Діапазон опорів | 10Ом...1 МОм |
Допустимі відхилення, % | ±0.25, ±0.1, ±0.05, ±0.01 |
Температурний коефіцієнт, ppm/°C | ±10, ±0.5, ±0.2 |
Максимальна робоча напруга, В | 220 |
Максимальна робоча температура, | °C 125 |
Резистор RC1206 J R F та RC2512 J R F
Рисунок 1.8 - Резистор RC1206 J R F та RC2512 J R F
Таблиця 1.13 - Геометричні розміри резисторів RC1206 та RC2512
L, мм | W, мм | H, мм | l1, мм | l2, мм | |
RC1206 J R F | 3.10 | 1.6 | 0.55 | 0.45 | 0.40 |
RC2512 J R F | 6.35 | 3.10 | 0.55 | 0.60 | 0.50 |
Таблиця 1.14 - Технічні характеристики резистора RC1206 та RC2512
RC1206 | RC2512 | |
Діапазон робочої температури, °C | -55…155 | -55…155 |
Максимальна робоча напруга, В | 200 | 200 |
Допустиме відхилення | ±5% | ±5% |
Діапазон опорів | 1 Ом… 22 МОм | 1 Ом… 22 МОм |
Температурний коефіцієнт, ppm/°C 10Oм<R≤10MOм R<10Ом; R≥10МОм | ±100 ±200 | ±100 ±200 |
Термістор РТС
Рисунок 1.9 - Термістор РТС-145
Таблиця 1.15 - Геометричні розміри термістора РТС-145
b, мм | h, мм | d, мм |
9 | 12.5 | 0.6 |
Таблиця 1.16 - Технічні характеристики термістора
Опір, Ом | 9.4 |
Діапазон робочої температури, ° C | -40. .125 |
Максимальна робоча температура | +125 ° C |
Робоча напруга, В | 145 |
Допуск опорів | ± 25% |
Максимальний струм, А | 5 |
Максимальна напруга, В | 145 |
Мікросхема ADG507AKR.
Мікросхема ADG507AKR служить у якості комутатора.
Рисунок 1.10 - Мікросхема ADG507AKR
Таблиця 1.15 - Технічні характеристики мікросхеми ADG507AKR
Корпус | SO28-300 |
Номінальна напруга живлення, В | 44 |
Струм споживання при Uп = 15 В типового значення, мА | 20-40 |
Діапазон робочої температури, С | -40…85 |
Мінімальний опір навантаження, Ом | 280 |
Мікросхема AD8512AR.
Мікросхема AD8512AR виступає в якості операційних підсилювачів.
Рисунок 1.11 - Мікросхема AD8512AR
Таблиця 1.16 - Технічні характеристики мікросхеми AD8512AR
Частота, МГц | 8 |
Струм на вході, мА | 0.021 |
Струм на виході, мА | 54 |
Номінальна напруга живлення, В | 36 |
Діапазон робочої температури, °С | -40... +125 |
Мікросхема AD7862AR-10.
Мікросхема AD7862AR-10 представляє собою 12-битный АЦП.
Рисунок 1.12 - Мікросхема AD7862AR-10
Таблиця 1.17 - Технічні характеристики мікросхеми AD7862AR-10
Тип корпуса | so-28 |
Вхідна напруга | +/-10V |
Частота, кГц | 250 |
Діапазон робочої температури, ° C | -40. .85 |
Макс діапазон напруження живлення, В | 4.75. .5.25 |
Кількість каналів | 4 |
Мікросхема AD7945BR.
Мікросхема AD7945BR представляє собою 12-битный ЦАП.
Рисунок 1.13 - Мікросхема AD7945BR
Таблиця 1.18 - Технічні характеристики мікросхеми AD7945BR
Тип корпуса | SOIC 20 |
Діапазон робочої температури, ° C | -40. .85 |
Напруга живлення, В | 5.5 |
Частота дискретизації, Гц | 1.7 |
Мікросхеми HCPL-4506#020.
Мікросхема HCPL-4506#020 виступає в якості гальванічної розв’язки.
Рисунок 1.14 - Мікросхема HCPL-4506#020
Таблиця 1.19 - Технічні характеристики мікросхеми HCPL-4506#020
Корпус: | 8-DIP |
Швидкість передачі даних, Mbs | 1 |
Вихідний струм, мА | 15 |
Напруга ізоляції, Vrms | 5000 |
Діапазон робочої температури, ° C | -40. .100 |
Мікросхеми MC74HC240ADW та MC74HC541ADW.
Рисунок 1.15 - Мікросхеми MC74HC240ADW та MC74HC541ADW
Таблиця 1.20 - Технічні характеристики мікросхем
Тип корпуса: | SOIC |
Количество выводов: | 20 |
Напруга питания, В | -0.5...7 |
Входное напруга, В | -0.5. .0.5 |
Выходное напруга, В | -0.5. .0.5 |
Ток на входе, мА | 20 |
Ток на выходе, мА | 35 |
Діапазон робочої температури, °С | -65. .150 |
Мікросхема MC74HC74AD.
Рисунок 1.16 - Мікросхеми MC74HC74AD
Таблиця 1.21 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD
Тип корпуса: | SOIC |
Кількість виводів | 14 |
Напруга живлення, В | -0.5...7 |
Вхідна напруга, В | -0.5. .0.5 |
Вихідна напруга, В | -0.5. .0.5 |
Струм на вході, мА | 25 |
Струм на виході, мА | 50 |
Діапазон робочої температури, °С | -65. .150 |
Мікросхема UC3843BVD1
Мікросхема MC74HC74AD виступає у якості перетворювача напруги.
Рисунок 1.17 - Мікросхема MC74HC74AD
Таблиця 1.22 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD
Входное напруга, В | 36 |
Максимальный выходной ток, мА | 200 |
Входной ток, мА | 25 |
Частота, кГц | 52 |
Мікросхема ATmega8515-16AI
Мікросхемі ATmega8515-16AI є мікроконтролером.
Рисунок 1.23 - Мікросхема ATmega8515-16AI
Таблиця 1.23 - Геометричні параметри мікросхеми ATmega8515-16AI
A | A1 | A2 | D | D1 | E | E1 | B | C | L |
1.2 | 0.15 | 1 | 12 | 10 | 12 | 10 | 0.4 | 0.15 | 0.6 |
Таблиця 1.24 - Технічні характеристики мікросхеми ATmega8515-16AI
Корпус: | TQFP44 |
Швидкість: | 8-Bit |
Частота, МГц | 16 |
Розмір пам’яті (тип FLASH88) | 8KB (8K х 8) |
Напруга живлення, В | 4.5 .5.5 |
Діапазон робочої температури, ° C | 40. .85 |
Частота, МГц | 16 |
Мікросхема HIN202IBN
Мікросхема HIN202IBN - це вузол зв'язку.
Рисунок 1.19 - Мікросхема HIN202IBN
Таблиця 1.25 - Технічні характеристики мікросхеми HIN202IBN
Корпус | SOIC16 |
Робоча напруга, В | 5 |
Діапазон робочої температури, ° C | -40. .85 |
Струм живлення, мА | 8. .15 |
Резисторна збірка 4605X-101-562.
А=20мм
Рисунок 1.20 - Резисторна збірка 4605X-101-562
Таблиця 1.26 - Технічні характеристики резисторна збірки 4605X-101-562
Опір, Ом | 100 |
Максимальна напруга, В | 100 |
Температурний коефіцієнт, ppm/°C | ±100 |
Діапазон робочої температури, ° C | -55. .125 |
Дросель B78108-S1103-K
Рисунок 1.21 - Дросель B78108-S1103-K
Таблиця 1.27 - Технічні характеристики мікросхеми дроселя
Індуктивність, мГн | 0.1 |
Допуск на індуктивність | ± 10% |
Макс опір, Ом | 0.49 |
Постійний струм, мА | 680 |
Резонансні частоти, МГц | 35 |
Діоди BAS32L и BAV102
Рисунок 1.22 - Діод BAV102 и BAV102
Таблиця 1.28 - Геометричні параметри діодів BAV102 и BAV102