Из сравнения с наилучшими существовавшими до сих пор емкостными методиками, очевидно, что DLTS дает существенное улучшение по чувствительности, интервалу глубин ловушек и простоте работы и анализа. Единственный большой класс ловушек, которые невозможно наблюдать методом DLTS, - это мелкие доноры и акцепторы, а также связанные экситоны. Однако, эти мелкие центры легко обнаруживаются с помощью люминесценции. В сущности, DLTS расширяет возможности спектроскопии в область глубоких и промежуточных ловушек, где не работает люминесценция, особенно это касается безизлучательных центров, о которых почти ничего не известно.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ:
1. ASTM F 978 - 90. Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques // Current edition approved June 29, 1990. Originally published as F 978 - 86. Last previous edition F 978 - 86 // Annual Book of ASTM Standards, Vol 10.05, pp. 489-496.
2. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. -Л.: Наука, 1981.- 176 с.
3. Цветков Э.И. Процессорные измерительные средства. - Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1989. - 224 с.
4. Устюжанинов В.Н., Крылов В.П., Егоров М.А. Частотное сканирование в релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. межд. науч.-техн. семинара (Москва, 2 — 5 декабря 1996 г.). М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 1997.-С. 408-411.