый слой, n+-эмиттерный слой, окисел SiO2, контактные окна, металлизация.

Все эти слои формируются на p-подложке 480 КДБ10 Ø100 мл., причем изоляция элементов осуществляется p+-разделительными слоями, тип проводимости которых противоположен типу проводимости эпитаксиального слоя и совпадает с типом проводимости подложки.

Резисторы в ИМС создаются на основе базового слоя.

В схеме использован диод смещения затвора ПТУП на основе перехода база-эпитаксиальный слой и применяется однослойная металлизация.

В качестве основы для разрабатываемой ИМС была использована физическая структура ИМС истокового повторителя, которая изготавливалась на предприятии ОАО «Орбита», г. Саранск.

Выбор физической структуры был обусловлен тем, что:

1. В микросхемах рабочие напряжения не превышают 2 В.

2. Параметры физической структуры разрабатываемой ИМС приблизительно соответствуют параметрам ИМС истокового повторителя.

3. Минимальная проектная норма – 3 мкм.

Технологический маршрут изготовления и нормы на контролируемые параметры ИМС истокового повторителя приведены в таблице 3.1.


Таблица 3.1 – Маршрут изготовления и нормы на контролируемые параметры ИМС истокового повторителя. Подложка 480 КДБ10 Ø100 мл

№ п/п

Наименование операции

Нормы на параметры
1, 2 х/о, Эпитаксиальное наращивание ρ = 3 ± 0,5 Ом/ÿ hэс = 3 ± 0,4 мкм
1, 2 х/о, окисление h = 0,5 ± 0,03 мкм
3 Фотолитография I под разделение
4, 5 х/о, разделительная диффузия RS = 15 ± 3 Ом/ÿ; xJ ³ hэс
6 Снятие SiO2
7 Контроль UИЗ UИЗ > 80 В
8, 9 х/о, окисление h = 0,5 ± 0,03 мкм
10 Фотолитография II под затвор
11, 12 х/о, подокисление hок = 0,12 мкм
13 Ионное легирование бором xJ = 2,3 ± 0,2 мкм
14, 15 Обработка в Каро, х/о
16 Диффузия бора, II ст. RS = 100 ± 10 Ом/ڤ; hок = 0,35 ÷ 0,52 мкм
17 Фотолитография III под исток-сток
18 Контроль RS, UПР, JКАНАЛА
19, 20 х/о, диффузия фосфора RS = 5 ± 1 Ом/ڤ; hок = 0,3 ÷ 0,4 мкм; xJ = 1,0 ÷ 2 мкм
21 Фотолитография IV под контактные окна
22 Контроль RS, JКАНАЛА JКАНАЛА2зонд. ≈ 80 – 120 мкА; JКАНАЛА3зонд. ≈ 200 – 600 мкА
23, 24 х/о, напыление Al hAl = 1,2 ± 0,2 мкм
25 Фотолитография V по Al
26 Вплавление Al
27

Контроль качества конактов

28 Обезжиривание
29 Осаждение SIO2 h = 0,4 – 0,6 мкм
30 Химутонение h = 400 – 40 мкм
31 Фотолитография VI
32 Термообработка
33 Контроль параметров JКАНАЛАна крист ≈ 200 – 600 мкА
34 Функционирование

4 Разработка эскиза топологии ИМС истокового повторителя

При создании эскиза топологии разрабатываемой ИМС использовались топологии двух микросхем: 1 – ИМС производства ОАО «Орбита», г. Саранск; 2 – ИМС производства ОАО «НИИМЭ и «Микрон» г. Зеленоград. В качестве эскиза топологии разрабатываемой ИМС предлагается топология ИМС истокового повторителя производства ОАО «Орбита». Эскиз топологии разрабатываемой ИМС приведен в приложении А.

Принципиальная схема ИМС 1 содержит следующие элементы: VT1 – полевой транзистор, VD1 – диод, R1, R2 – резисторы. Принципиальная схема ИМС 2 содержит: VT1 – полевой транзистор, VD1 – диод, R1 – резистор. Таким образом, принципиальная схема ИМС 1 отличается от ИМС 2 числом резисторов. В первой схеме их два: R1 = 4,8 кОм; R2 = 10,6 кОм, а во второй один: R1 = 25 кОм.

Различия между ИМС существуют и в топологии. Топология этих микросхем различается по конструкции основного активного элемента – ПТУП. В ИМС 1 применена конструкция ПТУП шахматного типа, в то время как в ИМС 2 полевой транзистор выполнен в виде гребенчатой структуры. Также наблюдаются различия в конструкции резисторов.

Разрабатываемая ИМС выполняется по биполярной технологии, она имеет 4 вывода на кристалле: 1 – напряжение питания, 2 – выход, 3 – общий, 4 – вход.

Размеры кристалла разрабатываемой ИМС 0,71×0,71 мм.

5 Анализ организации дипломного проекта и расчета затрат,

необходимых для его выполнения

5.1 Организационная часть

В процессе выполнения дипломного проекта определим рациональность своего труда. Для этого необходимо сопоставить запланированное время на проектирование ИМС и оформление дипломного проекта с фактически затраченным. На первом этапе составим план работы, определим исполнителей и рассчитаем плановую трудоемкость выполнения отдельных этапов работы, рассчитаем удельный вес каждого этапа в общем времени, отведенном на дипломное проектирование. А затем проведем аналогичные расчеты по фактическим данным. Результаты расчетов приведены в таблице 5.1 [9].

Таблица 5.1 – Трудоемкость работы

Этап Содержание работы Исполнитель Трудоемкость
плановая фактическая
Чел.ч % Чел.ч %
1-й Составление задания на дипломный проект Руководитель на кафедре Дипломник 0,5 0,5 0,08 0,08 0,5 0,5 0,10 0,10
2-й Обзор литературы по тематике проекта Дипломник 66,5 12,31 60,5 11,66
3-й Снятие зависимостей и характеристик Руководитель на кафедре Дипломник 3,0 120,0 0,56 22,22 3,0 130,0 0,58 25,05
4-й Анализ и обработка результатов эксперимента Дипломник 150,0 27,78 130,0 25,05
5-й Консультации по экологичности и безопасности Консультант Дипломник 1,0 1,0 0,19 0,19 1,0 1,0 0,19 0,19
6-й Консультации по организационно-экономической части Консультант Дипломник 1,0 1,0 0,19 0,19 1,0 1,0 0,19 0,19
7-й Консультации по написанию дипломного проекта Руководитель на кафедре Дипломник 20,5 75,0 3,80 13,89 20,5 75,0 3,95 14,45
8-й Оформление дипломного проекта (на компьютере) Дипломник 100,0 18,52 95,0 18,30
ИТОГО: 540,0 100,0 519,0 100,0

Из данной таблицы видно, что фактическая трудоемкость составила 519 человекочасов, что на 21 час меньше запланированной.

Отклонения произошли на 2-м, 3-м, 4-м и 8-м этапах. На обзор литературы по тематике проекта было потрачено времени немного меньше, чем было запланировано, что объясняется наличием необходимых библиографических источников в сети «Интернет». Больше времени потребовалось для снятия зависимостей и характеристик, и меньше для анализа и обработки результатов эксперимента. Оформление дипломного проекта заняло немного меньше времени ввиду модернизации компьютера.

5.2 Экономическая часть

Затраты, связанные с проектированием и моделированием схемы рассчитываются по смете, которая включает следующие статьи:

Материалы (в том числе затраты на электроэнергию).

Расходы на оплату труда.

Единый социальный налог.

Амортизационные отчисления.

Прочие расходы.

Затраты на материалы рассчитываются по формуле:

ЗМ = СМ + СЭЛ, (86)

где СМ – стоимость материалов, руб;