Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
2000
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Рисунок 1
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Предельные значения параметров при Т=25˚С | Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С | Значения параметров при Т= 25˚С | R т п-к, ˚С/Вт | |||||||||||
I пр, ср max А | Uобр, и, п мах, В | Uобр мах, В | Iпрг (Iпр, уд)мах, А | fмах, кГц | Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В | tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс | I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА | |||||||
Т˚С | tи(tпр), мс | Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А | Iпр, и, А | Uпр, и, В | ||||||||||
10 | 85 | 200 | 200 | 100 | 10 | 100 | 140 | 1 | 10 | 0,3 | 1 | 20 | 0,2 | 1,5 |
Зависимость r~ от Uпр | |||||||
Uпр | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 | ||
r~ | 0,1 | 0,0666667 | 0,05 | 0,044444 | 0,038462 |
Зависимость R= от Uобр | ||||||||
Uобр | 50 | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 | ||
R= | 3571429 | 6666666,7 | 8333333 | 4878049 | 2777778 | 1304348 |
Зависимость r~ от Uобр | |||||||
Uобр | 50 | 100 | 150 | 200 | 250 | ||
r~ | 50000000 | 25000000 | 5555556 | 2631579 | 1157407 |
Зависимость Cдиф от Uпр | ||||
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
Сдиф
0,08
0,12
0,2
0,32
0,44
0,6