Смекни!
smekni.com

Проектирование связного передатчика с частотной модуляцией (стр. 5 из 5)

Обозначение Расчетное значение, мкФ Стандартный номинал
Сбл 6,8× 10-6 6,8 пФ
Ср1 65,6 × 10-3 68 нФ
Ср2 8,42× 10-3 8,2 нФ
Ссогл 3,372 × 10-6 3,9 пФ
Сф1, Сф4 14,805 × 10-6 15 пФ
Сф2, Сф3 27,825 × 10-6 27 пФ

РАСПОЛОЖЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЕ

Для того чтобы избежать самовозбуждения оконечного каскада передатчика необходимо вход и выход каскада расположить на плате как можно дальше друг от друга. Во избежание появления межкорпусных емкостей, элементы нельзя ставить слишком близко друг к другу и к каким либо металлическим частям корпуса передатчика. Соединительные провода необходимо делать как можно более короткими для уменьшения паразитных индуктивностей. Основываясь на этих правилах, и произведена компоновка элементов. Расположение элементов на печатной плате


ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе выполнения курсового проекта был рассчитан оконечный каскад передатчика с частотной модуляцией, полностью удовлетворяющий критериям, приведенным в задании на проектирование. Также выбрана, обоснована и представлена структурная схема всего передающего устройства.

Была приведена схема расположения элементов радиопередатчика на печатной плате, построенная из соображений оптимальной работы устройства – уменьшения действия паразитных реактивностей, возникающих на проводниках между элементами и между корпусами элементов, и обеспечения необходимого температурного режима устройства.

Для выполнения курсовой работы были изучены новые аспекты и нюансы проектирования радиопередающих устройств, вследствие чего были приобретены необходимые знания для дальнейшей работы в этом направлении.


БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Шумилин М. С., Козырев В. Б., Власов В. А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и связь, 1987.

2. Радиопередающие устройства: Методические указания по курсовому проектированию. Л. И. Булатов, Б. В. Гусев, Ф. В. Харитонов. Екатеринбург; УПИ, 1992.

3. Проектирование радиопередатчиков: Учебное пособие для вузов/ В. В. Шахгильдян, М..С. Шумилин, В.Б. Козырев и др.Ж Под ред. В. В. Шахгильдяна. – М.: Радио и связь, 1990 г.


ПРИЛОЖЕНИЕ А

Параметры транзистора КТ920В

Параметр Название Значение
rб Сопротивление материала базы 0,25 Ом
rэ Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера 0,3 Ом
rнас Сопротивление насыщения 0,24 Ом
RЭУ Сопротивление утечки эмиттерного перехода 1 кОм
b0 Коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером ОЭ на постоянном токе 32
fт Граничная частота передачи по току в схеме с ОЭ 529 МГц
Uкэ доп Максимальное напряжение на коллекторе 36 В
Ск Барьерная ёмкость коллекторного перехода 55 пФ
Сэ Барьерная ёмкость эмиттерного перехода 410 пФ
Lэ Индуктивность вывода эмиттера транзистора 1 нГн
Lб Индуктивность вывода базы транзистора 2,4 нГн
Lк Индуктивность вывода коллектора транзистора 2,4 нГн
Uбэ доп Обратное напряжение на эмиттерном переходе 4 В
Iк0 доп Допустимое значение постоянной составляющей коллект-ого тока 3 А
Iк мах доп Допустимое значение Iк мах 7 А
Rпк Тепловое сопротивление переход (кристалл) ‑ корпус 10 °С/Вт
Df¢ Диапазон частот 50 – 200 Мгц
Е¢ Напряжение отсечки 0,7 В
Схема включения с ОЭ