Розрахунок номіналів компонентів електронних схем (стр. 1 из 2)

№ Варіанту	Схема включення	fH, Гц	fв, кГц	Мн=Мв	RH, кОм	U2m, В	Тип транзистора
1	ЗЕ , ЗБ	100	120	1,1	18	2	МП39

Для даних схем включення і у відповідності з номером варіанта був вибраний транзистор МП39. Це германієвий сплавний транзистор p-n-p типу. Призначений для використання в каскадах підсилення напруги проміжної та низької частоти, імпульсних та інших пристроях радіоелектронної апаратури широкого використання. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими виводами.

Рис.1.1. Транзистор МП39

В таблиці 2 представлені основні характеристики вибраного транзистора.

Табл. 2. Основні характеристики транзистора МП39

Параметри	Режим вимірювання	Значення параметрів
h21Э	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С	12
IКБО, мкА	Uкб=5 В, Θокр=200 С	15
IКБО, мкА	Θокр=700 С	≤400
fh21Э, МГц	Uкб=5 В, IЭ=1 мА	0.5
h11Б ,Ом	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц	25
h22Б , мкСм	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц	3,3
Cк, пФ	Uкб=5 В, f=465 кГц	60
Iк доп, мА	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С	40

Табл.3. Гранично допустимі експлуатаційні дані транзистора МП39

Параметри	Режим вимірювання	Значення параметрів
UКЭ max , B	RбЭ=200 Ом, Θокр =400 С	15
UКБ max , B	-600 С ≤Θокр≤400 С	10
IК max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	40
IК нас max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	150
IЭ нас max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	150
PК max , мВт	-500 С ≤Θокр≤550 С	150
Θпер max , 0 С	-	85

1.2 Розрахунок параметрів для схеми з ЗЕ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу

і смуги пропускання

при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень

в області верхніх частот

Вибираємо

(для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора R_K^ОЭ, і допустима ємність конденсатора навантаження C_н.доп.обираються з умови

На сімействі вихідних характеристик транзистора побудуємо лінію навантаження по постійному струму і визначимо положення точки спокою (U_кэ^A, I_к^A, I_б^A) для режиму класа А. На сімействі вхідних характеристик транзистора по I_б^Aвизначається напруга початкового зміщення U_бэ^A.

Рис. 1.2 Сімейство вхідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А - обрана робоча точка).

Рис. 1.3 Сімейство вихідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А- обрана робоча точка).

При заданих Е₁=-10 В маємо U_кэ^A=- 5 В, I_к^A= 20 мА, I_б^A= 500 мкА,

I_э^A= I_к^A +I_б^A =20,5 мА , U_бэ^A=-0.27 В.

Опір резисторів забезпечуючих початкове зміщення фіксованим струмом бази:

Емність розподільчих конденсаторів С₁, С₂

1.3 Розрахунок параметрів для схеми з ЗБ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу

і смуги пропускання

при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень

в області верхніх частот

Вибираємо

(для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора

і допустима ємність конденсатора навантаження

обираються як і в схемі з ЗЕ, тобто

На сімействі вихідних характеристик транзистора побудуємо лінію навантаження по постійному струму і визначимо положення точки спокою (U_кб^A, I_к^A, I_э^A) для режиму класа А. На сімействі вхідних характеристик транзистора по I_э^Aвизначається напруга початкового зміщення U_эб^A.

Рис. 1.2 Сімейство вхідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗБ (В - обрана робоча точка).

Рис. 1.3 Сімейство вихідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗБ (В- обрана робоча точка).

При заданих Е₁=-10 В і Е₂=-1 В маємо U_кб^A=0 В, I_к^A= 20 мА, I_э^A= 20 мА,

I_б^A= I_к^A +I_э^A =40 мА , U_эб^A=0.32 В.

Опір резисторів забезпечуючих початкове зміщення фіксованим струмом бази :

Ємність розподільчих конденсаторів С₁, С₂

2. Активні RC–фільтри нижніх частот

2.1 Початкові дані

Частота зрізу

Схеми фільтрів наведені на рис. 2.1

2.2 Методика розрахунку

Параметри компонентів схеми для фільтрів нижніх частот 1–го порядку

, обираємо

;

Рис. 2.1. Схеми фільтрів нижніх частот: а – першого порядку; б – другого порядку.

Для фільтрів нижніх частот 2–го порядку